Electrical characteristics of InGaN/GaN light-emitting diodes grown on GaN and sapphire substrates

Applied Physics Letters

Volumn 85, Issue 1, 2004, Pages 7-9

  Cao, X A ^a   Teetsov, J M ^a   D'Evelyn, M P ^a   Merfeld, D W ^a   Van, C H ^b  

^a GE GLOBAL RESEARCH   (United States)

^b AXT Optoelectronics   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DOPANT DIFFUSION; ELECTRICAL CHARACTERIZATION; NANOSCOPIC CONDUCTIVITY; ROOT-MEAN-SQUARE ROUGHNESS;

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; DISLOCATIONS (CRYSTALS); ELECTRIC POTENTIAL; GALLIUM NITRIDE; INDIUM ALLOYS; PHOTOLITHOGRAPHY; PLASMA ETCHING; SAPPHIRE; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; THERMAL CONDUCTIVITY; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; VAPOR PHASE EPITAXY;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 3242732372     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1767280     Document Type: Article

References (16)

1. T. Mukai and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 5735 (1999).
2. X. A. Cao, S. F. LeBoeuf, L. B. Rowland, C. H. Yan, and H. Liu, Appl. Phys. Lett. 82, 3614 (2003).
3. P. G. Eliseev, P. Perlin, J. Furioli, P. Sartori, J. Mu, and M. Osinski, J. Electron. Mater. 26, 311 (1997).
4. X. A. Cao, K. Topol, F. Shahedipour, J. Teetsov, P. M. Sandvik, S. F. LeBoeuf, A. Ebong, J. Kretchmer, E. B. Stokes, S. Arthur, A. E. Kaloyeros, and D. Walker, Proc. SPIE 4776, 105 (2002).
5. C. Sasaoka, H. Sunakawa, A. Kimura, M. Nido, A. Usui, and A. Asakai, J. Cryst. Growth 189/190, 61 (1998).
6. C. Y. Hsu, W. H. Lan, and Y. S. Wu, Appl. Phys. Lett. 83, 2447 (2003).
7. X. A. Cao, P. M. Sandvik, S. F. LeBoeuf, and S. D. Arthur, Microelectron. Reliab. 43, 1987 (2003).
8. R. P. Vaudo, X. Xu, C. Lario, A. D. Salant, J. S. Flynn, and G. R. Brandes, Phys. Status Solidi A 194, 494 (2002).
9. C. R. Miskys, M. K. Kelly, O. Ambacher, G. Martinez-Criado, and M. Stutzmann, Appl. Phys. Lett. 77, 1858 (2000).
10. X. H. Wu, C. R. Elsass, A. Abare, M. Mack, S. Keller, P. M. Petroff, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and S. J. Rosner, Appl. Phys. Lett. 72, 692 (1998).
11. D. I. Florescu, S. M. Ting, J. C. Ramer, D. S. Lee, V. N. Merai, A. Parkeh, D. Lu, E. A. Armour, and L. Chemyak, Appl. Phys. Lett. 83, 33 (2003).
12. Z. Liliental-Weber, Y. Chen, S. Ruvimov, and J. Washburn, Phys. Rev. Lett. 79, 2835 (1997).
13. Y. Chen, T. Takeuchi, H. Amano, I. Akasaki, N. Yamada, Y. Kaneko, and S. Y. Wang, Appl. Phys. Lett. 72, 710 (1998).
14. E. J. Miller, D. M. Schaadt, E. T. Yu, C. Poblenz, C. Elsass, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 91, 9821 (2002).
15. J. W. P. Hsu, M. J. Manfra, D. V. Lang, S. Richter, S. N. G. Chu, A. M. Sergent. R. N. Kleiman, L. N. Pfeiffer, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 78, 1685 (2001).
16. A. A. Pomarico, D. Huang, J. Dicknson, A. A. Baski, R. Cingolani, H. Morkoc, and R. Molnar, Appl. Phys. Lett. 82, 1890 (2003).