ZnO-based light-emitting metal-insulator-semiconductor diodes

Applied Physics Letters

Volumn 91, Issue 12, 2007, Pages

  Hwang, Dae Kue ^a   Oh, Min Suk ^a   Lim, Jae Hong ^a   Choi, Yong Seok ^a   Park, Seong Ju ^a  

^a Gwangju Institute of Science and Technology (GIST)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; IMPACT IONIZATION; MIS DEVICES; SEMICONDUCTOR DIODES; THRESHOLD VOLTAGE; ZINC OXIDE;

BAND EDGE EMISSION; HOLE GENERATION;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 34648812805     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2786603     Document Type: Article

References (23)

1. Y. Chen, D. Bagnall, and T. Yao, Mater. Sci. Eng., B 75, 190 (2000).
2. D. C. Look, B. Claflin, Ya. I. Alivov, and S. J. Park, Phys. Status Solidi A 201, 2203 (2004).
3. D. C. Look, Mater. Sci. Eng., B 80, 383 (2001).
4. Y. I. Alivov, J. E. Van Nostrand, D. C. Look, M. V. Chukichev, and B. M. Ataev, Appl. Phys. Lett. 83, 2943 (2003).
5. Y. I. Alivov, E. V. Kalinina, A. E. Cherenkov, D. C. Look, B. M. Ataev, A. K. Omaev, M. V. Chukichev, and D. M. Bagnall, Appl. Phys. Lett. 83, 4719 (2003).
6. A. Osinsky, J. W. Dong, M. Z. Kauser, B. Hertog, A. M. Dabiran, P. P. Chow, S. J. Pearton, O. Lopatiuk, and L. Chernyak, Appl. Phys. Lett. 85, 4272 (2004).
7. H. Hosono, H. Ohta, K. Hayashi, M. Orita, and M. Hirano, J. Cryst. Growth 237-239, 496 (2001).
8. D. K. Hwang, S. H. Kang, J. H. Lim, E. J. Yang, J. Y. Oh, J. H. Yang, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett. 86, 222101 (2005).
9. A. Tsukazaki, A. Ohtomo, T. Onuma, M. Ohtani, T. Makino, M. Sumiya, K. Ohtani, S. F. Chichibu, S. Fuke, Y. Segawa, H. Ohno, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Nat. Mater. 4, 42 (2005).
10. A. Tsukazaki, M. Kubota, A. Ohtomo, T. Onuma, K. Ohtani, H. Ohno, S. F. Chichibu, and M. Kawasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 44, L643 (2005).
11. Y. R. Ryu, T. S. Lee, J. A. Lubguban, H. W. White, B. J. Kim, Y. S. Park, and C. J. Youn, Appl. Phys. Lett. 88, 241108 (2006).
12. J. H. Lim, C. K. Kang, K. K. Kim, I. K. Park, D. K. Hwang, and S. J. Park, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 18, 2720 (2006).
13. H. T. Wang, B. S. Kang, J. J. Chen, T. Anderson, S. Jang, F. Ren, H. S. Kim, Y. J. Li, D. P. Norton, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 88, 102107 (2006).
14. P. Chen, X. Ma, and D. Yang, Appl. Phys. Lett. 89, 111112 (2006).
15. J. F. Yan, Y. M. Lu, Y. C. Liu, H. W. Liang, B. H. Li, D. Z. Shen, J. Y. Zhang, and X. W. Fan, J. Cryst. Growth 266, 505 (2004).
16. K. K. Kim, H. S. Kim, D. K. Hwang, J. H. Lim, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett. 83, 63 (2003).
17. D. K. Hwang, M. S. Oh, J. H. Lim, C. G. Kang, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett. 90, 021106 (2007).
18. J. H. Yang, H. S. Kim, J. H. Lim, D. K. Hwang, J. Y. Oh, and S. J. Park, J. Electrochem. Soc. 153, G242 (2006).
19. H. Kato, M. Sano, K. Miyamoto, and T. Yao, J. Cryst. Growth 265, 375 (2004).
20. K. Vanheusden, W. L. Warren, C. H. Seager, D. R. Tallant, J. A. Voigt, and B. E. Gnade, J. Appl. Phys. 79, 7983 (1996).
21. B. Lin, Z. Fu, and Y. Jia, Appl. Phys. Lett. 79, 943 (2001).
22. Z. F. Liu, F. K. Shan, Y. X. Li, B. C. Shin, and Y. S. Yu, J. Cryst. Growth 259, 130 (2003).
23. H. P. Maruska and D. A. Stevenson, Solid-State Electron. 17, 1171 (1974).