Self-organization of 6H-SiC (0001) surface under keV ion irradiation

Journal of Applied Physics

Volumn 102, Issue 4, 2007, Pages

  Katharria, Y S ^a   Kumar, Sandeep ^a   Lakshmy, P S ^a   Kanjilal, D ^a   Sharma, A T ^b  

^a INTER UNIVERSITY ACCELERATOR CENTRE   (India)

^b UNIVERSITY OF DELHI   (India)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; ION BOMBARDMENT; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTING INDIUM; SURFACE PROPERTIES; TECHNOLOGY TRANSFER;

PERIODIC HEIGHT MODULATIONS; RIPPLE FORMATION; RIPPLE STRUCTURES;

SILICON CARBIDE;

EID: 34548460231     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2769804     Document Type: Article

References (55)

1. O. Azzaroni, M. H. Fonticelli, G. Benítez, P. L. Schilardi, R. Gago, I. Caretti, L. Vázquez, and R. C. Salvarezza, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 16, 405 (2004).
2. M. V. R. Murthy, Surf. Sci. 500, 523 (2002).
3. S. Rusponi, G. Costantini, F. Buatier de Mongeot, C. Boragno, and U. Valbusa, Appl. Phys. Lett. 75, 3318 (1999).
4. T. Q. Jia, Phys. Rev. B 72, 125429 (2005).
5. R. M. Bradley and J. M. E. Harper, J. Vac. Sci. Technol. A 6, 2390 (1988).
6. P. Sigmund, J. Heat Transfer 184, 383 (1969).
7. I. Koponen, M. Hautala, and O.-P. Sievanen, Phys. Rev. Lett. 78, 2612 (1997).
8. J. Erlebacher, M. J. Aziz, E. Chason, M. B. Sinclair, and J. A. Floro, Phys. Rev. Lett. 82, 2330 (1999).
9. K. Wittmaack, J. Vac. Sci. Technol. A 8, 2246 (1990).
10. J. J. Vajo, R. E. Doty, and E.-H. Cirlin, J. Vac. Sci. Technol. A 6, 761 (1998).
11. J. Erlebacher, M. J. Aziz, E. Chason, and M. B. Sinclair, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 115 (2000).
12. S. Rusponi, G. Costantini, C. Borgano, and U. Valbusa, Phys. Rev. Lett. 81, 4184 (1998).
13. C. M. Demanet, J. B. Malherbe, N. G. Van der Bag, and K. V. Sankar, Surf. Interface Anal. 23, 433 (1995).
14. S. Habenicht, K. P. Lieb, J. Koch, and A. P. Wieck, Phys. Rev. B 65, 115327 (2002).
15. S. Rusponi, G. Costantini, C. Borgano, and U. Valbusa, Phys. Rev. Lett. 81, 2735 (1998).
16. F. Frost, A. Schindler, and F. Bigl, Phys. Rev. Lett. 85, 4116 (2000).
17. B. Kahng, H. Jeong, and A.-L. Barabási, Appl. Phys. Lett. 78, 805 (2001).
18. E. A. Eklund, R. Bruinsna, J. Rudnick, and R. S. Williams, Phys. Rev. Lett. 67, 1759 (1991).
19. H.-N. Yang, G.-C. Wang, and T.-M. Lu, Phys. Rev. B 50, 7635 (1994).
20. R. Cuerno and A.-L. Barabasi, Phys. Rev. Lett. 74, 4746 (1995).
21. M. A. Makeev and A. L. Barabási, Appl. Phys. Lett. 71, 2800 (1997).
22. M. A. Makeev, R. Cuerno, and A.-L. Barabasi, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 197, 185 (2002).
23. S. Park, B. Kahng, H. Jeong, and A.-L. Barabasi, Phys. Rev. Lett. 83, 3486 (1999).
