AlN/GaN heterostructure prepared using a low-temperature helicon sputtering system

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science

Volumn 204, Issue 10, 2007, Pages 3349-3353

  Wu, J D ^a   Chien, W C ^a   Kao, H L ^a   Chyi, J I ^b   Hsu, C H ^c  

^a CHUNG YUAN CHRISTIAN UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY   (Taiwan)

^c NATIONAL SYNCHROTRON RADIATION RESEARCH CENTER   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALN/GAN HETEROSTRUCTURE; LOW-TEMPERATURE HELICON SPUTTERING SYSTEM; PHI-SCAN MEASUREMENTS; X-RAY ROCKING CURVE;

ALUMINUM GALLIUM NITRIDE; CRYSTALLINE MATERIALS; HALL EFFECT; HELICONS; HETEROJUNCTIONS; SAPPHIRE; SINGLE CRYSTALS; SPUTTERING;

THIN FILMS;

EID: 35348952160     PISSN: 18626300     EISSN: 18626319     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssa.200723110     Document Type: Article

References (15)

1. S. Heikman, S. Keller, Y. Wu, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 93, 10114 (2003).
2. R. Dimitrov, M. Murphy, J. Smart, W. Schaff, J. R. Shealy, L. F. Eastman, O. Ambacher, and M. Stutzmann, J. Appl. Phys. 87, 3375 (2000).
3. I. P. Smorchkova, C. R. Elsass, J. P. Ibbetson, R. Vetury, B. Heying, P. Fini, E. Haus, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 86, 4520 (1999).
4. O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, W. J. Schaff, and L. F. Eastman, J. Appl. Phys. 85, 3222 (1999).
5. I. P. Smorchkova, L. Chen, T. Mates, L. Shen, S. Heikman, B. Moran, S. Keller, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 90, 5196 (2001).
6. I. P. Smorchkova, S. Keller, S. Keikman, C. R. Elsass, B. Heying, P. Fini, J. S. Speck, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 77, 3998 (2000).
7. T. Kitamura, Y. Ishida, X. Q. Shen, H. Nakanishi, S. F. Chichibu, M. Shimizu, and H. Okumura, phys. stat. sol. (b) 228, 599 (2001).
8. K. Jeganathan, T. Ide, M. Shimizu, and H. Okumura, J. Appl. Phys. 93, 2047 (2003).
9. S. C. Binari, K. Doverspike, G. Kelner, H. B. Dietrich, and A. E. Wickenden, Solid-State Electron. 41, 177 (1997).
10. S. M. Hubbard, D. Pavlidis, V. Valiaev, M. A. Stevens-Kalcell, and I. M. Tiginyanu, Mater. Sci. Eng. B 91/92, 336 (2002).
11. H. F. Lin, J. D. Wu, W. C. Chien, S. W. Chen, H. L. Kao, J.-I. Chyi, and J. S. Chen, IEEE Trans. Ultrason. Ferroelect. Freq. Control 52, 923 (2005).
12. A. P. Zhang, G. T. Dang, F. Pen, H. Cho, K. P. Lee, S. J. Pearton, J.-I. Chyi, T.-E. Nee, C.-M. Lee, and C.-C. Chuo, IEEE Trans. Electron Devices 48, 407 (2001).
13. S. W. Chen, H. F. Lin, T. T. Sung, J. D. Wu, H. L. Kao, and J. S. Chen, Electron. Lett. 39, 1691 (2003).
14. F. Engelmark, G. F. Iriarte, I. V. Katerdjiev, M. Ottosson, P. Muralt, and S. Berg, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 2664 (2001).
15. M. Leroux, N. Grandjean, J. Massies, B. Gil, P. Lefebvre, and P. Bigenwald, Phys. Rev. B 60, 1496 (1999).