Influences of a crystalline seed layer during atomic layer deposition of SrTiO3 thin films using Ti(O-iPr)2(thd)2, Sr(thd)2, and H2O

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 155, Issue 11, 2008, Pages

  Lee, Sang Woon ^a   Han, Jeong Hwan ^a   Kwon, Oh Seong ^b   Hwang, Cheol Seong ^a  

^a Seoul National University   (South Korea)

^b SAMSUNG Electronics   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

PULSED LASER DEPOSITION; STRONTIUM ALLOYS;

ATOMIC LAYER DEPOSITIONS; IN-SITU; SEED LAYERS;

ATOMIC LAYER DEPOSITION;

EID: 52649116306     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2976211     Document Type: Article

References (14)

1. O. S. Kwon, S. K. Kim, M. Cho, C. S. Hwang, and J. H. Jeong, J. Electrochem. Soc., 152, C229 (2005).
2. O. S. Kwon, S. W. Lee, J. H. Han, and C. S. Hwang, J. Electrochem. Soc., 154, G127 (2007).
3. M. Vehkamäki, T. Hatanpää, T. Hänninen, M. Ritala, and M. Leskelä, Electrochem. Solid-State Lett., 2, 504 (1999).
4. M. Yamamuka, T. Kawahara, M. Tarutani, T. Horikawa, T. Oomori, and K. Ono, J. Appl. Phys., 86, 1082 (1999).
5. M. Vehkamäki, T. Hänninen, M. Ritala, M. Leskelä, T. Sajavaara, E. Rauhala, and J. Keinonen, Chem. Vap. Deposition, 7, 75 (2001).
6. J. H. Lee, Y. J. Cho, Y. S. Min, and D. Kim, J. Vac. Sci. Technol. A, 20, 1828 (2002).
7. D.-S. Kil, J.-M. Lee, and J.-S. Roh, Chem. Vap. Deposition, 8, 195 (2002).
8. A. Kosola, M. Putkonen, L.-S. Johansson, and L. Niinistö, Appl. Surf. Sci., 211, 102 (2003).
9. C. S. Hwang, Mater. Sci. Eng., B, 56, 178 (1998).
10. J. H. Ahn, J. Y. Kim, S. W. Kang, J. H. Kim, and J. S. Roh, Appl. Phys. Lett., 91, 062910 (2007).
11. J. Y. Kim, J. H. Ahn, S. W. Kang, J. H. Kim, and J. S. Roh, Appl. Phys. Lett., 91, 092910 (2007).
12. S. W. Lee, O. S. Kwon, J. H. Han, and C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett., 92, 222903 (2008).
13. C. S. Kang, C. S. Hwang, H. J. Cho, B. T. Lee, S. O. Park, J. W. Kim, H. H. Hideki, S. I. Lee, Y. B. Koh, and M. Y. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 35, 4890 (1996).
14. S. O. Park, C. S. Hwang, H. Cho, C. S. Kang, and H. Kang, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 35, 1548 (1996).