Modeling Si nanoprecipitate formation in SiO2 layers with excess Si atoms

Semiconductors

Volumn 33, Issue 4, 1999, Pages 380-384

  Leier A F ^a   Safronov, L N ^a   Kachurin, G A ^a  

^a INSTITUTE OF SEMICONDUCTOR PHYSICS   (Russian Federation)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0033115545     PISSN: 10637826     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1134/1.1187698     Document Type: Article

References (22)

1. H. A. Atwater, K. V. Shcheglov, S. S. Wong, K. J. Vahala, R. S. Flagan, M. I. Brongersma, and A. Polman, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 321, 363 (1994).
2. T. Shimizu-Iwayama, S. Nakao, and K. Saitoh, Appl. Phys. Lett. 65, 1814 (1994).
3. P. Mutti, G. Ghislotti, S. Bertoni, J. Bonoldi, G. F. Cerofolini, J. Meda, E. Grilli, and M. Guzzi, Appl. Phys. Lett. 66, 851 (1995).
4. T. Shimizu-Iwayama, Y. Terao, A. Kamiya, M. Takeda, S. Nakao, and K. Saitoh, Nucl, Instrum. Methods Phys. Res. B 112, 214 (1996).
5. G. A. Kachurin, I. E. Tyschenko, K. S. Zhuravlev, N. A. Pazdnikov, V. A. Volodin, A. K. Gutakovsky, A. F. Leier, W. Skorupa, and R. A. Yankov, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 112, 571 (1997).
6. G. A. Kachurin, K. S. Zhuravlev, N. A. Pazdnikov, A. F. Leier, I. E. Tyschenko, V. A. Volodin, W. Skorupa, and R. A. Yankov, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 127/128, 583 (1997).
7. W. Skorupa, R. A. Yankov, I. E. Tyschenko, H. Frob, T. Bohme, and K. Leo, Appl. Phys. Lett. 68, 2410 (1996).
8. W. Skorupa, R. A. Yankov, L. Rebohle, H. Frob, T. Bohme, K. Leo, I. E. Tyschenko, and G. A. Kachurin, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 119, 106 (1996).
9. G. A. Kachurin, I. E. Tyschenko, W. Skorupa, R. A. Yankov, K. S. Zhuravlev, N. A. Pazdnikov, V. A. Volodin, A. K. Gutakovskiǐ and A. F. Leǐer, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 31, 730 (1997) Semiconductors 31, 626 (1997)].
10. G. A. Kachurin, I. E. Tyschenko, W. Skorupa, R. A. Yankov, K. S. Zhuravlev, N. A. Pazdnikov, V. A. Volodin, A. K. Gutakovskiǐ and A. F. Leǐer, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 31, 730 (1997) [Semiconductors 31, 626 (1997)].
11. I. E. Tyschenko, G. A. Kachurin, K. S. Zhuravlev, N. A. Pazdnikov, V. A. Volodin, A. K. Gutakovsky, A. F. Leier, H. Frob, K. Leo, T. Bohme, L. Rebohle, R. A. Yankov, and W. Skorupa, Mater. Res. Soc. Symp. Proceedings 438, 453 (1997).
12. G. Ghislotti, B. Nielsen, P. Asoka-Kumar, K. G. Lynn, A. Gumbhir, L. F. Di Mauro, and C. E. Bottani, J. Appl. Phys. 79, 8660 (1996).
13. L.-S. Liao, X.-M. Bao, N.-S. Li, X.-Q. Zheng, and N.-B. Min, J. Lumin. 68, 199 (1996).
14. G. A. Kachurin, L. Rebohle, I. Skorupa, R. A. Yankov, I. E. Tyschenko, H. Frob, T. Bohme, and L. Leo, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 32, 439 (1998) Semiconductors 32, 395 (1998)].
15. G. A. Kachurin, L. Rebohle, I. Skorupa, R. A. Yankov, I. E. Tyschenko, H. Frob, T. Bohme, and L. Leo, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 32, 439 (1998) [Semiconductors 32, 395 (1998)].
16. L. A. Nesbit, Appl. Phys. Lett. 46, 38 (1985).
17. J. Maeda, Phys. Rev. B 51, 1658 (1995).
18. A. Hartstein, J. C. Tsang, D. J. Di Maria, and D. W. Dong, Appl. Phys. Lett. 36, 836 (1980).
19. F. S. Ham, J. Appl. Phys. 30, 1518 (1959).
20. I. M. Lifshits and V. V. Slezov, Zh. Éksp. Teor. Fiz. 35, 479 (1958) Sov. Phys. JETP 8, 331 (1958)].
21. I. M. Lifshits and V. V. Slezov, Zh. Éksp. Teor. Fiz. 35, 479 (1958) [Sov. Phys. JETP 8, 331 (1958)].
22. A. B. Pevtsov, V. Ju. Davydov, N. A. Feoktistov, and V. G. Karpov, Phys. Rev. B 52, 955 (1995).