Improvement of electroluminescent performance of n-ZnO/AlN/p-GaN light-emitting diodes by optimizing the AlN barrier layer

Journal of Applied Physics

Volumn 109, Issue 9, 2011, Pages

  Zhang, S G ^a   Zhang, X W ^a   Yin, Z G ^a   Wang, J X ^a   Dong, J J ^a   Wang, Z G ^a   Qu, S ^a,b   Cui, B ^c   Wowchak, A M ^c   Dabiran, A M ^c   Chow, P P ^c  

^a INSTITUTE OF SEMICONDUCTORS   (China)

^b Eoplly New Energy Technology Co Ltd   (China)

^c SVT ASSOCIATES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALN; ALN BARRIERS; ALN LAYERS; CRYSTALLINE QUALITY; CRYSTALLINITIES; DEEP DONOR; INJECTED CARRIERS; INTERFACIAL LAYER;

ELECTROLUMINESCENCE; GROWTH TEMPERATURE; LIGHT EMITTING DIODES; OPTIMIZATION;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 79959523123     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3590399     Document Type: Article

References (28)

1. J. H. Lim, C. K. Kang, K. K. Kim, I. K. Park, D. K. Hwang, and S. J. Park, Adv. Mater. 18, 2720 (2006). 10.1002/adma.v18:20
2. A. Khan, K. Balakrishnan, and T. Katona, Nat. Photonics 2, 77 (2008). 10.1038/nphoton.2007.293
3. . zgr, Ya. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Dogan, V. Avrutin, S. J. Cho, and H. Morkoc, J. Appl. Phys. 98, 041301 (2005). 10.1063/1.1992666 (Pubitemid 41348664)
4. D. C. Look and B. Claflin, Phys. Status Solidi B 241, 624 (2004). 10.1002/pssb.v241:3
5. D. K. Hwang, M. S. Oh, J. H. Lim, and S. J. Park, J. Phys. D: Appl. Phys. 40, R387 (2007). 10.1088/0022-3727/40/22/R01 (Pubitemid 350167276)
6. A. Tsukazaki, T. Onuma, M. Ohtani, T. Makino, M. Sumiya, K. Ohtani, S. F. Chichibu, S. Fuke, Y. Segawa, H. Ohno, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Nature Mater. 4, 42 (2005). 10.1038/nmat1284 (Pubitemid 40021000)
7. X. W. Sun, B. Ling, J. L. Zhao, S. T. Tan, Y. Yang, Y. Q. Shen, Z. L. Dong, and X. C. Li, Appl. Phys. Lett. 95, 133124 (2009). 10.1063/1.3243453
8. Ya. I. Alivov, J. E. Van Nostrand, D. C. Look, M. V. Chukichev, and B. M. Ataev, Appl. Phys. Lett. 83, 2943 (2003). 10.1063/1.1615308
9. M. C. Jeong, B. Y. Oh, M. H. Ham, S. W. Lee, and J. M. Myoung, Small 3, 568 (2007). 10.1002/smll.v3:4
10. J. J. Cole, X. Y. Wang, R. J. Knuesel, and H. O. Jacobs, Nano Lett. 8, 1477 (2008). 10.1021/nl0804809
11. H. K. Fu, C. L. Cheng, C. H. Wang, T. Y. Lin, and Y. F. Chen, Adv. Funct. Mater. 19, 3471 (2009). 10.1002/adfm.200900815
12. O. Lupan, T. Pauporte, and B. Viana, Adv. Mater. 22, 3298 (2010). 10.1002/adma.201000611
