Ultrathin type-II GaSb/GaAs quantum wells grown by OMVPE

Journal of Crystal Growth

Volumn 269, Issue 2-4, 2004, Pages 187-194

  Pitts, O J ^a   Watkins, S P ^a   Wang, C X ^a   Stotz, J A H ^a   Meyer, T A ^a   Thewalt, M L W ^a  

^a SIMON FRASER UNIVERSITY   (Canada)

Author keywords

A1. Optical spectroscopy; A1. Segregation; A3. Organometallic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III V materials

Indexed keywords

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; HETEROJUNCTIONS; INTERFACES (MATERIALS); METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; SEGREGATION (METALLOGRAPHY); SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

OPTICAL SPECTROSCOPY; PEAK ENERGY; PHOTOLUMINESCENCE SPECTRA; SEMICONDUCTING III-V MATERIALS;

SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE;

EID: 4344635571     PISSN: 00220248     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2004.05.013     Document Type: Article

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