SCOPUS 정보 검색 플랫폼

Volumn 20, Issue 31, 2010, Pages 6416-6418

Fluoroalkylphosphonic acid self-assembled monolayer gate dielectrics for threshold-voltage control in low-voltage organic thin-film transistors

(10) Kraft, Ulrike a,b Zschieschang, Ute a Ante, Frederik a Kälblein, Daniel a Kamella, Claudia a Amsharov, Konstantin a Jansen, Martin a Kern, Klaus a,c Weber, Edwin b Klauk, Hagen a

a MAX PLANCK INSTITUT FÜR FESTKÖRPERFORSCHUNG (Germany)

b TU BERGAKADEMIE FREIBERG (Germany)

c EPFL (Switzerland)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINUM-GATE; ELECTRONWITHDRAWING; LOW-TEMPERATURE GATE DIELECTRIC; LOW-VOLTAGE; N-CHANNEL; ORGANIC THIN FILM TRANSISTORS; ORGANIC TRANSISTOR; PHOSPHONIC ACIDS; SUPPLY VOLTAGES;

DIGITAL INTEGRATED CIRCUITS; ELECTRON ENERGY LEVELS; GATE DIELECTRICS; GATES (TRANSISTOR); HYDROCARBONS; ORGANIC ACIDS; ORGANIC POLYMERS; THIN FILM TRANSISTORS; THRESHOLD VOLTAGE; VOLTAGE REGULATORS;

SELF ASSEMBLED MONOLAYERS;

EID: 77954967433 PISSN: 09599428 EISSN: 13645501 Source Type: Journal
DOI: 10.1039/c0jm01292k Document Type: Article

Times cited : (44)

References (29)

1
- 22944446145
- M. H. Yoon H. Yan A. Facchetti T. J. Marks J. Am. Chem. Soc. 2005 127 10388
- (2005) J. Am. Chem. Soc. , vol.127 , pp. 10388
- Yoon, M.H.¹ Yan, H.² Facchetti, A.³ Marks, T.J.⁴

2
- 33646426166
- S. Y. Yang S. H. Kim K. Shin H. Jeon C. E. Park Appl. Phys. Lett. 2006 88 173507
- (2006) Appl. Phys. Lett. , vol.88 , pp. 173507
- Yang, S.Y.¹ Kim, S.H.² Shin, K.³ Jeon, H.⁴ Park, C.E.⁵

3
- 33750734376
- S. H. Kim S. Y. Yang K. Shin H. Jeon J. W. Lee K. P. Hong C. E. Park Appl. Phys. Lett. 2006 89 183516
- (2006) Appl. Phys. Lett. , vol.89 , pp. 183516
- Kim, S.H.¹ Yang, S.Y.² Shin, K.³ Jeon, H.⁴ Lee, J.W.⁵ Hong, K.P.⁶ Park, C.E.⁷

4
- 66849129150
- M. E. Roberts N. Queralto S. C. B. Mannsfeld B. N. Reinecke W. Knoll Z. Bao Chem. Mater. 2009 21 2292
- (2009) Chem. Mater. , vol.21 , pp. 2292
- Roberts, M.E.¹ Queralto, N.² Mannsfeld, S.C.B.³ Reinecke, B.N.⁴ Knoll, W.⁵ Bao, Z.⁶

5
- 71949100282
- M. P. Walser W. L. Kalb T. Mathis B. Batlogg Appl. Phys. Lett. 2009 95 233301
- (2009) Appl. Phys. Lett. , vol.95 , pp. 233301
- Walser, M.P.¹ Kalb, W.L.² Mathis, T.³ Batlogg, B.⁴

6
- 33745216462
- C. S. Kim S. J. Jo S. W. Lee W. J. Kim H. K. Baik S. J. Lee D. K. Hwang S. Im Appl. Phys. Lett. 2006 88 243515
- (2006) Appl. Phys. Lett. , vol.88 , pp. 243515
- Kim, C.S.¹ Jo, S.J.² Lee, S.W.³ Kim, W.J.⁴ Baik, H.K.⁵ Lee, S.J.⁶ Hwang, D.K.⁷ Im, S.⁸

7
- 33845920334
- J. B. Koo J. W. Lim S. H. Kim S. J. Yun C. H. Ku S. C. Lim J. H. Lee Thin Solid Films 2007 515 3132
- (2007) Thin Solid Films , vol.515 , pp. 3132
- Koo, J.B.¹ Lim, J.W.² Kim, S.H.³ Yun, S.J.⁴ Ku, C.H.⁵ Lim, S.C.⁶ Lee, J.H.⁷

