Optical and structural properties of silicon-rich silicon oxide films: Comparison of ion implantation and molecular beam deposition methods

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science

Volumn 208, Issue 9, 2011, Pages 2176-2181

  Nikitin, Timur ^a   Aitola, Kerttu ^b   Novikov, Sergei ^b   Räsänen, Markku ^a   Velagapudi, Rama ^b   Sainio, Jani ^b   Lahtinen, Jouko ^b   Mizohata, Kenichiro ^a   Ahlgren, Tommy ^a   Khriachtchev, Leonid ^a  

^a UNIVERSITY OF HELSINKI   (Finland)

^b AALTO UNIVERSITY   (Finland)

Author keywords

absorption; photoluminescence; Raman spectroscopy; silicon nanocrystals

Indexed keywords

ABSORPTION COEFFICIENTS; AMORPHOUS CLUSTERS; IMPLANTED MATERIALS; IMPLANTED SAMPLES; MOLECULAR BEAM DEPOSITION; PREPARATION METHOD; SILICON NANOCRYSTALS; SILICON RICH SILICON OXIDES;

ABSORPTION; ANNEALING; BELT DRIVES; CHEMICAL MODIFICATION; ION IMPLANTATION; IONS; MOLECULAR BEAMS; NANOCRYSTALS; OXIDE FILMS; PHASE SEPARATION; PHOTOLUMINESCENCE; RAMAN SPECTROSCOPY; SILICON COMPOUNDS;

SILICON OXIDES;

EID: 80052441722     PISSN: 18626300     EISSN: 18626319     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssa.201127028     Document Type: Article

References (35)

1. L. T. Canham, Appl. Phys. Lett. 57, 1046 (1990).
2. L. Khriachtchev, (ed.), Silicon Nanophotonics: Basic Principles, Present Status and Perspectives (Pan Stanford, Singapore, 2008).
3. P. Mutti, G. Ghislotti, S. Bertoni, L. Bonoldi, G. F. Cerofo-lini, L. Meda, E. Grilli, and, M. Guzzi, Appl. Phys. Lett. 66, 851 (1995).
4. S. Guha, J. Appl. Phys. 84, 5210 (1998).
5. G. Ledoux, J. Gong, F. Huisken, O. Guillois, and, C. Reynaud, Appl. Phys. Lett. 80, 4834 (2002).
6. Y. Kanemitsu, T. Ogawa, K. Shiraishi, and, K. Takeda, Phys. Rev. B 48, 4883 (1993).
7. S. Prokes, Appl. Phys. Lett. 62, 3244 (1993).
8. J. L. Gole, F. P. Dudel, D. Grantier, and, D. A. Dixon, Phys. Rev. B 56, 2137 (1997).
9. N. Daldosso, M. Luppi, S. Ossicini, E. Degoli, R. Magri, G. Dalba, P. Fornasini, R. Grisenti, F. Rocca, L. Pavesi, S. Boninelli, F. Priolo, C. Spinella, and, F. Iacona, Phys. Rev. B 68, 085327 (2003).
10. L. Khriachtchev, M. Räsänen, S. Novikov, and, L. Pavesi, Appl. Phys. Lett. 85, 1511 (2004).
11. L. Khriachtchev, T. Nikitin, R. Velagapudi, J. Lahtinen, and, S. Novikov, Appl. Phys. Lett. 94, 043115 (2009).
12. M. V. Wolkin, J. Jorne, P. M. Fauchet, G. Allan, and, C. Delerue, Phys. Rev. Lett. 82, 197 (1999).
13. G. FranzÃ, M. Miritello, S. Boninelli, R. Lo Savio, M. G. Grimaldi, F. Priolo, F. Iacona, G. Nicotra, C. Spinella, and, S. Coffa, J. Appl. Phys. 104, 094306 (2008).
14. S. Mirabella, R. Agosta, G. FranzÃ, I. Crupi, M. Miritello, R. Lo Savio, M. A. Di Stefano, S. Di Marco, F. Simone, and, A. Terrasi, J. Appl. Phys. 106, 103505 (2009).
15. S. Boninelli, F. Iacona, G. FranzÃ, C. Bongiorno, C. Spinel-la, and, F. Priolo, J. Phys.: Condens. Matter 19, 225003 (2007).
16. L. Khriachtchev, M. Räsänen, S. Novikov, and, J. Lahtinen, J. Appl. Phys. 95, 7592 (2004).
17. L. Khriachtchev, T. Nikitin, C. J. Oton, R. Velagapudi, J. Sainio, J. Lahtinen, and, S. Novikov, J. Appl. Phys. 104, 104316 (2008).
18. B. Garrido Fernandez, M. López, C. Garcia, A. Pérez- Rodríguez, J. R. Morante, C. Bonafos, M. Carrada, and, A. Claverie, J. Appl. Phys. 91, 798 (2002).
19. L. Khriachtchev, M. Räsänen, and, S. Novikov, Appl. Phys. Lett. 83, 3018 (2003).
20. L. Khriachtchev, Appl. Phys. Lett. 81, 1357 (2002).
21. L. Khriachtchev, M. Räsänen, S. Novikov, O. Kilpelä, and, J. Sinkkonen, J. Appl. Phys. 86, 5601 (1999).
22. J. Jokinen, J. Keinonen, P. Tikkanen, A. Kuronen, T. Ahl-gren, and, K. Nordlund, Nucl. Instrum. Methods B 119, 533-542 (1996).
23. G. Faraci, S. Gibilisco, P. Russo, A. R. Pennisi, and, S. La Rosa, Phys. Rev. B 73, 033307 (2006).
24. S. Knief, and, W. von Niessen, Phys. Rev. B 59, 12940 (1999).
25. A. Hartstein, J. C. Tsang, D. J. DiMaria, and, D. W. Dong, Appl. Phys. Lett. 36, 836 (1980).
26. J. H. Campbell, and, P. M. Fauchet, Solid State Commun. 58, 739 (1986).
27. S. Novikov, J. Sinkkonen, T. Nikitin, L. Khriachtchev, M. Räsänen, and, E. Haimi, Microelectron. J. 39, 518 (2008).
28. L. Koponen, L. O. Tunturivuori, M. J. Puska, and, R. M. Nieminen, Phys. Rev. B 79, 235332 (2009).
29. R. Guerra, I. Marri, R. Magri, L. Martin-Samos, O. Pulci, E. Degoli, and, S. Ossicini, Phys. Rev. B 79, 155320 (2009).
30. R. Guerra, E. Degoli, and, S. Ossicini, Phys. Rev. B 80, 155332 (2009).
31. L. Khriachtchev, T. Nikitin, M. Räsänen, A. Domanskaya, S. Boninelli, F. Iacona, A. Engdahl, J. Juhanoja, and, S. Novikov, J. Appl. Phys. 108, 124301 (2010).
32. S. Godefroo, M. Hayne, M. Jivanescu, A. Stesmans, M. Zacharias, O. I. Lebedev, G. Van Tendeloo, and, V. V. Moshchalkov, Nat. Nanotechnol. 3, 174 (2008).
33. D. Hiller, M. Jivanescu, A. Stesmans, and, M. Zacharias, J. Appl. Phys. 107, 084309 (2010).
34. R. Guerra, and, S. Ossicini, Phys. Rev. B 81, 245307 (2010).
35. F. Koch, V. Petrova-Koch, and, T. Muschik, J. Lumin. 57, 271 (1993).