Chemical vapor deposition of TiSi nanowires on C54 TiSi2 thin film: An amorphous titanium silicide interlayer assisted nanowire growth

Chemistry of Materials

Volumn 21, Issue 22, 2009, Pages 5388-5396

  Lin, Huang Kai ^a   Cheng, Hsin An ^a   Lee, Chi Young ^b   Chiu, Hsin Tien ^a  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

FIELD EMISSION PROPERTY; FIELD ENHANCEMENT FACTOR; GROWTH DIRECTIONS; KEY FACTORS; LIQUID THIN FILM; NANOWIRE GROWTH; SI SUBSTRATES; TITANIUM SILICIDE; TURN-ON FIELD;

AMORPHOUS FILMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ELECTRIC WIRE; FIELD EMISSION; NANOWIRES; SILICIDES; THIN FILM DEVICES; THIN FILMS; TITANIUM; TITANIUM COMPOUNDS;

FILM GROWTH;

EID: 72149097334     PISSN: 08974756     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/cm901726s     Document Type: Article

References (77)

1. Maex, K.; Kossum, M. V. Properties of Metal Silicides; IEE: London, 1995.
2. (2} Murarka, S. P.; Fraser, D. B. J. Appl. Phys. 1980, 51, 350.
3. Murarka, S. P. Silicides for VLSI Applications; Academic Press: Orlando, FL, 1983.
4. Bucher, E.; Schultz, S.; Lux-Steiner, M. C.; Munz, P.; Gubler, U. G. F. Appl. Phys. A 1986, 40, 71.
5. Xiang, B.; Wang, Q.-X.; Wang, Z.; Zhang, X.-Z.; Liu, L.-Q.; Xu, J.; Yu, D.-P. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 243103.
6. Chang, C.-M.; Chang, Y.-C.; Lee, C.-Y.; Yen, P.-H.; Lee, W.-F.; Chen, L.-J. J. Phys. Chem. C 2009, 113, 9153.
7. Riley, D. J.; Mann, M.; MacLaren, D. A.; Dastoor, P. C.; Allison, W. Nano Lett. 2003, 3, 1455.
8. Singh, J. P.; Karabacak, T.; Lu, T. M.; Wang, G. C.; Koratkar, N. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 3226.
9. Ritterskamp, P.; Kuklya, A.; Wustkamp, M.-A.; Kerpen, K.; Weidenthaler, C.; Demuth, M. Angew. Chem. Int. Ed. 2007, 46, 7770.
10. Li, Q.; Lu, G. Catal. Lett. 2008, 125, 376.
11. Massalski, T. B.; Okamoto, H.; Subramanian, P. R.; Kacprzak, L. Binary Alloy Phase Diagrams; American Society for Metals: Metals Park, OH, 1990.
12. Beyers, R.; Sinclair, R. J. Appl. Phys. 1985, 57, 5240.
13. Murarka, S. P.; Fraser, D. B. Appl. Phys. 1980, 51, 342.
14. Mann, R. W.; Clevenger, L. A. J. Electrochem. Soc. 1994, 141, 1347.
15. Willams, J. J.; Akinc, M. Oxid. Met. 2002, 58, 57.
16. Zhang, L.; Wu, J. Acta Mater. 1998, 46, 3535.
17. Shah, D. M.; Berczik D.; Anton, D. L.; Hecht, R. Mater. Sci. Eng. A 1992 155 45.
18. Yen, B. K.; Aizawa, T.; Kihara, J. J. Am. Ceram. Soc. 1998, 81, 1953.
19. Doppiu, S.; Monagheddu, M.; Cocco, G. J. Mater. Res. 2001, 16, 1266.
20. Bentini, G. G.; Nipoti, R.; Armigliato, A.; Berti, M.; Drigo, A. V.; Cohen, C. J. Appl. Phys. 1985, 57, 270.
