White light-emitting diodes based on a single InGaN emission layer

Applied Physics Letters

Volumn 91, Issue 16, 2007, Pages

  Wang, X H ^a   Jia, H Q ^a   Guo, L W ^a   Xing, Z G ^a   Wang, Y ^a   Pei, X J ^a   Zhou, J M ^a   Chen, H ^a  

^a INSTITUTE OF PHYSICS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTROLUMINESCENCE; ELECTRON INJECTION; LIGHT EMISSION; METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SUBSTRATES;

EMISSION LAYERS; INJECTION CURRENTS; LOW-INDIUM REGIONS; YELLOW LIGHTS;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 35548953573     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2800797     Document Type: Article

References (27)

1. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Mukai, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku, Appl. Phys. Lett. 69, 4056 (1996).
2. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 1997), p. 1.
3. S. Nakamura, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 3, 435 (1997).
4. E. Woelk, G. Strauch, D. Schmitz, M. Deschler, and H. Jurgensen, Mater. Sci. Eng., B 44, 419 (1997).
5. B. Damilano, N. Grandjean, C. Pernot, and J. Massies, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 40, L918 (2001).
6. R. Mueller-Mach and G. O. Mueller, Proc. SPIE 3938, 30 (2000).
7. X. Guo, J. W. Graff, and E. F. Schubert, Proc. SPIE 3938, 60 (2000).
8. I. Ozden, E. Makarona, A. V. Nurmikko, T. Takeuchi, and M. Krames, Appl. Phys. Lett. 79, 2532 (2001).
9. D. Xiao, K. W. Kim, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 84, 672 (2004).
10. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 69, 4188 (1996).
11. S. Chichibu, T. Sota, K. Wada, and S. Nakamura, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2204 (1998).
12. T. Mukai, M. Yamada, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L1358 (1998).
13. S. F. Chichibu, A. C. Abare, M. P. Mack, M. S. Minsky, T. Deguchi, D. Cohen, P. Cozodoy, S. B. Fleischer, S. Keller, J. S. Speck, J. E. Bowers, E. Hu, U. K. Mishra, L. A. Coldren, S. P. Denbaars, K. Wada, T. Sota, and S. Nakamura, Mater. Sci. Eng., B 59, 298 (1999).
14. L.-H. Peng, C.-W. Chuang, and L.-H. Lou, Appl. Phys. Lett. 74, 795 (1999).
15. J. K. Sheu, G. C. Chi, Y. K. Su, C. C. Liu, C. M. Chang, W. C. Hung, and M. J. Jou, Solid-State Electron. 44, 1055 (2000).
16. Y. D. Qi, H. Liang, D. Wang, Z. D. Lu, W. Tang, and K. M. Lau, Appl. Phys. Lett. 86, 101903 (2005).
17. Y.-L. Lai, C.-P. Liu, and Z.-Q. Chen, Appl. Phys. Lett. 86, 121915 (2005).
18. C. S. Kim, H. G. Kim, C.-H. Hong, and H. K. Cho, Appl. Phys. Lett. 87, 013502 (2005).
19. S. Y. Karprov, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 16 (1999).
20. A. Tabata, L. K. Teles, L. M. R. Scolfaro, L. R. Leite, A. Kharchenko, T. Frey, D. J. As, D. Schikora, K. Lischika, J. Furthmuller, and F. Bechstedt, Appl. Phys. Lett. 80, 769 (2002).
21. S. Pereira, M. R. Correia, E. Pereira, K. P. O'Donnell, E. Alves, A. D. Sequeira, N. Franco, I. M. Watson, and C. J. Deatcher, Appl. Phys. Lett. 80, 3913 (2002).
22. R. People and J. C. Bean, Appl. Phys. Lett. 47, 322 (1985).
23. S. Pereira, M. R. Correia, E. Pereira, C. Trager-Cowan, F. Sweeney, K. P. O'Donnell, E. Alves, N. Franco, and A. D. Sequeira, Appl. Phys. Lett. 81, 1207 (2002).
24. R. Singh, D. Doppalapudi, T. D. Moustakas, and L. T. Romano, Appl. Phys. Lett. 70, 1089 (1997).
25. I.-K. Park, M.-K. Kwon, S.-H. Baek, Y.-W. Ok, Y.-S. Kim, Y.-T. Moon, and D.-J. Kim, Appl. Phys. Lett. 87, 061906 (2005).
26. J. Zhang, M. Hao, P. Li, and S. J. Chua, Appl. Phys. Lett. 80, 485 (2002).
27. Z. Z. Chen, P. Liu, S. L. Qi, K. Xu, Z. X. Qin, Y. Z. Tong, T. J. Yu, X. D. Hu, and G. Y. Zhang, J. Cryst. Growth 298, 731 (2007).