Solution-based growth of ZnO nanorods for light-emitting devices: Hydrothermal vs. electrodeposition

Applied Physics B: Lasers and Optics

Volumn 100, Issue 4, 2010, Pages 851-858

  Ng, A M C ^a   Chen, X Y ^a   Fang, F ^a   Hsu, Y F ^a   Djurisic A B ^a   Ling, C C ^a   Tam, H L ^b   Cheah, K W ^b   Fong, P W K ^c   Lui, H F ^c   Surya, C ^c   Chan, W K ^a  

^a UNIVERSITY OF HONG KONG   (Hong Kong)

^b HONG KONG BAPTIST UNIVERSITY   (Hong Kong)

^c HONG KONG POLYTECHNIC UNIVERSITY   (Hong Kong)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DEPOSITION CONDITIONS; DEVICE PERFORMANCE; EMISSION SPECTRUMS; GROWTH METHOD; HYDROTHERMAL GROWTH; LIGHT EMITTING DEVICES; LOW TEMPERATURES; NANOROD GROWTH; REVERSE BIAS; SEED LAYER; VIOLET EMISSION; YELLOW EMISSIONS; ZNO NANOROD;

ELECTRODEPOSITION; EMISSION SPECTROSCOPY; GALLIUM NITRIDE; HETEROJUNCTIONS; LIGHT EMISSION; LIGHT EMITTING DIODES; ZINC OXIDE;

NANORODS;

EID: 79953843295     PISSN: 09462171     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1007/s00340-010-4173-9     Document Type: Article

References (46)