8
- 33846571443
- J. Tardy M. Erouel A. L. Deman A. Gagnaire V. Teodorescu M. G. Blanchin B. Canut A. Barau M. Zaharescu Microelectron. Reliab. 2007 47 372
- (2007) Microelectron. Reliab. , vol.47 , pp. 372
- Tardy, J.¹ Erouel, M.² Deman, A.L.³ Gagnaire, A.⁴ Teodorescu, V.⁵ Blanchin, M.G.⁶ Canut, B.⁷ Barau, A.⁸ Zaharescu, M.⁹

9
- 33846564502
- S. J. Yun J. B. Koo J. W. Lim S. H. Kim Electrochem. Solid-State Lett. 2007 10 H90
- (2007) Electrochem. Solid-State Lett. , vol.10 , pp. 90
- Yun, S.J.¹ Koo, J.B.² Lim, J.W.³ Kim, S.H.⁴

10
- 40749147709
- M. F. Chang P. T. Lee S. P. McAlister A. Chin IEEE Electron Device Lett. 2008 29 215
- (2008) IEEE Electron Device Lett. , vol.29 , pp. 215
- Chang, M.F.¹ Lee, P.T.² McAlister, S.P.³ Chin, A.⁴

11
- 16344366005
- M. H. Yoon A. Facchetti T. J. Marks Proc. Natl. Acad. Sci. U. S. A. 2005 102 4678
- (2005) Proc. Natl. Acad. Sci. U. S. A. , vol.102 , pp. 4678
- Yoon, M.H.¹ Facchetti, A.² Marks, T.J.³

12
- 45249101747
- S. A. DiBenedetto D. Frattarelli M. A. Ratner A. Facchetti T. J. Marks J. Am. Chem. Soc. 2008 130 7528
- (2008) J. Am. Chem. Soc. , vol.130 , pp. 7528
- Dibenedetto, S.A.¹ Frattarelli, D.² Ratner, M.A.³ Facchetti, A.⁴ Marks, T.J.⁵

13
- 53749099717
- B. H. Lee K. H. Lee S. Im M. M. Sung Org. Electron. 2008 9 1146
- (2008) Org. Electron. , vol.9 , pp. 1146
- Lee, B.H.¹ Lee, K.H.² Im, S.³ Sung, M.M.⁴

14
- 68249135091
- S. A. DiBenedetto D. Frattarelli A. Facchetti M. A. Ratner T. J. Marks J. Am. Chem. Soc. 2009 131 11080
- (2009) J. Am. Chem. Soc. , vol.131 , pp. 11080
- Dibenedetto, S.A.¹ Frattarelli, D.² Facchetti, A.³ Ratner, M.A.⁴ Marks, T.J.⁵

15
- 65249086174
- Y. G. Ha A. Facchetti T. J. Marks Chem. Mater. 2009 21 1173
- (2009) Chem. Mater. , vol.21 , pp. 1173
- Ha, Y.G.¹ Facchetti, A.² Marks, T.J.³

16
- 17944367960
- M. J. Panzer C. R. Newman C. D. Frisbie Appl. Phys. Lett. 2005 86 103503
- (2005) Appl. Phys. Lett. , vol.86 , pp. 103503
- Panzer, M.J.¹ Newman, C.R.² Frisbie, C.D.³

17
- 33744478191
- M. J. Panzer C. D. Frisbie Adv. Funct. Mater. 2006 16 1051
- (2006) Adv. Funct. Mater. , vol.16 , pp. 1051
- Panzer, M.J.¹ Frisbie, C.D.²

18
- 33747058498
- A. S. Dhoot J. D. Yuen M. Heeney I. McCulloch D. Moses A. J. Heeger Proc. Natl. Acad. Sci. U. S. A. 2006 103 11834
- (2006) Proc. Natl. Acad. Sci. U. S. A. , vol.103 , pp. 11834
- Dhoot, A.S.¹ Yuen, J.D.² Heeney, M.³ McCulloch, I.⁴ Moses, D.⁵ Heeger, A.J.⁶

19
- 84988044894
- J. H. Cho J. Lee Y. Xia B. Kim Y. He M. J. Renn T. P. Lodge C. D. Frisbie Nat. Mater. 2008 7 900
- (2008) Nat. Mater. , vol.7 , pp. 900
- Cho, J.H.¹ Lee, J.² Xia, Y.³ Kim, B.⁴ He, Y.⁵ Renn, M.J.⁶ Lodge, T.P.⁷ Frisbie, C.D.⁸

