Contact area lithography and pattern transfer of self-assembled organic monolayers on SiO2/Si substrates

Chemical Communications

Volumn 47, Issue 18, 2011, Pages 5145-5147

  Changdeuck, Bae ^a   Hyunchul, Kim ^b   Hyunjung, Shin ^b  

^a UNIVERSITY OF HAMBURG   (Germany)

^b Kookmin University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELASTOMER; METAL OXIDE; NANOFILM; NANOMATERIAL; SELF ASSEMBLED MONOLAYER; SILICON; SILICON DIOXIDE; SILOXANE;

ANALYTIC METHOD; ARTICLE; ATOMIC FORCE MICROSCOPY; CONCENTRATION (PARAMETERS); CONTACT AREA LITHOGRAPHY; ENZYME SUBSTRATE; HYDROPHILICITY; IMAGE ANALYSIS; NANOANALYSIS; THREE DIMENSIONAL IMAGING; TRANSPORT KINETICS;

EID: 79954574764     PISSN: 13597345     EISSN: 1364548X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1039/c1cc10283d     Document Type: Article

References (26)

1. Y. Xia, J. A. Rogers, K. E. Paul, G. M. Whitesides, Chem. Rev., 1999, 99, 1823.
2. B. D. Gates, Q. Xu, M. Stewart, D. Ryan, C. G. Willson, G. M. Whitesides, Chem. Rev., 2005, 105, 1171.
3. Y. Xia, G. M. Whitesides, Angew. Chem., Int. Ed., 1998, 37, 550.
4. R. D. Piner, J. Zhu, F. Xu, S. Hong, C. A. Mirkin, Science, 1999, 283, 661.
5. S. Y. Chou, P. R. Krauss, P. J. Renstrom, J. Vac. Sci. Technol., B, 1996, 14, 4129.
6. J. C. Hulteen, R. P. Van Duyne, J. Vac. Sci. Technol., A, 1995, 13, 1553.
7. W. R. Childs, R. G. Nuzzo, J. Am. Chem. Soc., 2002, 124, 13583.
8. A. Lewis, Y. Kheifetz, E. Shambrodt, A. Radko, E. Khatchatryan, C. Sukenik, Appl. Phys. Lett., 1999, 75, 2689.
9. K. S. Park, E. K. Seo, Y. R. Do, K. Kim, M. M. Sung, J. Am. Chem. Soc., 2006, 128, 2858.
10. C. Bae, H. Shin, J. Moon, M. M. Sung, Chem. Mater., 2006, 18, 1085.
11. J. M. McLellan, M. Geissler, Y. Xia, J. Am. Chem. Soc., 2004, 126, 10830.
12. Q. Q. Xu, R. M. Rioux, G. M. Whitesides, ACS Nano, 2007, 1, 215.
13. C. Bae, J. Moon, H. Shin, J. Kim, M. M. Sung, J. Am. Chem. Soc., 2007, 129, 14232.
14. L. M. Demers, D. S. Ginger, S.-J. Park, Z. Li, S.-W. Chung, C. A. Mirkin, Science, 2002, 296, 1836.
15. S. Onclin, B. J. Ravoo, D. N. Reinhoudt, Angew. Chem., Int. Ed., 2005, 44, 6282.
16. A. Kumar, G. M. Whitesides, Appl. Phys. Lett., 1993, 63, 2002.
17. Y. Xia, M. Mrksich, E. Kim, G. M. Whitesides, J. Am. Chem. Soc., 1995, 117, 9576.
18. P. M. St John, H. G. Craighead, Appl. Phys. Lett., 1996, 68, 1022.
19. D. Wang, S. G. Thomas, K. L. Wang, Y. Xia, G. M. Whitesides, Appl. Phys. Lett., 1997, 70, 1593.
20. K. Finnie, R. Haasch, R. G. Nuzzo, Langmuir, 2000, 16, 6968.
21. T. Komeda, K. Namba, Y. Nishioka, Appl. Phys. Lett., 1997, 70, 3398.
22. M. J. Lercel, G. F. Redinbo, F. D. Pardo, M. Rooks, R. C. Tiberio, P. Simpson, H. G. Craighead, C. W. Sheen, A. N. Parikh, D. L. Allara, J. Vac. Sci. Technol., B, 1994, 12, 3663.
23. R. L. Kubena, J. W. Ward, F. P. Stratton, R. J. Joyce, G. M. Atkinson, J. Vac. Sci. Technol., B, 1991, 9, 3079.
24. S. Kramer, R. R. Fuierer, C. B. Gorman, Chem. Rev., 2003, 103, 4367.
25. Y. Wang, M. Lieberman, Langmuir, 2003, 19, 1159.
26. B. Michel, A. Bernard, A. Bietsch, E. Delamarche, M. Geissler, D. Juncker, H. Kind, J.-P. Renault, H. Rothuizen, H. Schmid, P. Schmidt-Winkel, R. Stutz, H. Wolf, IBM J. Res. Dev., 2001, 34, 679.