Production of ordered silicon nanocrystals by low-energy ion sputtering

Applied Physics Letters

Volumn 78, Issue 21, 2001, Pages 3316-3318

  Gago, Raúl ^a   Vázquez, Luis ^a   Cuerno, Rodolfo ^b   Varela, María ^b   Ballesteros, Carmen ^b   Albella, José María ^a  

^a INSTITUTO DE CIENCIA DE MATERIALES DE MADRID   (Spain)

^b UNIVERSIDAD CARLOS III DE MADRID   (Spain)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035927121     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1372358     Document Type: Article

References (23)

1. G. Schmidt and L. F. Chi, Adv. Mater. 10, 515 (1998).
2. E. Chomski and G. A. Ozin, Adv. Mater. 12, 1071 (2000).
3. L. Pavesi, L. Dal Negro, C. Mazzoleni, G. Franz, and F. Priolo, Nature (London) 408, 440 (2000).
4. Y. Yin, B. Gates, and Y. Xia, Adv. Mater. 12, 1426 (2000).
5. G. F. Grom, D. J. Lockwood, J. P. McCaffrey, H. J. Labbé, P. M. Fauchet, B. White, Jr., J. Diener, D. Kovalev, F. Koch, and L. Tsybeskov. Nature (London) 407, 358 (2000).
6. S. Hu, A. Hamidi, S. Altemeyer, T. Koster, B. Spangenberg, and H. Kurz. J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2822 (1998); J. W. Lyding, T. C. Shen, J. S. Hubacek, J. R. Tucker, and G. C. Abein, Appl. Phys. Lett. 64, 2010 (1994): N. Suzuki, T. Makino, Y. Yamada, T. Yoshida, and S. Onari, ibid. 76, 1309 (2000): T. Toyama, Y. Kotani, A. Shimode, and H. Okamoto, ibid. 73, 105 (1998); E. Edelberg, S. Bergh, R. Wame, M. Hall, and E. S. Aydil, ibid. 68, 1415 (1997); E. I. Givargizov, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 449 (1993); A. M. Morales and C. M. Lieber, Science 279, 208 (1998).
7. S. Hu, A. Hamidi, S. Altemeyer, T. Koster, B. Spangenberg, and H. Kurz. J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2822 (1998); J. W. Lyding, T. C. Shen, J. S. Hubacek, J. R. Tucker, and G. C. Abein, Appl. Phys. Lett. 64, 2010 (1994): N. Suzuki, T. Makino, Y. Yamada, T. Yoshida, and S. Onari, ibid. 76, 1309 (2000): T. Toyama, Y. Kotani, A. Shimode, and H. Okamoto, ibid. 73, 105 (1998); E. Edelberg, S. Bergh, R. Wame, M. Hall, and E. S. Aydil, ibid. 68, 1415 (1997); E. I. Givargizov, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 449 (1993); A. M. Morales and C. M. Lieber, Science 279, 208 (1998).
8. S. Hu, A. Hamidi, S. Altemeyer, T. Koster, B. Spangenberg, and H. Kurz. J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2822 (1998); J. W. Lyding, T. C. Shen, J. S. Hubacek, J. R. Tucker, and G. C. Abein, Appl. Phys. Lett. 64, 2010 (1994): N. Suzuki, T. Makino, Y. Yamada, T. Yoshida, and S. Onari, ibid. 76, 1309 (2000): T. Toyama, Y. Kotani, A. Shimode, and H. Okamoto, ibid. 73, 105 (1998); E. Edelberg, S. Bergh, R. Wame, M. Hall, and E. S. Aydil, ibid. 68, 1415 (1997); E. I. Givargizov, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 449 (1993); A. M. Morales and C. M. Lieber, Science 279, 208 (1998).
