The observation of "conduction spot" on NiO resistance random access memory

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 50, Issue 8 PART 1, 2011, Pages

  Kondo, Hirofumi ^a   Arita, Masashi ^a   Fujii, Takashi ^a   Kaji, Hiromichi ^a   Moniwa, Masahiro ^a,b   Yamaguchi, Takeshi ^a   Fujiwara, Ichiro ^a,b   Yoshimaru, Masaki ^a,b   Takahashi, Yasuo ^a  

^a HOKKAIDO UNIVERSITY   (Japan)

^b SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY ACADEMIC RESEARCH CENTER   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CAPACITOR STRUCTURES; CONDUCTIVE FILAMENTS; ENERGY DISPERSIVE X RAY SPECTROSCOPY; EXPERIMENTAL DATA; EXTRA HIGH VOLTAGE; FORMING PROCESS; HIGH TEMPERATURE; NIO FILMS; OXYGEN REDUCTION; RESISTANCE RANDOM ACCESS MEMORY; RESISTANCE SWITCHING; SEM IMAGE; TEM OBSERVATIONS; THERMAL OXIDATION;

ELECTROLYTIC REDUCTION; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; X RAY SPECTROSCOPY;

RANDOM ACCESS STORAGE;

EID: 80052001696     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.50.081101     Document Type: Article

References (29)

1. S. Q. Liu, N. J. Wu, and A. Ignatiev: Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 2749.
2. A. Sawa: Mater. Today 11 [6] (2008) 28.
3. Y. C. Shin, J. Song, K. M. Kim, B. J. Choi, S. Choi, H. J. Lee, G. H. Kim, T. Eom, and C. S. Hwang: Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 162904.
4. L.-F. Liu, J.-F. Kang, N. Xu, X. Sun, C. Chen, B. Sun, Y. Wang, X.-Y. Liu, X. Zhang, and R.-Q. Han: Jpn. J. Appl. Phys. 47 (2008) 2701.
5. H. Shima, F. Takano, H. Muramatsu, H. Akinaga, Y. Tamai, I. H. Inque, and H. Takagi: Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 113504.
6. A. Chen, S. Haddad, Y. C. Wu, T. N. Fang, S. Kaza, and Z. Lan: Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 013503.
7. I.-S. Park, K-R. Kim, S. Lee, and J. Ahn: Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) 2172.
8. H.-Y. Lee, P.-S. Chen, C.-C. Wang, S. Maikap, P.-J. Tzeng, C.-H. Lin, L.-S. Lee, and M.-J. Tsai: Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) 2175.
9. B. Sun, L. Liu, N. Xu, B. Gao, Y. Wang, D. Han, X. Liu, R. Han, and J. Kang: Jpn. J. Appl. Phys. 48 (2009) 04C061.
10. E.-K Lai, W.-C. Chien, Y.-C. Chen, T.-J. Hong, Y.-Y. Lin, K-P. Chang, Y.-D. Yao, P. Lin, S.-F. Horng, J. Gong, S.-C. Tsai, C.-H. Lee, S.-H. Hsieh, C.-F. Chen, Y.-H. Shih, K-Y. Hsieh, R. Liu, and C.-Y. Lu: Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 04DD17.
11. Y. Sakotsubo, M. Terai, S. Kotsuji, T. Sakamoto, and M. Hada: Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 04DD19.
12. S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, E. J. Jeoung, D.-S. Suh, Y. S. Joung, I. K Yoo, I. R. Hwang, S. H. Kim, I. S. Byun, J.-S. Kim, J. S. Choi, and B. H. Park: Appl. Phys. Lett. 85 (2004) 5655.
13. J. W. Park, J. W. Park, D. Y. Kim, and J. K. Lee: J. Vac. Sci. Technol. A 23 (2005) 1309.
14. K Kinoshita, T. Tamura, M. Aoki, Y. Sugiyama, and H. Tanaka: J. Appl. Phys. 45 (2006) L991.
15. M. J. Rozenberg, I. H. Inoue, and M. J. Sanchez: Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 033510.
16. D. C. Kim, S. Seo, S. E. Ahn, D.-S. Suh, M. J. Lee, B.-H. Park, I. K. Yoo, I. G. Baek, M.-J. Kim, E. Y. Yim, J. E. Lee, S. O. Park, H. S. Kim, and U.-I. Chung: Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 202102.
17. M. Fujimoto, H. Koyama, M. Konagai, Y. Hosoi, K. Ishihara, S. Ohnishi, and N. Awaya: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 223509.
18. Y. Sato, K Kinoshita, M. Aoki, and Y. Sugiyama: Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 033503.
19. K. M. Kim, B. J. Choi, and C. S. Hwang: Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 242906.
20. G.-S. Park, X.-S. Li, D.-C. Kim, R.-J. Jung, M.-J. Lee, and S. Seo: Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 222103.
21. G.-H. Buh, I. Hwang, and B. H. Park: Appl. Phys. Lett. 95 (2009) 0142101.
22. C. Cagli, F. Nardi, and D. Ielmini: IEEE Trans. Electron Devices 56 (2009) 1712.
23. L. Goux, J. G Lisoni, M. Jurczak, D. J. Wouters, L. Courtade, and Ch. Muller: J. Appl. Phys. 107 (2010) 024512.
24. H. D. Lee, B. Kagyari-Kope, and Y. Nishi: Phys. Rev. B 81 (2010) 193202.
25. H. Kondo, H. Kaji, T. Fujii, K Hamada, M. Arita, and Y. Takahashi: IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng. 8 (2010) 012034.
26. N. S. Mclntyre, T. E. Rummery, M. G. Cook, and D. Owe: J. Electrochem. Soc. 123 (1976) 1164.
27. L. J. Matienzo, L. O. Yin, S. O. Grim, and W. E. Swartz: Inorg. Chem. 12 (1973) 2762.
28. T. Fujii, H. Kaji, H. Kondo, K Hamada, M. Arita, and Y. Takahashi: IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng. 8 (2010) 012033.
29. D.-H. Kwon, K. M. Kim, J. H. Jang, J. M. Jeon, M. H. Lee, G. H. Kim, X.-S. Li, G.-S. Park, B. Lee, S. Han, M. Kim, and C. S. Hwang: Nat. Nanotechnol. 5 (2010) 148.