AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterostructure field-effect transistor with an in-situ AlN cap layer

Applied Physics Letters

Volumn 99, Issue 15, 2011, Pages

  Lee, K H ^a   Chang, P C ^b   Chang, S J ^c  

^a NATIONAL SYNCHROTRON RADIATION RESEARCH CENTER   (Taiwan)

^b KUN SHAN UNIVERSITY   (Taiwan)

^c NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALGAN; ALGAN/GAN; ALN; CAP LAYERS; DEVICE CHARACTERISTICS; HETEROSTRUCTURE FIELD-EFFECT TRANSISTORS; IN-SITU; METAL-INSULATOR-SEMICONDUCTORS;

DC POWER TRANSMISSION; FIELD EFFECT TRANSISTORS; GALLIUM NITRIDE; HETEROJUNCTIONS; METAL INSULATOR BOUNDARIES; MIS DEVICES; PASSIVATION; SEMICONDUCTOR INSULATOR BOUNDARIES; TRANSISTORS;

IN SITU PROCESSING;

EID: 80054978629     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3651495     Document Type: Article

References (18)

1. O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, W. J. Schaff, L. F. Eastman, R. Dimitrov, L. Wittmer, M. Stutzmann, W. Rieger, and J. Hilsenbeck, J. Appl. Phys. 85, 3222 (1999). 10.1063/1.369664
2. O. Ambacher, B. Foutz, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, A. J. Sierakowski, W. J. Schaff, L. F. Eastman, R. Dimitrov, A. Mitchell, and M. Stutzmann, J. Appl. Phys. 87, 334 (2000). 10.1063/1.371866
3. R. Dimitrov, M. Murphy, J. Smart, W. Schaff, J. R. Shealy, L. F. Eastman, O. Ambacher, and M. Stutzmann, J. Appl. Phys. 87, 3375 (2000). 10.1063/1.372353
4. R. Vetury, N. Q. Zhang, S. Keller, and U. K. Mishra, IEEE Trans. Electron Devices 48, 560 (2001). 10.1109/16.906451
5. A. Tarakji, G. Simin, N. Ilinskaya, X. Hu, A. Kumar, A. Koudymov, J. Yang, M. A. Khan, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 78, 2169 (2001). 10.1063/1.1363694
6. H. Hasegawa, T. Inagaki, S. Ootomo, and T. Hashizume, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 1844 (2003). 10.1116/1.1589520
7. X. Hu, A. Koudymov, G. Simin, J. Yang, M. A. Khan, A. Tarakji, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 79, 2832 (2001). 10.1063/1.1412591
8. M. A. Khan, X. Hu, G. Sumin, A. Lunev, J. Yang, R. Gaska, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett. 21, 63 (2000). 10.1109/55.821668
9. G. Simin, A. Koudymov, H. Fatima, J. Zhang, J. Yang, M. A. Khan, X. Hu, A. Tarakji, R. Gaska, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett. 23, 458 (2002). 10.1109/LED.2002.801316
10. H. Kim, R. M. Thompson, V. Tilak, T. R. Prunty, J. R. Shealy, and L. F. Eastman, IEEE Electron Device Lett. 24, 421 (2003). 10.1109/LED.2003.813375
11. W. S. Tan, M. J. Uren, P. A. Houston, R. T. Green, R. S. Balmer, and T. Martin, IEEE Electron Device Lett. 27, 1 (2006). 10.1109/LED.2005.860383
12. M. Eickelkamp, N. Ketteni, C. Lautensack, A. Noculak, H. Kalisch, R. H. Jansen, and A. Vescan, Phys. Status Solidi C 6, S1033 (2009). 10.1002/pssc.200880902
13. T. R. Prunty, J. A. Smart, E. M. Chumbes, B. K. Ridley, L. F. Eastman, and J. R. Shealy, in IEEE/Cornell Conference (Cornell University, Ithaca, New York, 2000), p. 208.
14. X. Z. Dang, E. T. Yu, E. J. Piner, and B. T. McDermott, J. Appl. Phys. 90, 1357 (2001). 10.1063/1.1383014
15. W. S. Tan, P. A. Houston, P. J. Parbrook, G. Hill, and R. J. Airey, J. Phys. D: Appl. Phys. 35, 595 (2002). 10.1088/0022-3727/35/7/304
16. G. Heidelberger, J. Bernt, A. Fox, M. Marso, H. Lth, D. Greguov, and P. Kordo, Phys. Status Solidi A 203, 1876 (2006). 10.1002/pssa.200565249
17. A. M. Wells, M. J. Uren, R. S. Balmer, K. P. Hilton, T. Martin, and M. Missous, Solid-State Electron. 49, 279 (2005). 10.1016/j.sse.2004.10.003
18. J. Derluyn, S. Boeykens, K. Cheng, R. Vandersmissen, J. Das, W. Ruythooren, S. Degroote, M. R. Leys, M. Germain, and G. Borghs, J. Appl. Phys. 98, 054501 (2005). 10.1063/1.2008388