21. Clevenger, L. A.; Cabral, C.; Roy, R. A.; Lavoie, C.; JordanSweet, J.; Brauer, S.; Morales, G.; Ludwig, K. F.; Stephenson, G. B. Thin Solid Films 1996, 289, 220.
22. Wakelkamp, W. J. J.; Loo, F. J. J. V.; Metselaar, R. J. Eur. Ceram. Soc. 1991, 8, 135.
23. Cockeram, B.; Wang, G. Thin Solid Films 1995, 269, 57.
24. Ramos, A. S.; Nunes, C. A.; Coelho, G. C. Mater. Charact. 2006, 56, 107.
25. Fouad, O. A.; Yamazato, M.; Nagano, M. Appl. Surf. Sci. 2002, 195, 130.
26. Brukl, C.; Nowotny, H.; Schob, O.; Benesovsky, F. Monatsh. Chem. 1961, 92, 781.
27. Samsonov, G. V.; Okhremchuk, L. N.; Podgrushko, N. F.; Podchernyaeva, I. A.; Fomenko, V. S. Inorg. Mater. 1976, 12, 720.
28. Kosolapova, T. Y. Handbook of High Temperature Compounds: Properties, Production, Applications; Hemisphere Publishing Corporation: New York, 1990.
29. Chopra, K. L. Thin Film Phenomena; McGraw-Hill: New York, 1969.
30. Hoffman, D. W.; Thronton, J. A. Thin Solid Films 1977, 40, 355.
31. Yim, W. M.; Stotko, E. J. Electrochem. Soc. 1974, 121, 965.
32. Hallais, J. P.; Boccon-Gibod, D.; Chane, J. P.; Durand J. Electroctem. Soc. 1977, 124, 1290.
33. Lacombe J.; Duchemin, J. P.; Bonnet, M.; Huyghe, D. Electron. Lett. 1977, 13, 472.
34. Du, J.; Du, P.-Y.; Hao, P.; Huang, Y.-F.; Ren, Z.-D.; Han, G.-R.; Weng, W.-J.; Zhao, G.-L. J. Phys. Chem. C 2007, 111, 10814.
35. Du, J.; Ren, Z.-D.; Tao, K.-Y.; Hu, A.-H.; Hao, P.; Huang, Y.-F.; Zhao, G.-L.; Weng, W.-J.; Han, G.-R.; Du, P.-Y. Cryst. Growth Des. 2008, 8, 3543.
36. Lin, H.-K.; Tzeng, Y.-F.; Wang, C-H.; Tai, N.-H.; Lin, I.-N.; Lee, C.-Y.; Chiu, H.-T. Chem. Mater. 2008, 20, 2429.
37. Zhou, S.; Liu, X.-H.; Lin, Y.-J.; Wang, D.-W. Angew. Chem., Int. Ed. 2008, 47, 7681.
38. Zhou, S.; Liu, X.-H.; Lin, Y.-J.; Wang, D.-W. Chem. Mater. 2009, 21, 1023.
39. In, J.; Seo, K.; Lee, S.; Yoon, H.; Park, J.; Lee, G.; Kim, B. J. Phys. Chem. C 2009, 113, 12996.
40. Seo, K.; Varadwaj, K. S. K.; Cha, D.; In, J.; Kim, J.; Park, J.; Kim, B. J. phys. Chem. C 2007, 111, 9072.
41. Szczech, J. R.; Schmmitt, A. L.; Bierman, M. J.; Jin, S. Chem. Mater. 2007, 19, 3238.
42. Zhou, F.; Szczech, J.; Pettes, M. T.; Moore, A. L.; Jin, S.; Shi, L. Nano Lett. 2007, 7, 1649.
43. Higgins, J. M.; Schmitt, A. L.; Guzei, L. A.; Jin, S. J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 16086.
44. Ham, M.-H.; Lee, J.-W.; Moon, K.-J.; Choi, J.-H.; Myoung, J.-M. J. phys. Chem. C 2009, 113, 8143.
45. Quyang, L.; Thrall, E. S.; Deshmukh, M. M.;Park, H. Adv. Mater. 2006, 18, 1437.
46. Schmitt, A. L.; Bierman, M. J.; Schmeisser, D.; Himpsel, F. J.; Jin, S. Nano Lett. 2006, 6, 1617.
47. Varadwaj, K. S. K.; Seo, K. I., J.; Mohanty, P.; Park, J.; Kim, B. J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 8594.
