Impact of interfacial layer control using Gd2 O3 in Hf O2 gate dielectric on GaAs

Applied Physics Letters

Volumn 90, Issue 18, 2007, Pages

  Dalapati, Goutam Kumar ^a   Tong, Yi ^a   Loh, Wei Yip ^b   Mun, Hoe Keat ^b   Cho, Byung Jin ^a  

^a NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

^b INSTITUTE OF MICROELECTRONICS   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; ELECTRIC PROPERTIES; GATE DIELECTRICS; HAFNIUM COMPOUNDS; MOS DEVICES; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE;

DIELECTRIC STACKS; INTERFACE STATE DENSITY; THERMAL ANNEALING;

GADOLINIUM COMPOUNDS;

EID: 34247873079     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2732821     Document Type: Article

References (23)

1. M. W. Hong, J. Kwo, A. R. Kortan, J. P. Mannaerts, and A. M. Sergent, Science 283, 1897 (1999).
2. F. Ren, M. W. Hong, W. S. Hobson, J. M. Kuo, J. R. Lothian, J. P. Mannaerts, J. Kwo, Y. K. Chen, and A. Y. Cho, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 1996, 10.7.1.
3. J. K. Yang, M. G. Kang, and H. H. Park, J. Appl. Phys. 96, 4811 (2004).
4. P. D. Ye, G. D. Wilk, J. Kwo, B. Yang, H.-J. L. Gossmann, M. Frei, S. N. G. Chu, J. P. Mannaerts, M. Sergent, M. Hong, K. K. Ng, and J. Bude, IEEE Electron Device Lett. 24, 209 (2003).
5. Y. Xuan, P. D. Ye, H. C. Lin, and G. D. Wilk, Appl. Phys. Lett. 89, 132103 (2006).
6. W. E. Spicer, Z. Liliental-Weber, E. Weber, N. Newmann, T. Kendelewicz, R. Cao, C. McCants, P. Mahowald, K. Miyano, and I. Lindau, J. Vac. Sci. Technol. B 6, 1245 (1988).
7. S. Koveshnikov, W. Tsai, I. Ok, J. C. Lee, V. Torkanov, M. Yakimov, and S. Oktyabrsky, Appl. Phys. Lett. 88, 022106 (2006).
8. K. Iiyama, Y. Kita, Y. Ohta, M. Nasuno, S. Takamiya, K. Higashimine, and N. Ohtsuka, IEEE Trans. Electron Devices 49, 1856 (2002).
9. X. Li, Y. Cao, D. C. Hall, P. Fay, B. Han, A. Wibowo, and N. Pan, IEEE Electron Device Lett. 25, 772 (2004).
10. Z. Yu, C. D. Overgaard, R. Droopad, M. Passlack, and J. K. Abrokwah, Appl. Phys. Lett. 82, 2978 (2003).
11. M. Hong, F. Ren, J. M. Kuo, W. S. Hobson, J. Kwo, J. P. Mannaerts, J. R. Lothian, and Y. K. Chen, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 1398 (1998).
12. J. Y. Wu, H. H. Wang, and M. P. Houng, IEEE Electron Device Lett. 20, 18 (1999).
13. P. D. Ye, G. D. Wilk, B. Yang, J. Kwo, S. N. G. Chu, S. Nakahara, H.-J. L. Gossmann, J. P. Mannaerts, M. Hong, K. K. Ng, and J. Bude, Appl. Phys. Lett. 83, 180 (2003).
14. M. M. Frank, G. D. Wilk, D. Starodub, T. Gustafsson, E. Garfunkel, Y. J. Chabel, J. Grazul, and D. A. Muller, Appl. Phys. Lett. 86, 152904 (2005).
15. I. Ok, H. Kim, M. Zhang, C. Y. Kang, S. J. Rhee, C. Choi, S. A. Krishnan, T. Lee, F. Zhu, G. Thareja, and J. C. Lee, IEEE Electron Device Lett. 27, 145 (2006).
16. M. Yakimov, V. Tokranov, R. Kamhamati, S. Koveshnikov, W. Tsai, F. Zhu, J. C. Lee, and S. Oktyabrsky, International Conference on Solid State Devices and Materials, 2006, p. 946.
17. J. K. Yang, M. G. Kang, and H. H. Park, Thin Solid Films 420, 571 (2002).
18. H. L. Lu, L. Sun, S. J. Ding, M. Xu, D. W. Zhang, and L. K. Wang, Appl. Phys. Lett. 89, 152910 (2006).
19. H. Harris, N. Biswas, H. Temkin, S. Gangopadhyay, and M. Strathman, J. Appl. Phys. 90, 5825 (2001).
20. W. A. Hill and C. C. Coleman, Solid-State Electron. 23, 987 (1980).
21. K. Yamamoto, M. Niwa, M. Asai, S. Horii, and H. Miya, Appl. Phys. Lett. 83, 2229 (2003).
22. C. D. Wagner, J. F. Moulder, L. E. Davis, and W. M. Riggs, Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy (Perkin-Elmer Corporation, Eden Prairie, MN, 1978).
23. T. K. Oh, C. H. Baek, and B. K. Kang, Solid-State Electron. 48, 1549 (2004).