1. A. B. Djurišić, Y. H. Leung, Small 2, 944 (2006)
2. X.-M. Zhang, M.-Y. Lu, Y. Zhang, L.-J. Chen, Z. L. Wang, Adv. Mater. 21, 2767 (2009)
3. E. Lai, W. Kim, P. D. Yang, Nano Res. 1, 123 (2008)
4. S.-H. Hwang, T.-H. Chung, B.-T. Lee, Mat. Sci. Eng. B 157, 32 (2009)
5. T. P. Yang, H. C. Zhu, J. M. Bian, J. C. Sun, X. Dong, B. L. Zhang, H. W. Liang, X. P. Li, Y. G. Cui, G. T. Du, Mater. Res. Bull. 43, 3614 (2008)
6. R. Guo, J. Nishimura, M. Matsumoto, M. Higashihata, D. Nakamura, T. Okada, Appl. Phys. B 94, 33 (2009)
7. J. W. Sun, Y. M. Lu, Y. C. Liu, D. Z. Shen, Z. Z. Zhang, B. H. Li, J. Y. Zhang, B. Yao, D. X. Zhao, X. W. Fan, J. Phys. D, Appl. Phys. 41, 155103 (2008)
8. L. Zhao, C. S. Xu, Y. X. Liu, C. L. Shao, X. H. Li, Y. C. Liu, Appl. Phys. B 92, 185 (2008)
9. R. W. Chuang, R.-X. Wu, L.-W. Lai, C.-T. Lee, Appl. Phys. Lett. 91, 231113 (2007)
10. C. P. Chen, M. Y. Ke, C. C. Liu, Y. J. Chang, F. H. Yang, J. J. Huang, Appl. Phys. Lett. 91, 091107 (2007)
11. M.-C. Jeong, B.-Y. Oh, M.-H. Ham, S. W. Lee, J. M. Myong, Small 3, 568 (2007)
12. Ya. I. Alivov, J. E. Van Nostrand, D. C. Look, M. V. Chukichev, B. M. Ataev, Appl. Phys. Lett. 83, 2943 (2003)
13. W. I. Park, G.-C. Yi, Adv. Mater. 16, 87 (2004)
14. S.-H. Park, S.-H. Kim, S.-W. Han, Nanotechnology 18, 055608 (2007)
15. M.-C. Jeong, B.-Y. Oh, M.-H. Ham, J. M. Myong, Appl. Phys. Lett. 88, 202105 (2006)
16. D. J. Rogers, F. Hosseini Teherani, A. Yasan, K. Minder, P. Kung, M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 88, 141918 (2006)
17. H. Y. Xu, Y. C. Liu, Y. X. Liu, C. S. Xu, C. L. Shao, R. Mu, Appl. Phys. B 80, 871 (2005)
18. Q. Qin, L.-W. Guo, Z.-T. Zhou, H. Chen, X.-L. Du, Z.-X. Mei, J.-F. Jia, Q.-K. Xue, J.-M. Zhou, Chin. Phys. Lett. 22, 2298 (2005)
19. M. K. Wu, Y. T. Shih, W. C. Li, H. C. Chen, M. J. Chen, H. Kuan, J. R. Yang, M. Shiojiri, IEEE Photon. Technol. Lett. 20, 1772 (2008)
20. A. M. C. Ng, Y. Y. Xi, Y. F. Hsu, A. B. Djurišić, W. K. Chan, S. Gwo, H. L. Tam, K. W. Cheah, P. W. K. Fong, H. F. Lui, C. Surya, Nanotechnology 20, 445201 (2009)
21. I. E. Titkov, A. S. Zubrilov, L. A. Delimova, D. V. Mashovets, I. A. Liniicuk, I. V. Grekhov, Semiconductors 41, 564 (2007)
22. I. E. Titkov, L. A. Delimova, A. S. Zubrilov, N. V. Seredova, I. A. Liniicuk, I. V. Grekhov, J. Mod. Opt. 56, 653 (2009)
23. X. Y. Chen, A. M. C. Ng, F. Fang, A. B. Djurišić, W. K. Chan, H. L. Tam, K. W. Cheah, P. W. K. Fong, H. F. Lui, C. Surya, J. Electrochem. Soc. 157, H308 (2010)
24. S. H. Hwang, T. H. Chung, B. T. Lee, Mater. Sci. Eng. B 157, 32 (2009)
25. Y. F. Hsu, Y. Y. Xi, K. H. Tam, A. B. Djurišić, J. Luo, C. C. Ling, C. K. Cheung, A. M. C. Ng, W. K. Chan, X. Deng, C. D. Beling, S. Fung, K. W. Cheah, P. W. K. Fong, C. Surya, Adv. Func. Mater. 18, 1020 (2008)
26. L. E. Greene, M. Law, D. H. Tan, M. Montano, J. Goldberger, G. Somorjai, P. D. Yang, Nano Lett. 5, 1231 (2005)
27. J.-S. Huang, C.-F. Lin, J. Appl. Phys. 103, 014304 (2008)
28. L. E. Greene, M. Law, J. Goldberger, F. Kim, J. C. Johnson, Y. F. Zhang, R. J. Saykally, P. D. Yang, Angew. Chem. Int. Ed. 42, 3031 (2003)
29. J. Song, S. Lim, J. Phys. Chem. C 111, 596 (2007)
30. Y. F. Tao, M. Fu, A. L. Zhao, D. W. He, Y. S. Wang, J. Alloys Compd. 489, 99 (2010)
31. A. B. Djurišić, Y. H. Leung, K. H. Tam, Y. F. Hsu, L. Ding, W. K. Ge, Y. C. Zhong, K. S. Wong, W. K. Chan, H. L. Tam, K. W. Cheah, W. M. Kwok, D. L. Phillips, Nanotechnology 18, 095702 (2007)
32. I. M. Huygens, W. P. Gomes, K. Strubbe, J. Electrochem. Soc. 153, G72 (2006)
33. M. A. Reshchikov, H. Morkoç, J. Appl. Phys. 97, 061301 (2005)
34. K. K. Ng, Complete Guide to Semiconductor Devices (Wiley, New York, 2002)
35. G. Li, T. F. Zhou, D. D. Hu, Y. P. Pao, Y. Hou, X. G. Li, Appl. Phys. Lett. 91, 163114 (2007)
36. T. Phetchakul, H. Kimura, Y. Akiba, T. Kurosu, M. Iida, Jpn. J. Appl. Phys. 35, 4247 (1996)
37. I. Mora-Seró, F. Fabregat-Santiago, B. Denier, J. Bisquert, R. Tena-Zaera, C. Lévy-Clément, Appl. Phys. Lett. 89, 203117 (2006)
38. M. Law, L. E. Greene, J. C. Johnson, R. J. Saykally, P. D. Yang, Nat. Mater. 4, 455 (2005)
39. N. I. Bochkareva, E. A. Zhirnov, A. A. Efremov, Yu. T. Rebane, R. I. Gorbunov, A. V. Klochkov, D. A. Lavrinovich, Yu. G. Shreter, Semiconductors 39, 795 (2005)
40. D. C. Oh, T. Suzuki, J. J. Kim, H. Makino, T. Hanada, M. W. Cho, T. Yao, H. J. Ko, Appl. Phys. Lett. 87, 162104 (2005)
41. T. Nakayama, M. Murayama, J. Cryst. Growth 214/215, 299 (2000)
42. H. F. Liu, G. X. Hu, H. Gong, K. Y. Zang, H. F. Chua, J. Vac. Sci. Technol. A 26, 1462 (2008)
43. S.-K. Hong, T. Hanada, H. Makino, H.-J. Ko, Y. Chen, T. Yao, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 1429 (2001)
44. A. G. Milnes, D. L. Feucht, Heterojunctions and Metal-Semiconductor Junctions (Academic Press, New York, 1972)
45. P. L. Chen, X. Y. Ma, D. R. Yang, J. Appl. Phys. 101, 053103 (2007)
46. J. L. Zhao, S. T. Tan, S. Iwan, X. W. Sun, W. Liu, S. J. Chua, Appl. Phys. Lett. 94, 093506 (2009)