Nitride-based dual-stage MQW LEDs

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 154, Issue 10, 2007, Pages

  Chang, S J ^a   Wei, S C ^a   Su, Y K ^a   Lai, W C ^a  

^a NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTAL STRUCTURE; ELECTRIC POTENTIAL; LEAKAGE CURRENTS; NITRIDES; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

ELECTROSTATIC DISCHARGE CHARACTERISTICS; MULTIQUANTUM WELL (MQW) STRUCTURE; SINGLE-STAGE MQW LED;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 34548276088     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2767856     Document Type: Article

References (25)

1. T. Akasaka, H. Gotoh, T. Saito, and T. Makimoto, Appl. Phys. Lett., 85, 3089 (2004).
2. S. Nakamura and M. Senoh, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 34, L1332 (1995).
3. S. J. Chang, W. C. Lai, Y. K. Su, J. F. Chen, C. H. Liu, and U. H. Liaw, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 8, 278 (2002).
4. E. F. Schubert and J. K. Kim, Science, 308, 1274 (2005).
5. Y. J. Lee, J. M. Hwang, T. C. Hsu, M. H. Hsieh, M. J. Jou, B. J. Lee, T. C. Lu, H. C. Kuo, and S. C. Wang, IEEE Photon. Technol. Lett., 18, 1152 (2006).
6. W. H. Lan, IEEE Trans. Electron Devices, 52, 1217 (2005).
7. W. K. Wang, D. S. Wuu, S. H. Lin, P. Han, R. H. Horng, T. C. Hsu, D. T. C. Huo, M. J. Jou, Y. H. Yu, and A. K. Lin, IEEE J. Quantum Electron., 41, 1403 (2005).
8. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 38, L226 (1999).
9. N. Biyikli, I. Kimukin, O. Aytur, and E. Ozbay, IEEE Photon. Technol. Lett., 16, 1718 (2004).
10. S. J. Chang, T. K. Ko, Y. K. Su, Y. Z. Chiou, C. S. Chang, S. C. Shei, J. K. Sheu, W. C. Lai, Y. C. Lin, W. S. Chen, and C. F. Shen, IEEE Sens. J., 6, 406 (2006).
11. S. J. Chang, C. H. Kuo, Y. K. Su, L. W. Wu, J. K. Sheu, T. C. Wen, W. C. Lai, J. F. Chen, and J. M. Tsai, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 8, 744 (2002).
12. I. Akasaki and H. Amano, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 36, 5393 (1997).
13. S. A. Levetas and M. J. Godfrey, Phys. Rev. B, 59, 10202 (1999).
14. P. W. M. Blom, C. Smith, J. E. M. Haverkort, and J. H. Wolter, Phys. Rev. B, 47, 2072 (1993).
15. S. D. Lester, M. J. Ludowise, K. P. Killeen, B. H. Perez, J. N. Miller and S. J. Rosner, J. Cryst. Growth, 189, 786 (1998).
16. Y. T. Rebane, Y. G. Shreter, B. S. Yavich, V. E. Bougrov, S. I. Stepanov, and W. N. Wang, Phys. Status Solidi A, 180, 121 (2000).
17. C. H. Chen, Y. K. Su, S. J. Chang, G. C. Chi, J. K. Sheu, J. F. Chen, C. H. Liu, and U. H. Liaw, IEEE Electron Device Lett., 23, 130 (2002).
18. T. C. Wen, S. J. Chang, L. W. Wu, Y. K. Su, W. C. Lai, C. H. Kuo, C. H. Chen, J. K. Sheu, and J. F. Chen, IEEE Trans. Electron Devices, 49, 1093 (2002).
19. S. J. Chang, S. C. Wei, Y. K. Su, R. W. Chuang, S. M. Chen, and W. L. Li, IEEE Photon. Technol. Lett., 17, 1806 (2005).
20. S. J. Chang, L. W. Wu, Y. K. Su, Y. P. Hsu, W. C. Lai, J. M. Tsai, J. K. Sheu, and C. T. Lee, IEEE Photon. Technol. Lett., 16, 1447 (2004).
21. M. C. Johnson, Z. Liliental-Weber, D. N. Zakharov, D. E. McCready, R. J. Jorgenson, J. Wu, W. Shan, and E. D. Bourret-Courchesne, J. Electron. Mater., 34, 605 (2005).
22. D. I. FlorescuI, S. M. Ting, J. C. Ramer, D. S. Lee, V. N. Merai, A. Parkeh, D. Lu, E. A. Armour, and L. Chernyak, Appl. Phys. Lett., 83, 33 (2003).
23. X. A. Cao, J. M. Teetsov, M. P. D'Evylen, D. W. Marfeld, and C. H. Yan, Appl. Phys. Lett., 85, 7 (2004).
24. Y. K. Su, S. J. Chang, S. C. Wei, S. M. Chen, and W. L. Li, IEEE Trans. Device Mater. Reliab., 5, 277 (2005).
25. T. C. Wen, S. J. Chang, C. T. Lee, W. C. Lai, and J. K. Sheu, IEEE Trans. Electron Devices, 51, 1743 (2004).