Redox-controlled memristive switching in the junctions employing Ti reactive electrodes

AIP Advances

Volumn 1, Issue 3, 2011, Pages

  Li, Haitao ^a   Xia, Yidong ^a   Xu, Hanni ^a   Liu, Lifei ^a   Li, Xuefei ^a   Tang, Zhenjie ^a   Chen, Xiangzhong ^a   Li, Aidong ^a   Yin, Jiang ^a   Liu, Zhiguo ^a  

^a NANJING UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRODES; MEMRISTORS;

CHEMICAL EVIDENCES; CONDUCTIVE MECHANISMS; FAILURE BEHAVIORS; OFF STATE; REDUCTION TREATMENT; RESISTANCE STATE; SCHOTTKY EMISSIONS; TUNNELING PROCESS;

TITANIUM;

EID: 80053508372     PISSN: None     EISSN: 21583226     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3630128     Document Type: Article

References (32)

1. T. Hori, Gate Dielectrics and MOS ULSIs, Principles, Technologies, and Applications (Springer, 1997).
2. S. Zhang, P. M. Levy, A. C. Marley, and S. S. P. Parkin, Phys. Rev. Lett. 79, 3744 (1997). 10.1103/PhysRevLett.79.3744
3. J. S. Moodera, J. Nowak, and R. J. M. van de Veerdonk, Phys. Rev. Lett. 80, 2941 (1998). 10.1103/PhysRevLett.80.2941
4. T. Miyazaki and N. Tezuka, J. Magn. Magn. Mater. 139, L231 (1995).
5. J. G. Zhu and C. Park, Materials Today 9, 36 (2006). 10.1016/S1369- 7021(06)71693-5 (Pubitemid 44572923)
6. D. B. Strukov, G. S. Snider, D. R. Stewart, and R. S. Williams, Nature 453, 80 (2008). 10.1038/nature06932 (Pubitemid 351630336)
7. J. J. Yang, M. D. Pickett, X. Li, D. A. A. Ohlberg, D. R. Stewart, and R. S. Williams, Nature Nanotechnology 3, 429 (2008). 10.1038/nnano.2008.160
8. L. O. Chua, IEEE Trans. Circuit Theory 18, 507 (1971). 10.1109/TCT.1971.1083337
9. L. O. Chua and S. M. Kang, Proc. IEEE 64, 209 (1976). 10.1109/PROC.1976.10092
10. M. Di Ventra, Y. V. Pershin, and L. O. Chua, Proc. IEEE 97, 1717 (2009). 10.1109/JPROC.2009.2021077
11. S. H. Jo, T. Chang, I. Ebong, B. B. Bhadviya, P. Mazumder, and W. Lu, Nano Lett. 10, 1297 (2010). 10.1021/nl904092h
12. T. Hasegawa, T. Ohno, K. Terabe, T. Tsuruoka, T. Nakayama, J. K. Gimzewski, and M. Aono, Adv. Mater. 22, 1831 (2010). 10.1002/adma.200903680
13. H. T. Li, Y. D. Xia, B. Xu, H. X. Guo, J. Yin, and Z. G. Liu, Appl. Phys. Lett. 97, 012902 (2010). 10.1063/1.3462067
14. J. J. Yang, J. P. Strachan, Q. F. Xia, D. A. A. Ohlberg, P. J. Kuekes, R. D. Kelley, W. F. Stickle, D. R. Stewart, G. Medeiros-Ribeiro, and R. S. Williams, Adv, Mater. 22, 4034 (2010). 10.1002/adma.201000663
15. R. Waser, R. Dittmann, G. Staikov, and K. Szot, Adv. Mater. 21, 2632 (2009). 10.1002/adma.200900375
16. K. Terabe, T. Hasegawa, T. Nakayama, and M. Aono, Nature 433, 47 (2005). 10.1038/nature03190 (Pubitemid 40101138)
17. M. N. Kozicki, M. Park, and M. Mitkova, IEEE Trans. Nanotechnol. 4, 331 (2005). 10.1109/TNANO.2005.846936 (Pubitemid 40794460)
18. L. Chen, Z. G. Liu, Y. D. Xia, K. B. Yin, L. G. Gao, and J. Yin, Appl. Phys. Lett. 94, 162112 (2009). 10.1063/1.3123251
19. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001). 10.1063/1.1361065
20. D.-H. Kwon, K. M. Kim, J. H. Jang, J. M. Jeon, M. H. Lee, G. H. Kim, X.-S. Li, G.-S Park, B. Lee, S. Han, M. Kim, and C. S. Hwang, Nature Nanotechnology 5, 148 (2010). 10.1038/nnano.2009.456
21. J. P. Strachan, M. D. Pickett, J. J. Yang, S. Aloni, A. L. D. Kilcoyne, G. Medeiros-Ribeiro, and R. S. Williams, Adv. Mater. 22, 3573 (2010). 10.1002/adma.201000186
22. Ch. Walczyk, Ch. Wenger, D. Walczyk, M. Lukosius, I. Costina, M. Fraschke, J. Dabrowski, A. Fox, D. Wolansky, S. Thiess, E. Miranda, B. Tillack, and T. Schroeder, J. Vac. Sci. Technol. B, 29, 01AD02 (2011). 10.1116/1.3536524
23. M.-J. Lee, S. Han, S. H. Jeon, B. H. Park, B. S. Kang, S.-E. Ahn, K. H. Kim, C. B. Lee, C. J. Kim, I.-K. Yoo, D. H. Seo, X.-S. Li, J.-B. Park, J.-H. Lee, and Y. Park, Nano Lett. 9, 1476 (2009). 10.1021/nl803387q
24. S. C. Chae, J. S. Lee, S. Kim, S. B. Lee, S. H. Chang, C. Liu, B. Kahng, H. Shin, D.-W. Kim, C. U. Jung, S. Seo, M.-J. Lee, and T. W. Noh, Adv. Mater. 20, 1154 (2008). 10.1002/adma.200702024
25. K. Li, Y. D. Xia, B. Xu, X. Gao, H. X. Guo, Z. G. Liu, and J. Yin, Appl. Phys. Lett. 96, 182904 (2010). 10.1063/1.3425671
26. J. J. Yang, F. Miao, M. D. Pickett, D. A. A. Ohlberg, D. R. Stewart, C. N. Lau, and R. S. Williams, Nanotechnology 20, 215209 (2009).
27. C. P. Hsiung, J. Y. Gan, S. H. Tseng, N. H. Tai, P. J. Tzeng, C. H. Lin, F. Chen, and M. J. Tsai, Electrochem. Solid-State Lett. 12, G31 (2009). 10.1149/1.3122742
28. C.-Y. Lin, C.-Y. Wu, C.-Y. Wu, C. Hu and T.-Y. T, J. The Electrochem. Soc. 154, G189 (2007). 10.1149/1.2750450 (Pubitemid 47186550)
29. S. X. Wu, H. Y. Peng, and T. Wu, Appl. Phys. Lett. 98, 093503 (2011). 10.1063/1.3560257
30. B. V. Crist, Handbook of Monochromatic XPS Spectra, The Elements Of Native Oxides (John Wiley Sons, 2000).
31. H. Y. Peng, G. P. Li, J. Y. Ye, Z. P. Wei, Z. Zhang, D. D. Wang, G. Z. Xing, and T. Wu, Appl. Phys. Lett. 96, 192113 (2010). 10.1063/1.3428365
32. S. M. Sze and K. K. Ng, Physics of Semiconductor Devices, Third Edition (John Wiley Sons, 2007).