20
- 67649184909
- J. Lee L. G. Kaake J. H. Cho X. Y. Zhu T. P. Lodge C. D. Frisbie J. Phys. Chem. C 2009 113 8972
- (2009) J. Phys. Chem. C , vol.113 , pp. 8972
- Lee, J.¹ Kaake, L.G.² Cho, J.H.³ Zhu, X.Y.⁴ Lodge, T.P.⁵ Frisbie, C.D.⁶

21
- 33847111592
- H. Klauk U. Zschieschang J. Pflaum M. Halik Nature 2007 445 745
- (2007) Nature , vol.445 , pp. 745
- Klauk, H.¹ Zschieschang, U.² Pflaum, J.³ Halik, M.⁴

22
- 47249159799
- P. H. Wöbkenberg J. Ball F. B. Kooistra J. C. Hummelen D. M. deLeeuw D. D. C. Bradley T. D. Anthopoulos Appl. Phys. Lett. 2008 93 013303
- (2008) Appl. Phys. Lett. , vol.93 , pp. 013303
- Wöbkenberg, P.H.¹ Ball, J.² Kooistra, F.B.³ Hummelen, J.C.⁴ Deleeuw, D.M.⁵ Bradley, D.D.C.⁶ Anthopoulos, T.D.⁷

23
- 41049104060
- H. Ma O. Acton G. Ting J. W. Ka H. L. Yip N. Tucker R. Schofield A. K. Y. Jen Appl. Phys. Lett. 2008 92 113303
- (2008) Appl. Phys. Lett. , vol.92 , pp. 113303
- Ma, H.¹ Acton, O.² Ting, G.³ Ka, J.W.⁴ Yip, H.L.⁵ Tucker, N.⁶ Schofield, R.⁷ Jen, A.K.Y.⁸

24
- 41849113438
- U. Zschieschang M. Halik H. Klauk Langmuir 2008 24 1665
- (2008) Langmuir , vol.24 , pp. 1665
- Zschieschang, U.¹ Halik, M.² Klauk, H.³

25
- 33846253563
- E. Cantatore T. C. T. Geuns G. H. Gelinck E. van Veenendaal A. F. A. Gruijthuijsen L. Schrijnemakers S. Drews D. M. de Leeuw IEEE J. Solid-State Circuits 2007 42 84
- (2007) IEEE J. Solid-State Circuits , vol.42 , pp. 84
- Cantatore, E.¹ Geuns, T.C.T.² Gelinck, G.H.³ Van Veenendaal, E.⁴ Gruijthuijsen, A.F.A.⁵ Schrijnemakers, L.⁶ Drews, S.⁷ De Leeuw, D.M.⁸

26
- 2342639588
- S. Kobayashi T. Nishikawa T. Takenobu S. Mori T. Shimoda T. Mitani H. Shimotani N. Yoshimoto S. Ogawa Y. Iwasa Nat. Mater. 2004 3 317
- (2004) Nat. Mater. , vol.3 , pp. 317
- Kobayashi, S.¹ Nishikawa, T.² Takenobu, T.³ Mori, S.⁴ Shimoda, T.⁵ Mitani, T.⁶ Shimotani, H.⁷ Yoshimoto, N.⁸ Ogawa, S.⁹ Iwasa, Y.¹⁰

27
- 20744459761
- K. P. Pernstich S. Haas D. Oberhoff C. Goldmann D. J. Gundlach B. Batlogg A. N. Rashid G. Schitter J. Appl. Phys. 2004 96 6431
- (2004) J. Appl. Phys. , vol.96 , pp. 6431
- Pernstich, K.P.¹ Haas, S.² Oberhoff, D.³ Goldmann, C.⁴ Gundlach, D.J.⁵ Batlogg, B.⁶ Rashid, A.N.⁷ Schitter, G.⁸

28
- 0242573676
- M. J. Pellerite T. D. Dunbar L. D. Boardman E. J. Wood J. Phys. Chem. B 2003 107 11726
- (2003) J. Phys. Chem. B , vol.107 , pp. 11726
- Pellerite, M.J.¹ Dunbar, T.D.² Boardman, L.D.³ Wood, E.J.⁴

29
- 0033075199
- L. B. Goetting T. Deng G. M. Whitesides Langmuir 1999 15 1182
- (1999) Langmuir , vol.15 , pp. 1182
- Goetting, L.B.¹ Deng, T.² Whitesides, G.M.³

* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.