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Volumn 9, Issue 5, 2009, Pages 2044-2048

Ionic field effect transistors with sub-10 nm multiple nanopores

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ATOMIC LAYER; E-BEAM LITHOGRAPHY; EMBEDDED ELECTRODES; IONIC TRANSPORTS; PORE DIAMETERS;

EID: 66449084672     PISSN: 15306984     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl900309s     Document Type: Article
Times cited : (258)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.