The diffusivity-mobility relationship of heavily doped semiconductors exhibiting a non-parabolic band structure and bandgap narrowing

Zeitschrift fur Naturforschung - Section A Journal of Physical Sciences

Volumn 62, Issue 10-11, 2007, Pages 605-608

  Das, Atanu ^a   Khan, Arif ^b  

^a VIDYASAGAR UNIVERSITY   (India)

^b Electrocom Corporation   (United States)

Author keywords

Bandgap narrowing; Diffusivity mobility relationship; Heavily doped semiconductors

Indexed keywords

EID: 39049110672     PISSN: 09320784     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1515/zna-2007-10-1108     Document Type: Article

References (57)

1. S. N. Mohammad, J. Appl. Phys. 63, 1614 (1988);
2. S. N. Mohammad, J. Appl. Phys. 68, 1710 (1990).
3. S. N. Mohammad, J. Appl. Phys. 95, 4856 (2004);
4. V. K. Arora, Appl. Phys. Lett. 80, 3763 (2002).
5. S. N. Mohammad, J. Appl. Phys. 95, 7940 (2004);
6. S. N. Mohammad, Philos. Mag. 84, 2559 (2004).
7. Z.-F. Fan, S. N. Mohammad, W. Kim, O. Aktas, A. E. Botchkarev, K. Suzue, H. Morkoç, K. Duxtad, and E. E. Haller, J. Electron. Mater. 25, 1703 (1996);
8. C. Lu, H. Chen, X. Lv, X. Xia, and S. N. Mohammad, J. Appl. Phys. 91, 9216 (2002).
9. S. N. Mohammad, J. Appl. Phys. 97, 063703 (2005);
10. K. Suzue, S. N. Mohammad, Z.-F. Fan, A. E. Botchkarev, W. Kim, O. Aktas, and H. Morkoç, J. Appl. Phys. 80; 4467 (1996);
11. S. N. Mohammad, Z.-F. Fan, A. E. Botchkarev, W. Kim, O. Aktas, A. Salvador, and H. Morkoç, Electron. Lett. 32, 598 (1996).
12. S. T. H. Abidi and S. N. Mohammad, Solid-State Electron. 27, 1153 (1985);
13. S. T. H. Abidi and S. N. Mohammad, J. Appl. Phys. 56, 3341 (1984).
14. S. N. Mohammad, J. Phys. C 13, 2685 (1980);
15. M. A. Sobhan and S. N. Mohammad, J. Appl. Phys. 58, 2634 (1985).
16. S. N. Mohammad and A. V. Bemis, IEEE Trans. Electron Devices ED-39, 282 (1992).
17. S. N. Mohammad and R. L. Carter, Philos. Mag. B 72, 13 (1995).
18. B. R. Nag and A. N. Chakravarti, Phys. Status Solidi (a) 67, K113 (1981);
19. A. N. Chakravarti and B. R. Nag, Int. J. Electron. 37, 281 (1974);
20. B. R. Nag, A. N. Chakravarti, and P. K. Basu, Phys. Status Solidi (a) 68, K75 (1981);
21. S. Ghosh, and A. N. Charkravarti, Phys. Status Solidi (b) 147, 355 (1988).
22. P. K. Chakraborty, G. C. Datta, and K. P. Ghatak, Phys. Scr. 68, 368 (2003);
23. M. Mondal and K. P. Ghatak, J. Phys. C: Solid-State Phys. 20, 1671 (1987).
24. K. P. Ghatak and B. Mitra, Int. J. Electron. 72, 541 (1992);
25. K. P. Ghatak and D. Bhattacharyya, Phys. Lett. A 184, 366 (1994);
26. K. P. Ghatak and S. N. Biswas, J. Appl. Phys. 70, 4309 (1991).
27. H. Kroemer, IEEE Trans. Electron Devices ED-25, 850 (1978).
28. P. T. Landsberg and H. C. Cheng, Phys. Rev. B 32, 8021 (1985);
29. P. T. Landsberg and A. G. Guy, Phys. Rev. B 28, 1187 (1983);
30. Eur. J. Phys. 2, 213 (1981), and references therein;
31. P. T. Landsberg and S. A. Hope, Solid-State Electron. 20, 421 (1977);
32. P. T. Landsberg, Phys. Rev. B 33, 8321 (1986);
33. P. T. Landsberg, Proc. R. Soc. A 213, 226 (1952).
34. Y. Roichman and N. Tessler, Appl. Phys. Lett. 80, 1948 (2002).
35. J. M. H. Peters, Eur. J. Phys. 3, 19 (1982).
36. A. Trajkovic, S. Ristic, Z. Prijic, and S. Mijalkovic, Proceedings of the 21st International Conference on Microelectronics, Vol. 1, NIS, Yugoslavia, 14-17 September 1997.
37. H. Van Cong, S. Brunet, and S. Charar, Phys. Status Solidi (b) 109, K1 (1982);
38. H. Van Cong, Phys. Status Solidi (a) 56, 395 (1979);
39. H. Van Cong, Solid-State Electron. 24, 495 (1981);
40. T. H. Nguyen and S. K. O'Leary, Appl. Phys. Lett. 83, 1998 (2003).
41. S. S. Li and F. A. Lindholm, Proc. IEEE 56, 1257 (1968);
42. T. H. Nguyen and S. K. O'Leary, Appl. Phys. Lett. 83, 1998 (2003).
43. S. N. Mohammad, Solid-State Electron. 46, 203 (2002).
44. S. N. Mohammad and S. T. H. Abidi, J. Appl. Phys. 60, 1384 (1986);
45. K. P. Ghatak, N. Chattopadhyay, and M. Mondal, J. Appl. Phys. 63, 4536 (1988).
46. C. H. Wang and A. Neugroschel, IEEE Electron Devices Lett. 11, 576 (1990);
47. I.-Y. Leu and A. Neugroschel, IEEE Trans. Electron Devices ED-40, 1872 (1993).
48. F. Stengel, S. N. Mohammad, and H. Morkoç, J. Appl. Phys. 80, 3031 (1996);
49. H.-J. Pan, W.-C. Wang, K.-B. Thei, C.-C. Cheng, K.-H. Yu, K.-W. Lin, C.-Z. Wu, and W.-C. Liu, Semicond. Sci. Technol. 15, 1101 (2000);
50. S. N. Mohammad, J. Chen, J.-I. Chyi, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 56, 937 (1990).
51. S. G. Dmitriev and Y. V. Markin, Semiconductors 34, 931 (2000).
52. M. Tao, D. G. Park, S. N. Mohammad, D. Li, A. Botchkarev, and H. Morkoç, Phil. Mag. B 73, 723 (1996).
53. D. G. Park, M. Tao, D. Li, A. E. Botchkarev, Z. Fan, Z. Wang, S. N. Mohammad, A. Rockett, J. R. Abelson, H. Morkoç, A. R. Heyd, and S. A. Alterovitz, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2674 (1996);
54. Z. Chen, D. G. Park, S. N. Mohammad, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 69, 230 (1996).
55. E. O. Kane, J. Phys. Chem. Solids 1, 249 (1957).
56. A. H. Marshak and C. M. Van Vliet, Proc. IEEE 72, 148 (1984).
57. H. P. D. Lanyon and R. A. Tuft, IEEE Trans. Electron Devices ED-26, 1014 (1979).