Nanometer thick single crystal Y2 O3 films epitaxially grown on Si (111) with structures approaching perfection

Applied Physics Letters

Volumn 92, Issue 6, 2008, Pages

  Nieh, C W ^a   Lee, Y J ^a   Lee, W C ^a   Yang, Z K ^a   Kortan, A R ^a,c   Hong, M ^a   Kwo, J ^a   Hsu, C H ^b,d  

^a NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL SYNCHROTRON RADIATION RESEARCH CENTER   (Taiwan)

^c Department of Energy ^*  (United States)

^d NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EPITAXIAL GROWTH; FILM THICKNESS; HIGH ENERGY ELECTRON DIFFRACTION; SILICON; SINGLE CRYSTALS; ULTRAHIGH VACUUM; X RAY SCATTERING;

CRYSTALLINITY; ELECTRON BEAM EVAPORATION; OXIDE GROWTH;

THICK FILMS;

EID: 39349111101     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2883939     Document Type: Article

References (16)

1. S. Guha, E. Cartier, M. A. Gribelyuk, N. A. Bojarczuk, and M. C. Copel, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1320464 77, 2710 (2000), and the references therein.
2. J. Kwo, M. Hong, A. R. Kortan, K. T. Queeney, Y. J. Chabal, J. P. Mannaerts, T. Boone, J. J. Krajewski, A. M. Sergent, and J. M. Rosamilia, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.126899 77, 130 (2000).
3. M. Hong, A. R. Kortan, H. M. Ng, J. Kwo, S. N. G. Chu, J. P. Mannaerts, A. Y. Cho, C. M. Lee, J. I. Chyi, and K. A. Anselm, J. Vac. Sci. Technol. B JVTBD9 1071-1023 10.1116/1.1473178 20, 1274 (2002).
4. H. Ishiwara and T. Asano, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.92927 40, 66 (1982).
5. J. Kwo, M. Hong, A. R. Kortan, K. L. Queeney, Y. J. Chabal, R. L. Opila, Jr., D. A. Muller, S. N. G. Chu, B. J. Sapjeta, T. S. Lay, J. P. Mannaerts, T. Boone, H. W. Krautter, J. J. Krajewski, A. M. Sergnt, and J. M. Rosamilia, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.1352688 89, 3920 (2001).
6. G. Apostolopoulos, G. Vellianitis, A. Dimoulas, M. Alexe, R. Scholz, M. Fanciulli, D. T. Dekadjevi, and C. Wiemer, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1519727 81, 3549 (2002).
7. M. H. Cho, D. H. Ko, Y. K. Choi, I. W. Lyo, K. Jeong, and C. N. Whang, Thin Solid Films THSFAP 0040-6090 10.1016/S0040-6090(01)01625-X 402, 38 (2002), and references therein.
8. M. E. Hunter, M. J. Reed, N. A. El-Masry, J. C. Roberts, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.126217 76, 1935 (2000).
9. M. Hong, J. P. Mannaerts, J. E. Bowers, J. Kwo, M. Passlack, W.-Y. Hwang, and L. W. Tu, J. Cryst. Growth JCRGAE 0022-0248 175-176, 422 (1997).
10. M. Hong, A. R. Kortan, P. Chang, Y. L. Huang, C. P. Chen, H. Y. Chou, H. Y. Lee, J. Kwo, M.-W. Chu, C. H. Chen, L. V. Goncharova, E. Garfunkel, and T. Gustafsson, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2147711 87, 251902 (2005).
11. C. H. Hsu, P. Chang, W. C. Lee, Z. K. Yang, Y. J. Lee, M. Hong, J. Kwo, C. M. Huang, and H. Y. Lee, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2356895 89, 122907 (2006).
12. Y. L. Huang, P. Chang, Z. K. Yang, Y. J. Lee, H. Y. Lee, H. J. Liu, J. Kwo, J. P. Mannaerts, and M. Hong, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1923172 86, 191905 (2005).
13. P. A. Bennett, M. Y. Lee, P. Yang, R. Schuster, P. J. Eng, and I. K. Robinson, Phys. Rev. Lett. PRLTAO 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.75.2726 75, 2726 (1995).
14. S. Y. Wu, M. Hong, A. R. Kortan, J. Kwo, J. P. Mannaerts, W. C. Lee, and Y. L. Huang, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2037205 87, 091908 (2005).
15. R. T. Tung and J. L. Batstone, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.99702 52, 1611 (1988).
16. M. Friak, A. Schindlmayr, and M. Scheffler, New J. Phys. NJOPFM 1367-2630 10.1088/1367-2630/9/1/005 9, 5 (2007).