In situ silane passivation of gallium arsenide and deposition of high-permittivity gate dielectric for MOS applications

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 154, Issue 10, 2007, Pages

  Zhu, Ming ^a   Chin, Hock Chun ^a   Tung, Chih Hang ^b   Yeo, Yee Chia ^a  

^a NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

^b INSTITUTE OF MICROELECTRONICS   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

GATE DIELECTRICS; IN SITU PROCESSING; MOS DEVICES; PASSIVATION; SILANES; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

HIGH PERMITTIVITY GATE DIELECTRICS; OXIDE THICKNESS; SURFACE PASSIVATION;

SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE;

EID: 34548207807     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2768288     Document Type: Article

References (24)

1. T. Mimura and M. Fukuta, IEEE Trans. Electron Devices, 27, 1147 (1980).
2. G. G. Fountain, R. A. Rudder, S. V. Hattangady, R. J. Markunas, and J. A. Hutchby, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 1989, 887.
3. W. E. Spicer, Z. Liliental-Weber, E. Weber, N. Newman, T. Kendelewicz, R. Cao, C. McCants, P. Mahowald, K. Miyano, and I. Lindau, J. Vac. Sci. Technol. B, 6, 1245 (1988).
4. M. Passlack, M. Hong, J. P. Mannaerts, S. N. G. Chu, R. L. Opila, and N. Moriya, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 1995, 383.
5. M. Hong, M. Passlack, J. P. Mannaerts, J. Kwo, S. N. G. Chu, N. Moriya, S. Y. Hou, and V. J. Fratello, J. Vac. Sci. Technol. B, 14, 2297 (1996).
6. J. Kwo, D. W. Murphy, M. Hong, R. L. Opila, J. P. Mannaerts, A. M. Sergent, and R. L. Masaitis, Appl. Phys. Lett., 75, 1116 (1999).
7. M. Hong, J. Kwo, A. R. Kortan, J. P. Mannaerts, and A. M. Sergent, Science, 283, 1897 (1999).
8. P. D. Ye, B. Yang, K. K. Ng, J. Bude, G. D. Wilk, S. Halder, J. C. M. Hwang, IEEE Electron Device Lett., 24, 209 (2003).
9. M. L. Huang, Y. C. Chang, C. H. Chang, Y. J. Lee, P. Chang, J. Kwo, T. B. Wu, and M. Hong, Appl. Phys. Lett., 87, 252104 (2005).
10. P. D. Ye, B. Yang, K. K. Ng, J. Bude, G. D. Wilk, S. Halder, and J. C. M. Hwang, Appl. Phys. Lett., 86, 013501 (2005).
11. S. Koveshnikov, W. Tsai, I. Ok, J. C. Lee, V. Torkanov, M. Yakimov, and S. Oktyabrsky, Appl. Phys. Lett., 88, 022106 (2006).
12. H. Kim, I. Ok, M. Zhang, C. Choi, T. Lee, F. Zhu, G. Thareja, L. Yu, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett., 88, 252906 (2006).
13. M. Zhu, C.-H. Tung, and Y.-C. Yeo, Appl. Phys. Lett., 89, 202903 (2006).
14. M. H. Zhang, I. J. Ok, H. S. Kim, F. Zhu, T. Lee, G. Thareja, L. Yu, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett., 89, 042902 (2006).
15. H.-S. Kim, I. Ok, M. Zhang, T. Lee, F. Zhu, L. Yu, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett., 89, 222903 (2006).
16. S. J. Koester, E. W. Kiewra, Y. Sun, D. A. Neumayer, J. A. Ott, M. Copel, D. K. Sadana, D. J. Webb, J. Fompeyrine, J.-P. Locquet, Appl. Phys. Lett., 89, 042104 (2006).
17. I. Ok, H. S. Kim, M. Zhang, C. Y. Kang, S. J. Rhee, C. Choi, S. A. Krishnan, T. Lee, F. Zhu, G. Thareja, IEEE Electron Device Lett., 27, 145 (2006).
18. J. F. Fan, H. Oigawa, and Y. Nannichi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 27, L1331 (1988).
19. C. C. Surdu-Bob, S. O. Saied, and J. L. Sullivan, Appl. Surf. Sci., 183, 126 (2001).
20. K.-Y. Cheng, Proc. IEEE, 85, 1694 (1997).
21. M. M. Frank, G. D. Wilk, D. Starodub, T. Gustafsson, E. Garfunkel, Y. J. Chabal, J. Grazul, and D. A. Muller, Appl. Phys. Lett., 86, 152904 (2005).
22. M.-G. Kang and H.-H. Park, J. Vac. Sci. Technol. A, 17, 88 (1999).
23. M. Yakimov, V. Tokranov, R. Kambhampati, S. Koveshnikov, W. Tsai, F. Zhu, J. Lee, and S. Oktyabrsky, International Conference on SSDM, The Japan Society of Applied Physics, p. 946 (2006).
24. F. Gao, S. J. Lee, R. Li, S. J. Whang, S. Balakumar, D. Z. Chi, C. C. Kean, S. Vicknesh, C. H. Tung, and D. L. Kwong, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2006, 833.