Structural and optical properties of type II GaSb/GaAs self-assembled quantum dots grown by molecular beam epitaxy

Journal of Applied Physics

Volumn 85, Issue 12, 1999, Pages 8349-8352

  Suzuki, K ^a   Hogg, R A ^a,b   Arakawa, Y ^a  

^a INSTITUTE OF INDUSTRIAL SCIENCE   (Japan)

^b TOSHIBA CORPORATION   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVATION ENERGY; ATOMIC FORCE MICROSCOPY; HETEROJUNCTIONS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; THERMAL EFFECTS;

GALLIUM ANTIMONIDE;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 0032620156     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.370622     Document Type: Article

References (28)

1. Y. Arakawa and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 40, 932 (1982).
2. C. G. Van de Walle, Phys. Rev. B 39, 1871 (1989).
3. F. Hatami, N. N. Ledentsov, M. Grundmann, J. Böhrer, F. Heinrichsdorff, M. Beer, D. Bimberg, S. S. Ruvimov, P. Werner, U. Goesele, J. Haydenreich, U. Richter, S. V. Ivanov, B. Ya. Meltser, P. S. Kop'ev, and Z. I. Alferov, Appl. Phys. Lett. 67, 656 (1995).
4. M. E. Rubin, H.-R. Blank, M. A. Chin, and H. Kroemer, Appl. Phys. Lett. 70, 1590 (1997).
5. E. R. Glaser, B. R. Bennett, B. V. Shanabrook, and R. Magno, Appl. Phys. Lett. 68, 3614 (1996).
6. R. A. Hogg, K. Suzuki, K. Tachibana, L. Finger, K. Hirakawa, and Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett. 72, 2856 (1998).
7. F. Hatami, M. Grundmann, N. N. Ledentsov, F. Heinrichsdorff, R. Heitz, J. Böhrer, D. Bimberg, S. S. Ruvimov, P. Werner, U. Goesele, J. Haydenreich, U. Richter, S. V. Ivanov, V. M. Ustinov, P. S. Kop'ev, and Z. I. Alferov, Phys. Rev. B 57, 4635 (1998).
8. C-K. Sun, G. Wang, J. E. Bowers, B. Brar, H.-R. Blank, H. Kroemer, and M. H. Pilkuhn, Appl. Phys. Lett. 68, 1543 (1996).
9. S. Muto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L210 (1995).
10. B. R. Bennett, R. Magno, and B. V. Shanabrook, Appl. Phys. Lett. 68, 505 (1996).
11. B. R. Bennett, B. V. Shanabrook, and R. Magno, Appl. Phys. Lett. 68, 958 (1996).
12. K. Suzuki, R. A. Hogg, K. Tachibana, and Y. Arakawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L203 (1998).
13. C-A. Chang, R. Ludeke, L. L. Chang, and L. Esaki, Appl. Phys. Lett. 31, 759 (1977).
14. M. Yano, M. Ashida, A. Kawaguchi, Y. Iwai, and M. Inoue, J. Vac. Sci. Technol. B 7, 199 (1989).
15. N. N. Ledentsov, J. Böhrer, M. Beer, F. Heinrichsdorff, M. Grundmann, D. Bimberg, S. V. Ivanov, B. Ya. Meltser, S. V. Shaposhnikov, I. N. Yassievich, P. S. Kop'ev, and Z. I. Alferov, Phys. Rev. B 52, 14058 (1995).
16. R. H. Miles, D. H. Chow, and W. J. Hamilton, J. Appl. Phys. 71, 211 (1992).
17. R. Ludeke, Phys. Rev. Lett. 39, 1042 (1977).
18. M. Yamo, Y. Yokose, Y. Iwai, and M. Inoue, J. Cryst. Growth 111, 609 (1991).
19. F. Maeda, Y. Watanabe, and M. Oshima, Phys. Rev. B 48, 14733 (1993).
20. D. Leonard, K. Pond, and P. M Petroff, Phys. Rev. B 50, 11687 (1994).
21. D. I. Lubyshev, P. P. González-Borrero, E. Marega, Jr., E. Petitprez, N. La Scala, Jr., and P. Basmaji, Appl. Phys. Lett. 68, 205 (1996).
22. Z. Y. Xu, Z. D. Lu, X. P. Yang, Z. L. Yuan, B. Z. Zheng, J. Z. Xu, W. K. Ge, Y. Wang, and L. L. Chang, Phys. Rev. B 54, 11528 (1996).
23. G. Bacher, C. Hartmann, H. Schweizer, T. Held, G. Mahler, and H. Nickel, Phys. Rev. B 47, 9594 (1993).
24. J. D. Lambkin, D. J. Dunstan, K. P. Homewood, L. K. Howard, and M. T. Emeny, Appl. Phys. Lett. 57, 1986 (1990).
25. M. Venning, D. J. Dunstan, and K. P. Homewood, Phys. Rev. B 48, 2412 (1993).
26. G. W. Bryant, Phys. Rev. B 37, 8763 (1988).
27. S. LeGoff and B. Stebe, Phys. Rev. B 47, 1383 (1993).
28. Y. Kayanuma, Phys. Rev. B 44, 13085 (1991).