High-electron-mobility AlGaN/AIN/GaN heterostructures grown on 100-mm-diam epitaxial AIN/sapphire templates by metalorganic vapor phase epitaxy

Applied Physics Letters

Volumn 85, Issue 10, 2004, Pages 1710-1712

  Miyoshi, M ^a,b   Ishikawa, H ^a   Egawa, T ^a   Asai, K ^b   Mouri, M ^b   Shibata, T ^b   Tanaka, M ^b   Oda, O ^b  

^a NAGOYA INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

^b NGK INSULATORS LTD   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINUM NITRIDE; ATOMIC FORCE MICROSCOPY; CAPACITANCE; CRYSTAL GROWTH; ELECTRON GAS; ELECTRON MOBILITY; GALLIUM NITRIDE; HALL EFFECT; HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS; METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; MORPHOLOGY; SAPPHIRE; TRANSPORT PROPERTIES;

CRYSTAL QUALITY; EPITAXIAL FILMS; HALL MOBILITY; INTERFACE ROUGHNESS SCATTERING;

HETEROJUNCTIONS;

EID: 4944232118     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1790073     Document Type: Article

References (19)

1. L. F. Eastman, V. Tilak, J. Smart, B. M. Green, E. M. Chumbes, R. Dim-itrov, H. Kim, O. S. Ambacher, N. Weimann, T. Prunty, M. Murphy, W. J. Schaff, and J. R. Shealy, IEEE Trans. Electron Devices 48, 479 (2001).
2. U. K. Mishra and Y.-F. Wu, IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 46, 756 (1998).
3. Y.-F. Wu, J. P. Ibbetson, P. Parikh, B. P. Keller, U. K. Mishra, and D. Kapolnek, IEEE Trans. Electron Devices 48, 586 (2001).
4. T. Egawa, G. Y. Zhao, H. Ishikawa, M. Umeno, and T. Jimbo, IEEE Trans. Electron Devices 48, 603 (2001).
5. I. P. Smorchkova, L. Chen, T. Mates, L. Shen, S. Heikman, B. Moran, S. Keller, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 90, 5196 (2001).
6. L. Shen, S. Heikman, B. Moran, R. Coffie, N.-Q. Zhang, D. Buttari, I. P. Smorchkova, S. Keller, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Trans. Electron Devices 22, 457 (2001).
7. N. Maeda, T. Tawara, T. Saitoh, K. Tsubaki, and N. Kobayashi, Phys. Status Solidi A 200, 168 (2003).
8. C. X. Wang, K. Tsubaki, N. Kobayashi, T. Makimoto, and N. Maeda, Appl. Phys. Lett. 84, 2313 (2004).
9. I. P. Smorchkova, C. R. Elsass, J. P. Ibbetson, R. Vetury, B. Heying, P. Fini, E. Haus, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 86, 4520 (1999).
10. R. Gaska, M. S. Shur, A. D. Bykhovski, A. O. Orlov, and G. L. Snider, Appl. Phys. Lett. 74, 287 (1999).
11. G. Y. Xhao, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo, and M. Umeno, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 39, 1035 (2000).
12. S. Arulkumaran, M. Sakai, T. Egawa, H. Ishikawa, T. Jimbo, T. Shibata, K. Asai, S. Sumiya, Y. Kuraoka, M. Tanaka, and O. Oda, Appl. Phys. Lett. 81, 1131 (2002).
13. L. Hsu and W. Walukiewicz, J. Appl. Phys. 89, 1783 (2001).
14. M. Sakai, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo, M. Umeno, T. Shibata, K. Asai, S. Sumiya, Y. Kuraoka, M. Tanaka, and O. Oda, J. Cryst. Growth 244, 6 (2002).
15. T. Shibata, K. Asai, S. Sumiya, M. Mouri, M. Tanaka, O. Oda, H. Katsukawa, H. Miyake, and K. Hiramatsu, Phys. Status Solidi C 0, 2023 (2003).
16. T. Egawa, H. Ohmura, H. Ishikawa, and T. Jimbo, Appl. Phys. Lett. 81, 292 (2002).
17. B. Zhang, T. Egawa, H. Ishikawa, Y. Liu, and T. Jimbo, J. Appl. Phys. 95, 3170 (2004).
18. S. Keller, G. Parish, P. T. Fini, S. Heikman, C.-H. Chen, N. Zhang, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, and Y.-F. Wu, J. Appl. Phys. 86, 5850 (1999).
19. X. H. Wu, L. M. Brown, D. Kapolnek, S. Keller, B. Keller, S. P. Den-Baars, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 80, 3228 (1996).