Nanoscale electrolytic switching in phase-change chalcogenide films

Advanced Materials

Volumn 19, Issue 24, 2007, Pages 4431-4437

  Pandian, Ramanathaswamy ^a   Kooi, Bart J ^a   Palasantzas, George ^a   De Hosson, Jeff T M ^a   Pauza, Andrew ^b  

^a UNIVERSITY OF GRONINGEN   (Netherlands)

^b Plasmon Data Systems Ltd   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYPTOGRAPHY; ELECTRIC RESISTANCE; ELECTRODES; ELECTROLYTIC ANALYSIS; SOLID STATE REACTIONS;

DATA ENCRYPTION; ELECTROLYTIC SWITCHING; REVERSIBLE SWITCHING;

CHALCOGENIDES;

EID: 37549072208     PISSN: 09359648     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.200700904     Document Type: Article

References (38)

1. S. R. Ovshinsky. Phys. Rev. Lett. 1968, 21, 1450
2. H. Fritzsche, S. R. Ovshinsky, J. Non-Cryst. Solids 1970, 2, 148.
3. E. J. Evans, J. H. Helbers, S. R. Ovshinsky, J. Non-Cryst. Solids 1970, 2, 334.
4. H. Fritzsche, S. R. Ovshinsky, IEEE Trans. Electron Devices 1973, 20, 91.
5. K. Nakayama, K. Kojima, F. Hayakawa, Y. Imai, A. Kitugawa, M. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 2000, 39, 6157.
6. S. Lai, T. Lowrey, IEEE Conf. Proc. Int. Electron Devices Meet. 2001, 36.5.1, 803.
7. J. Maimon, K. Hunt. L. Burcin, J. Rodgers, K. Knowles, Proc. of the Non-Volatile Memory Technology Symposium 2002, Paper No. 23.
8. M. Gill, T. Lowrey, J. Park, IEEE Int. Solid-State Circuits Conf. Digest Technical Papers, IEEE, San Francisco, CA 2002, 1, 202.
9. K. Nakayama, K. Kojima, Y. Imai, T. Kasai, S. Fukushima, A. Kitagawa, M. Kumeda, Y. Kakimoto, M. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys. Part I 2003, 42, 404.
10. F. Pellizzer et al., Proc. Symp. VLSI Technol., 15-17 June 2004 Honolulu (IEEE, New York) 2004, 18-19.
11. V. Giraud, J. Cluzel, V. Sousa, A. Jacquot, A. Dauscher, B. Lenoir, H. Scherrer, S. Romer, J. Appl. Phys. 2005, 98, 013520.
12. F. Yeung, S.-J. Ahn, Y.-N. Hwang, C.-W. Jeong, Y.-J. Song, S.-Y. Lee, S.-H. Lee, K.-C. Ryoo, J.-H. Park, J.-M. Shin, W.-C. Jeong, Y.-T. Kim, G.-H. Koh, G.-T. Jeong, H.-S. Jeong, K. Kim, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 2005, 44, 2691.
13. H.-Y. Cheng, C. A. Jong, R.-J. Chung, T.-S. Chin, R.-T. Huang, Semicond. Sci. Technol. 2005, 20, 1111.
14. Y. Hirose. H. Hirose, J. Appl. Phys. 1976, 47, 2767.
15. K. Terabe, T. Nakayama, T. Hasegawa, M. Aono, J. Appl. Phys. 2002, 91, 10110.
16. M. N. Kozicki, M. Mitkova, M. Park, M. Balakrishnan, C. Gopalan, Superlattices Microstruct. 2003, 34, 459.
17. M. N. Kozicki, M. Park, M. Mitkova, IEEE Trans. Nanotechnol. 2005, 4, 331.
18. C.-J. Kim, S.-G. Yoon, J. Vac. Sci. Technol. B. 2006, 24, 721.
19. Y. Yin, H. Sone, S. Hosaka, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 2006, 45, 4951.
20. H. Kado, T. Tohda, Appl. Phys. Lett. 1995, 66, 2961.
21. H. Kado, T. Tohda, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 1997, 36, 523.
22. D. Saluel, J. Daval, B. Béchevet, C. Germain, B. Valon, J. Magn. Mater. 1999, 193, 488.
23. T. Gotoh, K. Sugawara, K. Tanaka, J. Non-Cryst. Solids. 2002, 299-302, 968.
24. K. Tanaka, T. Gotoh, K. Sugawara, J. Optoelectron. Adv. Mater. 2004, 6, 1133.
25. S. Gidon et al., Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 6392.
26. S. K. Lin, P. Yang, I. C. Lin, H. W. Hsui, D. P. Tsai, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 2006, 45, 1431.
27. H. F. Hamann, M. O'Boyle, Y. C. Martin, M. Rooks, H. K. Wickramasinghe, Nat. Mater. 2006, 5, 383.
28. A. L. Greer, N. Mathur, Nature 2005, 437, 1246.
29. M. H. R. Lankhorst, B. W. S. M. M. Ketelaars, R. A. M. Wolters, Nat. Mater. 2005, 4, 347.
30. W. K. Njoroge, H. W. Woltgens, M. Wuttig, J. Vac. Sci. Technol. A. 2002, 20, 230.
31. A. Pirovano, A. L. Lacaita, A. Benvenuti, F. Pellizzer, S. Hudgens, R. Bez, IEEE Int. Electron Dev. Meeting, Washington, DC 2003, 29.6.1-4.
32. V. Weidenhof, I. Friedrich, S. Ziegler, M. Wuttig, J. Appl. Phys. 1999, 86, 5879.
33. R. Pandian, B. J. Kooi, G. Palasantzas, J. T. M. De Hosson, A. Pauza, Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 152103.
34. H. M. Upadhyaya, S. Chandra, Semicond. Sci. Technol. 1995, 10, 332.
35. N. Yamada, T. Matsunaga, J. Appl. Phys. 2000, 88, 7020.
36. T. H. Jeong, M. R. Kim, H. Seo, J. Appl. Phys. Part 1 1999, 86, 774.
37. J. A. Kalb, C. Y. Wen, F. Spaepen, H. Dieker, M. Wuttig, J. Appl. Phys. 2005, 98, 054902.
38. S. Shamoto, K. Kodama, S. Iikubo, T. Taguchi, N. Yamada, T. Proffen, Jpn. J. Appl. Phys. 2006, 45, 8789.