The role of high-κTiHfO gate dielectric in sputtered ZnO thin-film transistors

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 49, Issue 4 PART 2, 2010, Pages

  Su, Nai Chao ^a   Wang, Shui Jinn ^a   Huang, Chin Chuan ^a   Chen, Yu Han ^a   Huang, Hao Yuan ^a   Chiang, Chen Kuo ^a   Wu, Chien Hung ^a   Chin, Albert ^b  

^a NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CO-SPUTTERING TECHNIQUES; DEVICE OPERATIONS; DISPLAY APPLICATION; ELECTRONIC PERFORMANCE; FIELD-EFFECT MOBILITIES; LOW POWER; ON/OFF CURRENT RATIO; SUBTHRESHOLD SWING; ZNO;

GATE DIELECTRICS; GATES (TRANSISTOR); HAFNIUM; HAFNIUM OXIDES; SEMICONDUCTING ORGANIC COMPOUNDS; THRESHOLD VOLTAGE; TITANIUM; TITANIUM OXIDES; ZINC OXIDE;

THIN FILM TRANSISTORS;

EID: 77952737035     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.49.04DA12     Document Type: Article

References (26)

1. E. Fortunato, A. Goncalves, A. Pimentel, P. Barquinha, G. Goncalves, L. Pereira, I. Ferreira, and R. Martins: Appl. Phys. A 96 (2009) 197.
2. E. Fortunato, P. Barquinha, A. Pimentel, A. Goncalves, A. Marques, L. Pereira, and R. Martins: Thin Solid Films 487 (2005) 205.
3. S. Masuda, K. Kitamura, Y. Okumura, and S. Miyatake: J. Appl. Phys. 93 (2003) 1624.
4. C. C. Liu, Y. S. Chen, and J. J. Huang: Electron. Lett. 42 (2006) 824.
5. P. F. Carcia, R. S. Mclean, M. H. Reilly, and G. Nunes, Jr.: Appl. Phys. Lett. 82 (2003) 1117.
6. J. Jo, O. Seo, E. Jeong, H. Seo, B. Lee, and Y. I. Choi: Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) 2493.
7. B. Y. Oh, M. C. Jeong, M. H. Ham, and J. M. Myoung: Semicond. Sci. Technol. 22 (2007) 608.
8. J. Jo, O. Seo, H. Choi, and B. Lee: Appl. Phys. Express 1 (2008) 041202.
9. R. Navamathavan, E. J. Yang, J. H. Lim, D. K. Hwang, J. Y. Oh, J. H. Yang, J. H. Jang, and S. J. Park: J. Electrochem. Soc. 153 (2006) G385.
10. K. Remashan, D. K. Hwang, S. J. Park, and J. H. Jang: Jpn. J. Appl. Phys. 47 (2008) 2848.
11. H. H. Hsieh and C. C. Wu: Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 013502.
12. M. S. Oh, D. K. Hwang, K. Lee, S. Im, and S. Yi: Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 173511.
13. S. H. K. Park, C. S. Hwang, H. Y. Jeong, H. Y. Chu, and K. I. Cho: Electrochem. Solid-State Lett. 11 (2008) H10.
14. J. Sun, D. A. Mourey, D. Zhao, S. K. Park, S. F. Nelson, D. H. Levy, D. Freeman, P. Cowdery-Corvan, L. Tutt, and T. N. Jackson: IEEE Electron Device Lett. 29 (2008) 721.
15. K. Lee, J. H. Kim, S. Im, C. S. Kim, and H. K. Baik: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 133507.
16. S. H. Cha, M. S. Oh, K. H. Lee, S. Im, B. H. Lee, and M. M. Sung: Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 023506.
17. K. Lee, K. Kim, K. H. Lee, G. Lee, M. S. Oh, J.-M. Choi, S. Im, S. Jang, and E. Kim: Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 193514.
18. H. J. H. Chen and B. B. L. Yeh: Jpn. J. Appl. Phys. 48 (2009) 031103.
19. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony: J. Appl. Phys. 89 (2001) 5243.
20. K. C. Chiang, C. C. Huang, A. Chin, W. J. Chen, H. L. Kao, M. Hong, and J. Kwo: Symp. VLSI Technology Dig., 2006, p. 102.
21. K. C. Chiang, A. Chin, C. H. Lai, W. J. Chen, C. F. Cheng, B. F. Hung, and C. C. Liao: Symp. VLSI Technology Dig., 2005, p. 62.
22. K. C. Chiang, C. C. Huang, H. C. Pan, C. N. Hsiao, J. W. Lin, I. J. Hsieh, C. H. Cheng, C. P. Chou, A. Chin, H. L. Hwang, and S. P. McAlister: J. Electrochem. Soc. 154 (2007) G54.
23. C. H. Cheng, K. C. Chiang, H. C. Pan, C. N. Hsiao, C. P. Chou, S. P. McAlister, and A. Chin: Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) 7300.
24. C. H. Cheng, H. C. Pan, C. C. Huang, C. P. Chou, C. N. Hsiao, J. Hu, M. Hwang, T. Arikado, S. P. McAlister, and A. Chin: IEEE Electron Device Lett. 29 (2008) 1105.
25. Y. Kuo: Thin Film Transistors-Materials and Processes (Kluwer Academic, Norwell, NA, 2004) Vol.1, Chap. 2, p. 32.
26. Y. Taur and T. H. Ning: Fundamentals of Modern VLSI Devices (Cambridge University Press, Cambridge, U.K., 1998) 2nd ed., Chap. 3.