Thermal leakage improvement by using a high-work-function Ni electrode in high-κ TiHfO metal-insulator-metal capacitors

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 154, Issue 3, 2007, Pages

  Chiang, K C ^a   Huang, C C ^a   Pan, H C ^b   Hsiao, C N ^b   Lin, J W ^a   Hsieh, I J ^a   Cheng, C H ^a   Chou, C P ^a   Chin, A ^a   Hwang, H L ^c   McAlister, S P ^d  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b INSTRUMENT TECHNOLOGY RESEARCH CENTER   (Taiwan)

^c NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

^d NATIONAL RESEARCH COUNCIL CANADA   (Canada)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CAPACITORS; ELECTROCHEMICAL ELECTRODES; ENERGY GAP; METAL INSULATOR BOUNDARIES; MULTILAYERS;

BAND OFFSET; LAMINATE STRUCTURES; RADIO FREQUENCY INTEGRATED CIRCUITS; THERMAL LEAKAGE CURRENTS;

LEAKAGE CURRENTS;

EID: 33846975485     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2422874     Document Type: Article

References (24)

1. H. Hu, S. J. Ding, H. F. Lim, C. Zhu, M. F. Li, S. J. Kim, X. F. Yu, J. H. Chen, Y. F. Yong, B. J. Cho, D S. H. Chan, S. C. Rustagi, M. B. Yu, C. H. Tung, A. Du, D. My, P. D. Fu, A. Chin, and D. L. Kwong, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2003, 379.
2. S. J. Kim, B. J. Cho, M. B. Yu, M.-F. Li, Y.-Z. Xiong, C. Zhu, A. Chin, and D. L. Kwong, VLSI Technical Digest, p. 56-57 (2005).
3. K. C. Chiang, A. Chin, C. H. Lai, W. J. Chen, C. F. Cheng, B. F. Hung, and C. C. Liao, VLSI Technical Digest, p. 62-63 (2005).
4. K. C. Chiang, C. C. Huang, A. Chin, W. J. Chen, S. P. McAlister, H. F. Chiu, J. R. Chen, and C. C. Chi, IEEE Electron Device Lett., 26, 504 (2005).
5. K. C. Chiang, C. H. Lai, A. Chin, T. J. Wang, H. F. Chiu, J. R. Chen, S. P. McAlister, and C. C. Chi, IEEE Electron Device Lett., 26, 728 (2005).
6. K. C. Chiang, C. C. Huang, A. Chin, W. J. Chen, H. L. Kao, M. Hong, and J. Kwo, VLSI Technical Digest, p. 126-127 (2006).
7. C. H. Lai, A. Chin, H. L. Kao, K. M. Chen, M. Hong, J. Kwo, and C. C. Chi, VLSI Technical Digest, p. 54-55 (2006).
8. Y. K. Jeong, S. J. Won, D. K. Jwon, M. W. Song, W. H. Kim, O. H. Park, J. H. Jeong, H. S. Oh, H. K. Kang, and K. P. Suh, VLSI Technical Digest, p. 222-223 (2004).
9. C. H. Huang, D. S. Yu, A. Chin, W. J. Chen, C. X. Zhu, M.-F. Li, B. J. Cho, and D. L. Kwong, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2003, 319.
10. K.-S. Tan, S. Kiriake, M. de Wit, J. W. Fattaruso, C.-Y. Tsay, W. E. Mattthews, and R. K. Hester, IEEE J. Solid-State Circuits, 25, 1318 (1990).
11. The International Technology Roadmap for Semiconductors, Semiconductor Industry Association, San Jose, CA (2003).
12. S. B. Chen, J. H. Lai, K. T. Chan, A. Chin, J. C. Hsieh, and J. Liu, IEEE Electron Device Lett., 23, 203 (2002).
13. C. H. Huang, M. Y. Yang, A. Chin, C. X. Zhu, M. F. Li, and D. L. Kwong, IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., 1, 507 (2003).
14. S. Blonkowski, M. Regache, and A. Halimaou, J. Appl. Phys., 90, 1501 (2001).
15. C. Zhu, H. Hu, X. Yu, S. J. Kim, A. Chin, M. F. Li, B. J. Cho, and D. L. Kwong, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2003, 879.
16. M. A. Lampert and P. Mark, Current Injection in Solids, Academic Press, New York (1970).
17. K. Kao and W. Hwang, Electrical Transport in Solids, Pergamon Press, New York (1981).
18. D. Lamp, Electrical Conduction Mechanisms in Thin Insulating Films, IEEE (1967).
19. Q. Fang, J. Y. Zhang, Z. M. Wang, J. X. Wu, B. J. O'Sullivan, P. K. Hurley, T. L. Leedham, H. Davies, M. A. Audier, C. Jimenez, J. P. Senateur, and W. Boyd, Thin Solid Films, 428, 263 (2003).
20. A. Palil, Handbook of Optical Constants, Academic Press, New York (1985).
21. X. Yu, C. Zhu, H. Hu, A. Chin, M. F. Li, B. J. Cho, D.-L. Kwong, P. D. Foo, and M. B. Yu, IEEE Electron Device Lett., 24, 63 (2003).
22. S. J. Kim, B. J. Cho, M.-F. Li, C. Zhu, A. Chin, and D. L. Kwong, VLSI Technical Digest, p. 77-78 (2003).
23. K. C. Chiang, C. C. Huang, A. Chin, G. L. Chen, W. J. Chen, Y. H. Wu, and S. P. McAlister, IEEE Trans. Electron Devices, 53, 2312 (2006).
24. S. J. Ding, H. Hu, C. Zhu, S. J. Kim, X. Yu, M. F. Li, B. J. Cho, S. H. Chan, M. B. Yu, S. C. Rustagi, A. Chin, and D. L. Kwong, IEEE Trans. Electron Devices, 51, 886 (2004).