9. S. Hu, A. Hamidi, S. Altemeyer, T. Koster, B. Spangenberg, and H. Kurz. J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2822 (1998); J. W. Lyding, T. C. Shen, J. S. Hubacek, J. R. Tucker, and G. C. Abein, Appl. Phys. Lett. 64, 2010 (1994): N. Suzuki, T. Makino, Y. Yamada, T. Yoshida, and S. Onari, ibid. 76, 1309 (2000): T. Toyama, Y. Kotani, A. Shimode, and H. Okamoto, ibid. 73, 105 (1998); E. Edelberg, S. Bergh, R. Wame, M. Hall, and E. S. Aydil, ibid. 68, 1415 (1997); E. I. Givargizov, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 449 (1993); A. M. Morales and C. M. Lieber, Science 279, 208 (1998).
10. S. Hu, A. Hamidi, S. Altemeyer, T. Koster, B. Spangenberg, and H. Kurz. J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2822 (1998); J. W. Lyding, T. C. Shen, J. S. Hubacek, J. R. Tucker, and G. C. Abein, Appl. Phys. Lett. 64, 2010 (1994): N. Suzuki, T. Makino, Y. Yamada, T. Yoshida, and S. Onari, ibid. 76, 1309 (2000): T. Toyama, Y. Kotani, A. Shimode, and H. Okamoto, ibid. 73, 105 (1998); E. Edelberg, S. Bergh, R. Wame, M. Hall, and E. S. Aydil, ibid. 68, 1415 (1997); E. I. Givargizov, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 449 (1993); A. M. Morales and C. M. Lieber, Science 279, 208 (1998).
11. S. Hu, A. Hamidi, S. Altemeyer, T. Koster, B. Spangenberg, and H. Kurz. J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2822 (1998); J. W. Lyding, T. C. Shen, J. S. Hubacek, J. R. Tucker, and G. C. Abein, Appl. Phys. Lett. 64, 2010 (1994): N. Suzuki, T. Makino, Y. Yamada, T. Yoshida, and S. Onari, ibid. 76, 1309 (2000): T. Toyama, Y. Kotani, A. Shimode, and H. Okamoto, ibid. 73, 105 (1998); E. Edelberg, S. Bergh, R. Wame, M. Hall, and E. S. Aydil, ibid. 68, 1415 (1997); E. I. Givargizov, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 449 (1993); A. M. Morales and C. M. Lieber, Science 279, 208 (1998).
12. S. Hu, A. Hamidi, S. Altemeyer, T. Koster, B. Spangenberg, and H. Kurz. J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2822 (1998); J. W. Lyding, T. C. Shen, J. S. Hubacek, J. R. Tucker, and G. C. Abein, Appl. Phys. Lett. 64, 2010 (1994): N. Suzuki, T. Makino, Y. Yamada, T. Yoshida, and S. Onari, ibid. 76, 1309 (2000): T. Toyama, Y. Kotani, A. Shimode, and H. Okamoto, ibid. 73, 105 (1998); E. Edelberg, S. Bergh, R. Wame, M. Hall, and E. S. Aydil, ibid. 68, 1415 (1997); E. I. Givargizov, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 449 (1993); A. M. Morales and C. M. Lieber, Science 279, 208 (1998).
13. N. Miyata, H. Watanabe, and M. Ichikawa, Appl. Phys. Lett. 77, 1620 (2000).
14. Facsko, T. Dekorsy, C. Koerdt, C. Trappe, H. Kurz, A. Vogt, and H. L. Hartnagel, Science 285, 1551 (1999).
15. F. Frost, A. Schindler, and F. Bigl, Phys. Rev. Lett. 85, 4116 (2000).
16. G. Carter and V. Vishnyakov, Phys. Rev. B 54, 17 647 (1996).
17. R. M. Bradley and J. M. E. Harper, J. Vac. Sci. Technol. A 6, 2390 (1988).
18. R. Cuerno and A.-L. Barabási, Phys. Rev. Lett. 74, 4746 (1995).
19. F. Family and T. Vicsek, J. Phys. A 18, L15 (1985).
20. A.-L. Barabási and H. E. Stanley, Fractal Concepts in Surface Growth (Cambridge University Press, Cambridge, 1995).
21. S. Park, B. Kahng, H. Jeong, and A.-L. Barabási, Phys. Rev. Lett. 83, 3486 (1999).
22. B. Kahng, H. Jeong, and A.-L. Barabási, Appl. Phys. Lett. 78, 805 (2001).
23. R. Gago, L. Vázquez, R. Cuerno, M. Varela, C. Ballesteros, and J. M. Albella (unpublished).