Analysis of the electronic structure of modified CuGaS2 with selected substitutional impurities: Prospects for intermediate-band thin-film solar cells based on Cu-containing chalcopyrites

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 114, Issue 6, 2010, Pages 2756-2763

  Tablero, C ^a   Marrón, D Fuertes ^a  

^a INSTITUTO DE ENERGÍA SOLAR   (Spain)

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ATOMIC IMPURITIES; FIRST-PRINCIPLES; HIGH CONCENTRATION; INTERMEDIATE BANDS; INTERMEDIATE-BAND SOLAR CELLS; MAIN GAP; MATRIX; POTENTIAL APPLICATIONS; SECONDARY PHASIS; SPINTRONIC MATERIALS; SUBSTITUTIONAL IMPURITIES; THIN-FILM SOLAR CELLS;

CHALCOGENIDES; CONVERSION EFFICIENCY; COPPER; COPPER COMPOUNDS; DENSITY FUNCTIONAL THEORY; ELECTRONIC PROPERTIES; ELECTRONIC STRUCTURE; ENERGY CONVERSION; IMPURITIES; MAGNETIC SEMICONDUCTORS; SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS; SOLAR CELLS; SUBSTITUTION REACTIONS; THIN FILM DEVICES;

SOLAR ENERGY;

EID: 77249177096     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp909895q     Document Type: Article

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