Tunable control over the ionization state of single mn acceptors in GaAs with defect-induced band bending

Nano Letters

Volumn 11, Issue 5, 2011, Pages 2004-2007

  Lee, Dong Hun ^a   Gupta, Jay A ^a  

^a OHIO STATE UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

dopants in semiconductors; ionization; Scanning tunneling microscopy; scanning tunneling spectroscopy

Indexed keywords

ACCEPTOR LEVELS; BANDBENDING; DOPANTS IN SEMICONDUCTORS; GAAS; IONIZATION STATE; SCANNING TUNNELING MICROSCOPES; SCANNING TUNNELING SPECTROSCOPY; STM IMAGES; TUNABLE CONTROL;

ARSENIC; GALLIUM ALLOYS; GALLIUM ARSENIDE; MANGANESE; SCANNING; SCANNING TUNNELING MICROSCOPY; SEMICONDUCTING GALLIUM; SPECTROSCOPY; VACANCIES;

IONIZATION;

EID: 79955892968     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl2003686     Document Type: Article

References (21)

1. Asenov, A. IEEE Trans. Electron Devices 1998, 45 (12) 2505-2513
2. Shinada, T.; Okamoto, S.; Kobayashi, T.; Ohdomari, I. Nature 2005, 437 (7062) 1128-1131
3. Kuhn, K.; Kenyon, C.; Kornfeld, A.; Liu, M.; Maheshwari, A.; Shih, W.-K.; Sivakumar, S.; Taylor, G.; VanDerVoorn, P.; Zawadzki, K. Intel Technol. J. 2008, 12 (2) 93-109
4. Lansbergen, G. P.; Rahman, R.; Wellard, C. J.; Woo, I.; Caro, J.; Collaert, N.; Biesemans, S.; Klimeck, G.; Hollenberg, L. C. L.; Rogge, S. Nat. Phys. 2008, 4 (8) 656-661
5. Pierre, M.; Wacquez, R.; Jehl, X.; Sanquer, M.; Vinet, M.; Cueto, O. Nat. Nanotechnol. 2010, 5 (2) 133-137
6. Kane, B. E. Nature 1998, 393 (6681) 133-137
7. Tang, J. M.; Levy, J.; Flatte, M. E. Phys. Rev. Lett. 2006, 97 (10) 106803
8. Teichmann, K.; Wenderoth, M.; Loth, S.; Ulbrich, R. G.; Garleff, J. K.; Wijnheijmer, A. P.; Koenraad, P. M. Phys. Rev. Lett. 2008, 101 (7) 076103
9. Wijnheijmer, A. P.; Garleff, J. K.; Teichmann, K.; Wenderoth, M.; Loth, S.; Ulbrich, R. G.; Maksym, P. A.; Roy, M.; Koenraad, P. M. Phys. Rev. Lett. 2009, 102 (16) 166101
10. Marczinowski, F.; Wiebe, J.; Meier, F.; Hashimoto, K.; Wiesendanger, R. Phys. Rev. B 2008, 77 (11) 115318
11. Brar, V. W.; Decker, R.; Solowan, H.-M.; Wang, Y.; Maserati, L.; Chan, K. T.; Lee, H.; Girit, C. O.; Zettl, A.; Louie, S. G.; Cohen, M. L.; Crommie, M. F. Nat. Phys. 2011, 7, 43-47
12. Ebert, P. Surf. Sci. Rep. 1999, 33 (4-8) 121-303
13. Lee, D. H.; Gupta, J. A. Science 2010, 330 (6012) 1807-1810
14. Kitchen, D.; Richardella, A.; Tang, J. M.; Flatte, M. E.; Yazdani, A. Nature 2006, 442 (7101) 436-439
15. Tang, J. M.; Flatte, M. E. Phys. Rev. Lett. 2004, 92 (4) 047201
16. Strandberg, T. O.; Canali, C. M.; MacDonald, A. H. Phys. Rev. B 2010, 81 (5) 054401
17. Strandberg, T. O.; Canali, C. M.; MacDonald, A. H. Phys. Rev. Lett. 2011, 106 (1) 017202
18. Garleff, J. K.; Wijnheijmer, A. P.; Silov, A. Y.; van Bree, J.; Van Roy, W.; Tang, J. M.; Flatte, M. E.; Koenraad, P. M. Phys. Rev. B 2010, 82 (3) 035303
19. Marczinowski, F.; Wiebe, J.; Tang, J. M.; Flatte, M. E.; Meier, F.; Morgenstern, M.; Wiesendanger, R. Phys. Rev. Lett. 2007, 99 (15) 157202
20. Richardella, A.; Kitchen, D.; Yazdani, A. Phys. Rev. B 2009, 80 (4) 045318
21. Yang, J. J.; Pickett, M. D.; Li, X. M.; Ohlberg, D. A. A.; Stewart, D. R.; Williams, R. S. Nat. Nanotechnol. 2008, 3 (7) 429-433