GaN-based light-emitting diodes grown on nanoscale patterned sapphire substrates with void-embedded cortex-like nanostructures

Applied Physics Express

Volumn 4, Issue 9, 2011, Pages

  Lin, Yu Sheng ^a   Yeh, J Andrew ^a,b  

^a NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

^b INSTRUMENT TECHNOLOGY RESEARCH CENTER   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTALLINE QUALITY; DRIVING CURRENT; EMITTING WAVELENGTHS; EXTERNAL QUANTUM EFFICIENCY; GAN EPILAYERS; GAN-BASED LIGHT-EMITTING DIODES; HIGH EFFICIENCY; LIGHT EXTRACTION; NANO SCALE; NANOSTRUCTURAL; OUTPUT POWER; PATTERNED SAPPHIRE SUBSTRATE; SAPPHIRE SUBSTRATES;

GALLIUM ALLOYS; GALLIUM NITRIDE; LIGHT EMISSION; NANOSTRUCTURED MATERIALS; NANOSTRUCTURES; SAPPHIRE; SUBSTRATES;

ORGANIC LIGHT EMITTING DIODES (OLED);

EID: 80052582633     PISSN: 18820778     EISSN: 18820786     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/APEX.4.092103     Document Type: Article

References (20)

1. S. D. Lester, F. A. Ponce, M. G. Craford, and D. A. Steigerwald: Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 1249.
2. C. H. Chiu, H. H. Yen, C. L. Chao, Z. Y. Li, P. Yu, H. C. Kuo, T. C. Lu, S. C. Wang, K. M. Lau, and S. J. Cheng: Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 081108.
3. C. C. Kao, Y. K. Su, C. L. Lin, and J. J. Chen: Appl. Phys. Lett. 97 (2010) 023111.
4. H. W. Huang, J. K. Huang, S. Y. Kuo, K. Y. Lee, and H. C. Kuo: Appl. Phys. Lett. 96 (2010) 263115.
5. J. J. Chen, Y. K. Su, C. L. Lin, S. M. Chen, W. L. Li, and C. C. Kao: IEEE Photonics Technol. Lett. 20 (2008) 1193.
6. C. H. Chan, C. H. Hou, S. Z. Tseng, T. J. Chen, H. T. Chien, F. L. Hsiao, C. C. Lee, Y. L. Tsai, and C. C. Chen: Appl. Phys. Lett. 95 (2009) 011110.
7. H. W. Huang, C. H. Lin, J. K. Huang, K. Y. Lee, C. F. Lin, C. C. Yu, J. Y. Tsai, R. Hsueh, H. C. Kuo, and S. C. Wang: Mater. Sci. Eng. B 164 (2009) 76.
8. H. Gao, F. Yan, Y. Zhang, J. Li, Y. Zeng, and G. Wang: J. Appl. Phys. 103 (2008) 014314.
9. H. Gao, F. Yan, Y. Zhang, J. Li, Y. Zeng, and G. Wang: Phys. Status Solidi A 205 (2008) 1719.
10. D. S. Wuu, W. K. Wang, K. S. Wen, S. C. Huang, S. H. Lin, S. Y. Huang, C. F. Lin, and R. H. Horng: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 161105.
11. T. S. Kim, S. M. Kim, Y. H. Jang, and G. Y. Jung: Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 171114.
12. D. H. Kim, C. O. Cho, Y. G. Roh, H. Jeon, Y. S. Park, J. Cho, J. S. Im, C. Sone, Y. Park, W. J. Choi, and Q. H. Park: Appl. Phys. Lett. 87 (2005) 203508.
13. H. G. Kim, M. G. Na, H. K. Kim, H. Y. Kim, J. H. Ryu, T. V. Cuong, and C. H. Hong: Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 261117.
14. C. H. Lin, H. C. Kuo, C. F. Lai, H. W. Huang, K. M. Leung, C. C. Yu, and J. R. Lo: Semicond. Sci. Technol. 21 (2006) 1513.
15. T. Fujii, Y. Gao, R. Sharma, E. L. Hu, S. P. DenBaars, and S. Nakamura: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 855.
16. C. F. Lin, J. J. Dai, M. S. Lin, K. T. Chen, W. C. Huang, C. M. Lin, R. H. Jiang, and Y. C. Huang: Appl. Phys. Express 3 (2010) 031001.
17. M. W. Jenkins: J. Electrochem. Soc. 124 (1977) 757.
18. D. I. Florescu, S. M. Ting, J. C. Ramer, D. S. Lee, V. N. Merai, A. Parkeh, D. Lu, E. A. Armour, and L. Chernyak: Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 33.
19. S. M. Ting, J. C. Ramer, D. I. Florescu, V. N. Merai, B. E. Albert, A. Parkeh, D. S. Lee, D. Lu, D. V. Christini, L. Liu, and E. A. Armour: J. Appl. Phys. 94 (2003) 1461.
20. C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, G. C. Chi, J. K. Sheu, and J. F. Chen: IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 8 (2002) 284.