Surface chemical and electronic properties of plasma-treated n-type Al 0.5Ga 0.5N

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science

Volumn 204, Issue 10, 2007, Pages 3410-3416

  Cao, X A ^a   Piao, H ^b   Li, J ^c   Lin, J Y ^c   Jiang, H X ^c  

^a West Virginia University   (United States)

^b GE GLOBAL RESEARCH   (United States)

^c KANSAS STATE UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

N-DEFICIENT NONSTOICHIOMETRIC ALGAN SURFACE; PHOTOELECTRON PEAKS; PLASMA TREATMENT; SURFACE OXIDE; TI/AL/TI/AU CONTACTS;

CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; ELECTRONIC PROPERTIES; FERMI LEVEL; SURFACE CHEMISTRY; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

ALUMINUM GALLIUM NITRIDE;

EID: 35349025477     PISSN: 18626300     EISSN: 18626319     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssa.200723119     Document Type: Article

References (19)

1. A. A. Allerman, M. H. Crawford, A. J. Fischer, K. H. A. Bogart, S. R. Lee, D. M. Follstaedt, P. P. Provencio, and D. D. Koleske, J. Cryst. Growth 272, 227 (2005).
2. J. P. Zhang, X. Hu, Y. Bilenko, J. Deng, A. Lunev, M. Shur, R. Gaska, M. Shatelov, J. W. Yang, and M. Asif Khan, Appl. Phys. Lett. 85, 5532 (2004).
3. X. A. Cao, S. F. LeBoeuf, and T. E. Stecher, IEEE Electron Device Lett. 27, 329 (2006).
4. A. Chitnis, J. Sun, V. Mandavilli, R. Pachipulusu, S. Wu, M. Gaevski, V. Adivarahan, J. P. Zhang, M. A. Khan, A. Sarua, and M. Kuball, Appl. Phys. Lett. 81, 3491 (2002).
5. R. McClintock, A. Yasan, K. Mayes, D. Shiell, S. R. Darvish, P. Kung, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 84, 1248 (2004).
6. H. S. Yang, S. Y. Han, K. H. Baik, S. J. Pearton, and F. Ren, Appl. Phys. Lett. 86, 102104 (2005).
7. X. A. Cao, S. J. Pearton, G. T. Dang, A. P. Zhang, F. Ren, and J. M. Van Hove, IEEE Trans. Electron Devices 47, 1320 (2000).
8. X. A. Cao, F. Ren, and S. J. Pearton, Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 25, 279 (2000).
9. Z. Fan, S. N. Mohammad, W. Kim, Ö. Aktas, A. E. Botchkarev, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 68, 1672 (1996).
10. H. W. Jang, C. M. Jeon, J. K. Kim, and J. L. Lee, Appl. Phys. Lett. 78, 2015 (2001).
11. X. A. Cao, H. Piao, and S. F. LeBoeuf, J. Li, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 89, 082109 (2006).
12. S. Ruvimov, Z. Liliental-Weber, J. Washburn, D. Qiao, S. S. Lau, and P. K. Chu, Appl. Phys. Lett. 73, 2582 (1998).
13. X. A. Cao, S. J. Pearton, A. P. Zhang, G. T. Dang, F. Ren, R. J. Shui, L. Zhang, R. Hickman, and J. M. Van Hove, Appl. Phys. Lett. 75, 2569 (1999)
14. D. Selvanathan, F. M. Mohammed, J. O. Bae, I. Adesida, and K. H. Bogart, J. Vac. Sci. Technol. B 23, 2538 (2005).
15. S. A. Nikishin, B. A. Borisov, A. Chandolu, V. V. Kuryatkov, H. Temkin, M. Holtz, E. N. Mokhov, Y. Makarov, and H. Helava, Appl. Phys. Lett. 85, 4355 (2004).
16. T. Hashizume, S. Ootomo, S. Oyama, M. Konishi, and H. Hasegawa, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 1675 (2001).
17. C. I. Wu, A. Kahn, E. S. Hellman, and D. N. E. Buchanan, Appl. Phys. Lett. 73, 1346 (1998).
18. A. Moteyed, R. Bathe, M. C. Wood, O. S. Diouf, R. D. Vispute, and S. Noor Mohammad, J. Appl. Phys. 93, 1087 (2003).
19. Y. Taniyasu, M. Kasu, and N. Kobayashi, Appl. Phys. Lett. 81, 1255 (2002).