13. S. Xu, C. Xu, Y. Liu, Y. F. Hu, R. Yang, Q. Yang, J. H. Ryou, H. J. Kim, Z. Lochner, S. Choi, R. Dupuis, and Z. L. Wang, Adv. Mater. 22, 4749 (2010). 10.1002/adma.201002134
14. O. Lupan, T. Pauporte, B. Viana, I. M. Tiginyanu, V. V. Ursaki, and R. Cortes, ACS Applied Materials & Interfaces 2, 2083 (2010). 10.1021/am100334c
15. S. Z. Li, G. J. Fang, H. Long, X. M. Mo, H. H. Huang, B. Z. Dong, and X. Z. Zhao, Appl. Phys. Lett. 96, 201111 (2010). 10.1063/1.3431287
16. J. W. Sun, Y. M. Lu, Y. C. Liu, D. Z. Shen, Z. Z. Zhang, B. H. Li, J. Y. Zhang, B. Yao, D. X. Zhao, and X. W. Fan, J. Phys. D: Appl. Phys. 41, 155103 (2008). 10.1088/0022-3727/41/15/155103
17. H. Zhu, C. X. Shan, B. Yao, B. H. Li, J. Y. Zhang, Z. Z. Zhang, D. X. Zhao, D. Z. Shen, X. W. Fan, Y. M. Lu, and Z. K. Tang, Adv. Mater. 21, 1613 (2009). 10.1002/adma.200802907
18. J. B. You, X. W. Zhang, S. G. Zhang, J. X. Wang, Z. G. Yin, H. R. Tan, W. J. Zhang, P. K. Chu, B. Cui, A. M. Wowchak, A. M. Dabiran, and P. P. Chow, Appl. Phys. Lett. 96, 201102 (2010). 10.1063/1.3430039
19. S. G. Zhang, X. W. Zhang, J. X. Wang, J. B. You, Z. G. Yin, J. J. Dong, B. Cui, A. M. Wowchak, A. M. Dabiran, and P. P. Chow, Physica Status Solidi- Rapid Research Letters 5, 74 (2011). 10.1002/pssr.201004497
20. U. Kaufmann, M. Kunzer, H. Obloh, M. Maier, Ch. Manz, A. Ramakrishnan, and B. Santic, Phys. Rev. B 59, 5561 (1999). 10.1103/PhysRevB.59.5561
21. T. D. Veal, P. D. C. King, S. A. Hatfield, L. R. Bailey, C. F. McConville, B. Martel, J. C. Moreno, E. Frayssinet, F. Semond, and J. Ziga-Pérez, Appl. Phys. Lett. 93, 202108 (2008). 10.1063/1.3032911
22. Y. S. Choi, J. W. Kang, D. K. Hwang, and S. J. Park, IEEE Trans. Electron Devices 57, 26 (2010). 10.1109/TED.2009.2033769
23. F. D. Auret, S. A. Goodman, M. J. Legodi, W. E. Meyer, and D. C. Look, Appl. Phys. Lett. 80, 1340 (2002). 10.1063/1.1452781 (Pubitemid 34217602)
24. A. E. Rakhshani, J. Kokaj, J. Mathew, and B. Peradeep, Appl. Phys. A 86, 377 (2006). 10.1007/s00339-006-3785-8
25. G. F. Iriarte, J. G. Rodriguez, and F. Calle, Mater. Res. Bull. 45, 1039 (2010). 10.1016/j.materresbull.2010.05.035
26. V. A. Soltamov, I. V. llyin, A. A. Slotamova, E. N. Mokhov, and P. G. Baranov, J. Appl. Phys. 107, 113515 (2010). 10.1063/1.3432755
27. J. Y. Lee, J. H. Lee, H. S. Kim, C. H. Lee, H. S. Ahn, H. K. Cho, Y. Y. Kim, B. H. Kong, and H. S. Lee, Thin Solid Films 517, 5157 (2009). 10.1016/j.tsf.2009.03.028
28. H. C. Chen, M. J. Chen, M. K. Wu, W. C. Li, H. L. Tsai, J. R. Yang, H. Kuan, and M. Shiojiri, IEEE J. Quantum Electron. 46, 265 (2010). 10.1109/JQE.2009.2025250