24. M. Castro, R. Cuerno, L. Vázquez, and R. Gago, Phys. Rev. Lett. 94, 016102 (2005).
25. J. M. García, M. Castro, and R. Cuerno, Phys. Rev. Lett. 96, 086101 (2006).
26. T. Aste and U. Valbusa, Physica A 332, 548 (2004), and references therein.
27. T. Q. Jia, F. L. Zhao, M. Huang, H. X. Chen, J. R. Qiu, R. X. Li, Z. Z. Xu, and H. Kuroda, Appl. Phys. Lett. 88, 111117 (2006).
28. D. Kanjilal, T. Madhu, G. O. Rodrigues, U. K. Rao, C. P. Safvan, and A. Roy, Indian J. Pure Appl. Phys. 39, 25 (2001).
29. S. W. MacLaren, J. E. Baker, N. L. Finnegan, and C. M. Loxton, J. Vac. Sci. Technol. A 10, 468 (1992).
30. U. Valbusa, C. Boragno, and F. Buatier de Mongeot, J. Phys.: Condens. Matter 14, 8153 (2002).
31. S. K. Mohanta, R. K. Soni, S. Tripathy, and S. J. Chua, Appl. Phys. Lett. 88, 043101 (2006).
32. F. Frost, B. Ziberi, T. Höche, and B. Rauschenbach, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 216, 9 (2004).
33. R. Gago, L. Vázquez, R. Cuerno, M. Varela, C. Ballesteros, and J. M. Albella, Appl. Phys. Lett. 78, 3316 (2001).
34. R. M. Bradley, Phys. Rev. E 54, 6149 (1996).
35. M. Nozu, M. Tanemura, and F. Okuyama, Surf. Sci. 304, L468 (1994).
36. Available from www.srim.org
37. R. Devanathan and W. J. Weber, J. Nucl. Mater. 278, 258 (2000).
38. S. G. Mayr, M. Moske, and K. Samwer, Phys. Rev. B 60, 16950 (1999).
39. Y. S. Katharria, S. Kumar, A. T. Sharma, and D. Kanjilal, Appl. Surf. Sci. 253, 6824 (2007).
40. H. Dallaporta and A. Cros, Appl. Phys. Lett. 48, 1357 (1986).
41. U. Rothaar, V. Rupertus, and H. Oechsner, Fresenius' J. Anal. Chem. 346, 96 (1993).
42. M. Khellafi and B. Lang, Appl. Phys. A: Solids Surf. 50, 183 (1990).
43. D. P. Datta and T. K. Chini, Phys. Rev. B 69, 235313 (2004).
44. G. Carter and V. Vishnyakov, Phys. Rev. B 54, 17647 (1996).
45. G. Carter, J. Appl. Phys. 85, 455 (1999).
46. B. Ziberi, F. Frost, Th. Höche, and B. Rauschenbach, Phys. Rev. B 72, 235310 (2005).
47. F. A. Stevie, P. M. Kahora, M. A. Vidal, and B. Salzara, J. Vac. Sci. Technol. A 6, 205 (1998).
48. A. Karen, K. O. Kuno, F. Soeda, and A. Ishitani, J. Vac. Sci. Technol. A 9, 2247 (1991).
49. A. D. Brown and J. Erlebacher, Phys. Rev. B 72, 075350 (2005).
50. H. Harima, Microelectron. Eng. 83, 126 (2006).
51. R. Pusche, M. Hundhausen, L. Ley, K. Semmelroth, F. Schmid, G. Pensl, and H. Nagasawa, J. Appl. Phys. 96, 5569 (2004).
52. W. Bolse, J. Conrad, T. Rödle, and T. Weber, Surf. Coat. Technol. 7475, 927 (1995).
53. J. Conrad, T. Rödle, T. Weber, and W. Bolse, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 118, 748 (1995).
54. A. Perez-Rodriguez, Y. Pacaud, L. Calvo-Barrio, C. Serre, W. Skorupa, and J. R. Mortante, J. Electron. Mater. 25, 541 (1996).
55. F. Finocchi, G. Galli, M. Parinello, and C. M. Bertoni, Phys. Rev. Lett. 68, 3044 (1992).