48. Schmitt, A. L.; Zhu, L.; Schmeiber, D.; Himpsel, F. J.; Jin, S. J. phys. Chem. B 2006, 110, 18142.
49. Seo, k.; Varadwaj, K. S. K.; Mohanty, P.; Lee, S.; Jo, Y.; Jung, M.-H.; Kim, J.; Kim, B. Nano Lett. 2007, 7, 1240.
50. Seo, K.; Lee, S.; Yoon, H.; In, J.; Varadwaj, K. S. K.; Jo, Y.; Jung, M. H.; Kim, J.; Kim, B. ACS Nano 2009, 3, 1145.
51. Decker, C. A.; Solanki, R.; Freeouf, J. L.; Carruthers, J. R.; Evans, D. R. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 1389.
52. Kim, J.; Anderson, W. A. Thin Solid Films 2005, 483, 60.
53. Kim, J.; Anderson, W. A.; Song, Y. J.; Kim, G. B. Appl. Phys. Lett. 2005, 50, 253101.
54. Song, Y.; Jin, S. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 173122.
55. Song, Y.; Schmitt A. L.; Jin, S. Nano Lett. 2007, 7, 965.
56. Kim, C.-J.; Kang, K.; Woo, Y. S.; Ryu, K.-G.; Moon, H.; Kim, J.-M.; Zang, D.-S.; Jo, M.-H. Adv. Mater. 2007, 19, 3637.
57. Kim, J.; Shin, D. H.; Lee, E.-S.; Han, C.-S.; Park, Y. C. Appl. Phys. Lett.2007, 90, 253103.
58. Kang, K.; Kim, S.-K.; Kim, C.-J.; Jo, M.-H. Nano Lett. 2008, 8, 431.
59. Lee, C. Y.; Lu, M. P.; Liao, K. F.; Lee, W. F.; Huang, C. T.; Chen, S. Y.; Chen, L. J. J. phys. Chem. C 2009, 113, 2286.
60. Chueh, Y.-L.; Ko M.-T.; Chou, L.-J.; Chen, L.-J.; Wu, C.-S.; Chen, C.-D. Nano Lett. 2006, 6, 1637.
61. Weaver, L. Microsc. Res. Tech. 1997, 36, 368.
62. Lee. C.-Y. Chem. Vap. Deposition 1999, 5, 69.
63. Wagner, R. S.; Ellis, W. C. Appl. Phys. Lett. 1964, 4, 89.
64. Reynolds, G. J.; Cooper, C.B.; Faczl, P. J. Appl. Phys. 1989, 65, 3212.
65. Southwell, R. P.; Seebauer, E. G. J. Vac. Sci. Technol., A 1995, 71, 5918.
66. Mendicino, M. A.; Seebauer, E. G. J. Electrochem, Soc. 1993, 140, 1786.
67. Chen, L. J. Mater. Sci. Eng., R 2000, 29, 115.
68. Southwell, R. P.; Seebauer, E. G. J. Electrochem. Soc. 1997, 144, 2122.
69. Luo, J. Crit. Rev. Solid State 2007, 32, 67.
70. Wang, M. H.; Chen, L. J. Appl. Phys. Lett. 1991, 59, 2460.
71. Gossmann, H. J.; Rafferty, C. S.; Luftman, H. S.; Unterwald, F. C.; Boone, T.; Poate, J. M. Appl. Phys. Lett. 1993, 63.
72. Reaction-Web, Facility for the Analysis of Chemical Thermodynamics; CRCT, Ecole Polytechnique de Montréal, Montréal; http://www.crct. polymtl.ca/fact/.
73. Chisholm, M. H.; Chiu, H.-T.; Folting, K.; Huffman, J. C. Inorg. Chem. 1984, 23, 4097.
74. Stueger, H.; Fuerpass, G.; Renger, K.; Baumgartner, J. Organometallics 2005, 24, 6374.
75. McAlexander, L. H.; Hung, M.; Li, L.; Diminnie, J. B.; Xue, Z.; Yap, G. P. A.; Rheingold, A. L. Organometallics 1996, 15, 5231.
76. Thorn, M. G.; Vilardo, J. S.; Lee, J.; Hanna, B.; Fanwick, P. E.; Rothwell, I. P. Organometallics 2000, 19, 5636.
77. Fowler, R. H.; Nordheim, L. W. Proc. R. Soc. London, Ser. A 1928, 119, 173.