ZnO Thin Films Grown on Si(100) Substrates with Growth Interrupted Buffer Layers by Using Plasma-assisted Molecular beam Epitaxy

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 58, Issue 3, 2011, Pages 520-524

  Yim, Kwang Gug ^a   Cho, Min Young ^a   Jeon, Su Min ^a   Kim, Min Su ^a   Leem, Jae Young ^a  

^a Inje University   (South Korea)

Author keywords

Growth interruption; Molecular beam epitaxy; Photoluminescence; Scanning electron microscopy; X ray diffraction; Zinc oxide

Indexed keywords

EID: 79952851752     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.3938/jkps.58.520     Document Type: Article

References (30)

1. D. C. Reynolds, D. C. Look, B. Jogai, J. E. V. Nostrand, R. Jones and J. Jenny, Solid State Commun. 106, 701 (1998).
2. H. J. Egelhaaf and D. Oelkrug, J. Cryst. Growth 161, 190 (1996).
3. T. K. Subramanyam, B. S. Naidu and S. Uthanna, Cryst. Res. Technol. 35, 1193 (2000).
4. R. A. Asmar, J. P. Atanas, M. Ajaka, Y. Zaatar, G. Ferblantier and J. L. Sauvajol, J. Cryst. Growth 279, 394 (2005).
5. S. J. Henly, M. N. R. Ashfold and D. Cherns, Surf. Coat. Technol. 177, 271 (2004).
6. C. J. Youn, T. S. Jeong, M. S. Han and J. H. Kim, J. Cryst. Growth 261, 526 (2004).
7. J. H. Lee, K. H. Ko and B. O. Park, J. Cryst. Growth 247,119 (2003).
8. M. S. Kim et al., J. Korean Phys. Soc. 56, 827 (2010).
9. K. Miyamoto, M. Sano, H. Kato and T. Yao, Jpn. J. Appl. Phys. 41, 1203 (2002).
10. F. Xiu, Z. Yang, D. Zhao, J. Liu, K. A. Alim, A. A. Ba- landin, M. E. Itkis and R. C. Haddon, J. Cryst. Growth 286,61 (2006).
11. H. Y. Choi et al., J. Korean Phys. Soc. 57, 469 (1985).
12. J. T. Kelliher, A. E. Miller, N. Dietz, S. Habermehl, Y. L. Chen, Z. Lu, G. Lucovsky and K. J. Bachmann, Appl. Surf. Sci. 86, 453 (1995).
13. X. Wang, Y. Tomita, O.-H. Roh, M. Ohsugi, S.-B. Che, Y. Ishitani and A. Yoshikawa, Appl. Phys. Lett. 86, 011921 (2005).
14. S. S. Kim and B. T. Lee, Thin Solid Films 446, 307 (2004).
15. M. S. Kim et al., J. Cryst. Growth 311, 3568 (2009).
16. H. W. Kim and N. H. Kim, Mat. Sci. Semicon. Proc. 7, 1 (2004).
17. S. E. Sardari, A. A. Iliadis, M. Stamataki, D. Tsamakis and N. Konofaos, Solid-State Electron. 54, 1150 (2010).
18. J. Wang, L. Meng, Y. Qi, M. Li, G. Shi and M. Liu, J. Cryst. Growth 311, 2305 (2009).
19. P. Singh, A. Kumar, Deepak and D. Kaur, J. Cryst. Growth 306, 303 (2007).
20. M. L. Cui, X. M. Wu, L. J. Zhuge and Y. D. Meng, Vacuum 81, 899 (2007).
21. L. P. Schuler, M. M. Alkaisi, P. Miller, R. J. Reeves and A. Markwitz, Jpn. J. Appl. Phys. 44, 7555 (2005).
22. Z. Z. Zhi, Y. C. Liu, B. S. Li, X. T. Zhang, Y. M. Lu, D. Z. Shen and X. W. Fan, J. Phys. D: Appl. Phys. 36, 719 (2003).
23. W. J. Shen, J. Wang, Q. Y. Wang, Y. Duan and Y. P. Zeng, J. Phys. D: Appl. Phys. 39, 269 (2006).
24. X. Liu, X. Wu, H. Cao and R. P. H. Chang, J. Appl. Phys. 95, 3141 (2004).
25. C. J. Youn, T. S. Jeong, M. S. Han and J. H. Kim, J. Cryst. Growth 261, 526 (2004).
26. M. Liu, A. H. Kitai and P. Mascher, J. Lumin. 54, 35 (1992).
27. X. L. Wu, G. G. Siu, C. L. Fu and H. C. Ong, Appl. Phys. Lett. 78, 2285 (2001).
28. L. E. Greene, M. Law, J. Goldberger, F. Kim, J. C. Johnson, Y. Zhang, R. J. Saykally and P. Yang, Angew. Chem. Int. Ed. 42, 3031 (2003).
29. D. Li, Y. H. Leung, A. B. Djurišic, Z. T. Liu, M. H. Xie, S. L. Shi, S. J. Xu and W. K. Chan, Appl. Phys. Lett. 85,1601 (2004).
30. K. Vanheusden, W. L. Warren, C. H. Seager, D. R. Tal- lant, J. A. Voigt and B. E. Gnade, J. Appl. Phys. 79, 7983 (1996).