Carrier concentration dependence of Ti/Au specific contact resistance on n -type amorphous indium zinc oxide thin films

Applied Physics Letters

Volumn 92, Issue 12, 2008, Pages

  Lim, Wantae ^a   Norton, D P ^a   Jang, Jung Hun ^a   Craciun, V ^a   Pearton, S J ^a   Ren, F ^a  

^a University of Florida   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARRIER CONCENTRATION; CONTACT RESISTANCE; INDIUM COMPOUNDS; OXIDE FILMS; TITANIUM COMPOUNDS;

INDIUM ZINC OXIDE THIN FILMS; POSTGROWTH ANNEALING;

THIN FILMS;

EID: 41349115687     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2902322     Document Type: Article

References (27)

1. A. Shah, P. Torres, R. Tscharner, N. Wyrsch, and H. Keppner, Science 285, 692 (1999).
2. H. K. Kim, K. S. Lee, and J. H. Kwon, Appl. Phys. Lett. 88, 012103 (2006).
3. K. Ramamoorthy, K. Kumar, R. Chandramohan, and K. Sankaranarayanan, Mater. Sci. Eng., B 126, 1 (2006).
4. D. S. Ginley and C. Bright, MRS Bull. 25, 15 (2000).
5. R. H. Franken, C. H. M. Van derWerf, J. Löffler, J. K. Rath, and R. E. I. Schropp, Thin Solid Films 501, 47 (2006).
6. Y. H. Tak, K. B. Kim, H. G. Park, K. H. Lee, and J. R. Lee, Thin Solid Films 411, 12 (2002).
7. I. Hamberg and C. G. Granqvist, J. Appl. Phys. 60, R123 (1986).
8. Y. W. Heo, S. J. Park, K. Ip, S. J. Pearton, and D. P. Norton, Appl. Phys. Lett. 83, 1128 (2003).
9. D. D. Edwards, T. O. Mason, F. Goutenoire, and K. R. Poeppelmeier, Appl. Phys. Lett. 70, 1706 (1997).
10. J. D. Perkins, J. A. del Cueto, J. L. Alleman, C. Warmsingh, B. M. Keyes, L. M. Gedvilas, P. A. Parilla, B. To, D. W. Readey, and D. S. Ginley, Thin Solid Films 411, 152 (2002).
11. T. Minami, T. Miyata, and T. Yamamoto, Surf. Coat. Technol. 108-109, 583 (1998).
12. K. Nomura, H. Ohta, K. Ueda, T. Kamiya, M. Orita, M. Hirano, T. Suzuki, C. Honjyo, Y. Ikuhara, and H. Hosono, J. Appl. Phys. 95, 5532 (2004).
13. B. Yaglioglu, H. Y. Yeom, and D. C. Paine, Appl. Phys. Lett. 86, 261908 (2005).
14. N. Ito, Y. Sato, P. K. Song, A. Kaijio, K. Inoue, and Y. Shigesato, Thin Solid Films 496, 99 (2006).
15. W. J. Lee, Y. K. Fang, J. J. Ho, C. Y. Chen, L. H. Chiou, S. J. Wang, F. Dai, T. Hsieh, R. Y. Tsai, D. Huang, and F. C. Ho, Solid-State Electron. 46, 477 (2002).
16. G. Hu, B. Kumar, H. Gong, E. F. Chor, and P. Wu, Appl. Phys. Lett. 88, 101901 (2006).
17. C. S. Yang, L. L. Smith, C. B. Arthur, and G. N. Parsons, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 683 (2000).
18. P. G. Carey, P. M. Smith, S. D. Theiss, and P. Wickboldt, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 1946 (2000).
19. C. D. Dimitrakopoulos and P. R. L. Malenfant, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 14, 99 (2002).
20. H. Y. Choi, S. H. Kim, and J. Jang, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 16, 732 (2004).
21. J. J. Chen, S. H. Jang, F. Ren, S. Rawal, Y. Li, H. S. Kim, D. P. Norton, S. J. Pearton, and A. Osinsky, Appl. Surf. Sci. 253, 746 (2006).
22. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1981).
23. K. Ip, Y. W. Heo, K. H. Baik, D. P. Norton, S. J. Pearton, and F. Ren, Appl. Phys. Lett. 84, 4 (2004).
24. H. K. Kim, S. H. Han, T. Y. Seong, and W. K. Choi, Appl. Phys. Lett. 77, 1647 (2000).
25. K. Vanheusden, C. H. Seager, W. L. Warren, D. R. Tallant, and J. A. Voigt, Appl. Phys. Lett. 68, 403 (1996).
26. T. Yamamoto and H. Katayama-Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38, L166 (1999).
27. G. W. Tomlis, J. L. Routbort, and T. O. Mason, J. Appl. Phys. 87, 117 (2000).