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Journal of Applied Physics

Volumn 102, Issue 5, 2007, Pages

Analytical model for subthreshold conduction and threshold switching in chalcogenide-based memory devices

(2) Ielmini, Daniele a Zhang, Yuegang b

a POLITECNICO DI MILANO (Italy)

b INTEL CORPORATION (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHALCOGENIDES; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; ELECTRIC PROPERTIES; HEAT CONDUCTION; MATHEMATICAL MODELS; METALLIZING; SWITCHING;

PHASE CHANGE MEMORIES; PROGRAMMABLE METALLIZATION CELLS; SUBTHRESHOLD CONDUCTION;

DATA STORAGE EQUIPMENT;

EID: 34548647299 PISSN: 00218979 EISSN: None Source Type: Journal
DOI: 10.1063/1.2773688 Document Type: Article

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.