Effect of pressure annealing on formation of light-emitting Si nanocrystals in Si rich SiO 2

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science

Volumn 206, Issue 1, 2009, Pages 78-83

  Kachurin, G A ^a   Cherkova, S G ^a   Marin, D V ^a   Misiuk, A ^b   Yanovitskaya, Z S ^a   Jedrzejewsky, J ^c   Balberg, I ^c  

^a INSTITUTE OF SEMICONDUCTOR PHYSICS   (Russian Federation)

^b ukasiewicz Research Network Institute of Microelectronics and Photonics   (Poland)

^c HEBREW UNIVERSITY OF JERUSALEM   (Israel)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CO-SPUTTERING; EFFECT OF PRESSURE; HIGH TEMPERATURE (HT); SI CONTENT; SI NANOCLUSTERS; SI-NANOCRYSTALS; SILICON (111) SUBSTRATES;

ANNEALING; HYDROSTATIC PRESSURE; ION BOMBARDMENT; ION IMPLANTATION; LIGHT; LIGHT EMISSION; LUMINESCENCE; NANOCRYSTALLINE ALLOYS; NANOCRYSTALS; SILICON COMPOUNDS;

SILICON;

EID: 58449100030     PISSN: 18626300     EISSN: 18626319     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssa.200824109     Document Type: Article

References (28)

1. T. Shimizu-Iwayama, Y. Terao, A. Kamiya, M. Takeda, S. Nakao, and K. Saitoh, Nucl. Instrum. Methods B 112, 214 (1996).
2. P. Mutti, G. Ghislotti, S. Bertoni, L. Bonoldi, G. F. Cerofo- lini, L. Meda, E. Grilli, and M Guzzi, Appl. Phys. Lett. 66, 851 (1995).
3. G. Ghislotti, B. Nielsen, P. Asoka-Kumar, K. G. Lynn, A. Gambhir, L. F. Di Mauro, and C. E. Bottani, J. Appl. Phys. 79, 8660 (1996).
4. S. Hayashi, T. Nagareda, Y. Kanzawa, and K. Yamamoto, Jpn. J. Appl. Phys. 32, 3840 (1993).
5. L. You, C. L. Heng, S. Y. Ma, Z. C. Ma, W. H. Zong, Z. Wu, and G. G. Qin, J. Cryst. Growth 212, 109 (2000).
6. M. Dovrat, Y. Goshen, J. Jedrzejewski, I. Balberg, and A. Sa'ar, Phys. Rev. B 69, 155311 (2004).
7. M. Fujii, A. Mimura, S. Hayashi, and K. Yamamoto, Appl. Phys. Lett. 75, 184(1999).
8. G. A. Kachurin, S. G. Cherkova, V. A. Volodin, V. G. Kesler, A. K. Gutakovsky, A. G. Cherkov, A. V. Bublikov, and D. I. Tetelbaum, Nucl. Instrum. Methods B 222, 497 (2004).
9. G. A. Kachurin, I. E. Tyschenko, K. S. Zhuravlev, N. A. Pazdnikov, V. A. Volodin, A. K. Gutakovsky, A. F. Leier, W. Skorupa, and R. A. Yankov, Nucl. Instrum. Methods B 122, 571 (1997).
10. G. A. Kachurin, S. G. Cherkova, D. V. Marin, R. A. Yankov, and M. Deutschmann, Semiconductors 42, 183 (2008).
11. G. A. Kachurin, V. A. Volodin, D. I. Tetelbaum, D. V. Marin, A. F. Leier, A. K. Gutakovskii, A. G. Cherkov, and A. N. Mikhailov, Semiconductors 39, 582 (2005).
12. H. M. Cheong, W. Paul, S. P. Withrow, J. G. Zhu, J. D. Bu- dai, C. W. White, and D. M. Hembree, Jr., Appl. Phys. Lett. 68, 87 (1996).
13. J. M. Ryan, P. R. Wamsley, and K. L. Bray, Appl. Phys. Lett. 63, 2260 (1993).
14. J. Zeman, M. Zigone, G. L. J. A. Rikken, and G. Martinez, J. Phys. Chem. Solids 56, 655 (1995).
15. I. E. Tyschenko, L. Rebohle, R. A. Yankov, W. Skorupa, A. Misiuk, and G. A. Kachurin, J. Lumin. 80, 229 (1999).
16. B. Garrido Fernandez, M. Lopez, C. Garcia, A. Perez-Rodriguez, J. R. Morante, C. Bonafos, M. Carrada, and A. Claverie, J. Appl. Phys. 91, 798 (2002).
17. S. P. Withrow, C. W. White, A. Meldrum, J. D. Budai, D. M. Hembree Jr., and J. C. Barbour, J. Appl. Phys. 86, 396 (1999).
18. Zh. Ma, P. Han, Y. Sui, S. Chen, B. Qian, W. Li, J. Xu, L. Xu, K. Chen, and D. Feng, Thin Solid Films 515, 2322 (2006).
19. M. Lannoo, C. Delerue, and G. Allan, J. Lumin. 70, 170 (1996).
20. G. A. Kachurin, M.-O, Ruault, A. K. Gutakovsky, O. Kai- tasov, S. G. Yanovskaya, K. S. Zhuravlev, and H. Bernas, Nucl. Instrum. Methods B 147, 356 (1999).
21. G. A. Kachurin, S. G. Yanovskaya, M.-O. Ruault, A. K. Gutakovskii, K. S. Zhuravlev, O. Kaitasov, and H. Bernas, Semiconductors 34, 965 (2000).
22. F. Iacona, C., Bongiorno, C. Spinella, S. Boninelli, and F. Priolo, J. Appl, Phys, 95, 3723 (2004).
23. D. Yu, G. S, Hwang, T. A. Kirichenko, and S. K. Banerjee, Phys. Rev. B 72, 205204 (2005).
24. J. Grun, R. P. Fischer, M. Peckerar, C. L. Felix, B. C. Covington, W. J. DeSisto, D. W. Donnelly, A. Ting, and C. K. Manka, Appl. Phys. Lett. 77, 1997 (2000).
25. R. Q, Zhang, M. W. Zhao, and S. T. Lee, Phys. Rev, Lett. 93, 095503 (2004).
26. A. Sarikov, V. Litovchenko, I. Lisovskyy, I. Maidanchuk, and S. Zlobin, Appl. Phys. Lett. 91, 133109 (2007).
27. A. F. Leier, L. N. Safronov, and G. A. Kahurin, Semiconductors 33, 380 (1999).
28. D. Yu, S. Lee, and G. Hwang, J. Appl. Phys. 102, 084309 (2007).