One-step chemical vapor growth of Ge/SiCxNy nanocables

Journal of the American Chemical Society

Volumn 129, Issue 31, 2007, Pages 9746-9752

  Mathur, Sanjay ^a,b   Shen, Hao ^a   Donia, Nicole ^a   Rügamer, Thomas ^a   Sivakov, Vladimir ^a   Werner, Ulf ^a  

^a INM LEIBNIZ INSTITUTE FOR NEW MATERIALS   (Germany)

^b UNIVERSITY OF WÜRZBURG   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; NANOWIRES; OXIDATION; SILICON CARBIDE;

MOLECULAR PRECURSOR; NANOCABLES;

NANOSTRUCTURED MATERIALS;

GERMANIUM DERIVATIVE; NANOWIRE; NITRILE; SILICON DERIVATIVE;

ARTICLE; COMPARATIVE STUDY; ENERGY CONSUMPTION; HIGH TEMPERATURE; MATERIALS; OXIDATION; PARTICLE SIZE; SEMICONDUCTOR; SYNTHESIS; VAPOR;

EID: 34547815270     PISSN: 00027863     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/ja071931e     Document Type: Article

References (45)

1. Xia, Y.; Yang, P. D.; Sun, Y.; Wu, Y.; Mayers, B.; Gates, B.; Yin, Y.; Kim, F.; Yan, H. Adv. Mater. 2003, 15, 353.
2. Wu, Y.; Yan, H.; Huang, M.; Messer, B.; Song, J. H.; Yang, P. D. Chem. Eur. J. 2002, 8, 1261.
3. Huang, Y.; Duan, X.; Lieber, C. M. Small 2005, 1, 142.
4. Lu, J. G.; Chung, P.; Fan, Z. Mater. Sci. Eng. R 2006, 52, 49.
5. Liu, Y. J.; Ma, Z. W.; Ramakrishna, S. Curr. Nanosci. 2006, 2, 71.
6. Sze, S. M. Physics of Semiconductor Devices; Wiley: New York, 1981.
7. Zhang, L.; Tu, R.; Dai, H. J. Nano Lett. 2006, 6, 2785.
8. Dick, K. A.; Deppert, K.; Larsson, M. W.; Martensson, T.; Seifert, W.; Wallenberg, L. R.; Samuelson, L. Nat. Mater. 2004, 3, 380.
9. Fan, H. J.; Fuhrmann, B.; Scholz, R.; Himcinschi, C.; Berger, A.; Leipner, H.; Dadgar, A.; Krost, A.; Christiansen, S.; Gösele, U.; Zacharias, M. Nanotechnology 2006, 17, 231.
10. Morales, A. M.; Lieber, C. M. Science 1998, 279, 208.
11. Wu, Y.; Yang, P. D. Chem. Mater. 2000, 12, 605.
12. Gu, G.; Burghard, M.; Kim, G. T.; Dusberg, G. S.; Chiu, P. W.; Krstic, V.; Roth, S.; Han, W. Q. J. Appl. Phys. 2001, 90, 5747.
13. Zhang, Y. F.; Tang, Y. H.; Wang, N.; Lee, C. S.; Bello, I.; Lee, S. T. Phys. Rev. B: Condens. Mater. Phys. 2000, 61, 4518.
14. Hanrath, T.; Korgel, B. A. J. Am. Chem. Soc. 2002, 124, 1424.
15. Wang, D. W.; Dai, H. J. Angew. Chem., Int. Ed. 2002, 41, 4783.
16. Mathur, S.; Shen, H.; Sivakov, V.; Werner, U. Chem. Mater. 2004, 16, 2449.
17. Adhikari, H.; Marshall, A. F.; Chidsey, C. E. D.; McIntyre, P. C. Nano Lett. 2006, 6, 318.
18. Kodambaka, S.; Tersoff, J.; Reuter, M. C.; Ross, F. M. Science 2007, 316, 729.
19. Wang, D. W.; Chang, Y. L.; Wang, Q.; Cao, J.; Farmer, D. B.; Gordon, R. G.; Dai, H. J. J. Am. Chem. Soc. 2004, 126, 11602.
20. Hanrath, T.; Korgel, B. A. J. Am. Chem. Soc. 2004, 126, 15466.
21. Hanrath, T.; Korgel, B. A. J. Phys. Chem. B 2005, 109, 5518.
22. Wang, D. W.; Chang, Y. L.; Liu, Z.; Dai, H. J. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 11871.
23. Wang, D. W.; Dai, H. J. Appl. Phys. A 2006, 85, 217.
24. Adhikari, H.; McIntyre, P. C.; Sun, S. Y.; Pianetta, P.; Chidsey, C. E. D. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 263109.
25. Kolmakov, A.; Moskovits, M. Annu. Rev. Mater. Res. 2004, 34, 151.
26. Lauhon, L. J.; Gudiksen, M. S.; Wang, C. L.; Lieber, C. M. Nature 2002, 420, 57.
27. Wang, D. W.; Wang, Q.; Javey, A.; Tu, R.; Dai, H. J.; Kim, H.; McIntyre, P. C.; Krishnamohan, T.; Saraswat, K. C. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 2432.
28. Greytak, A. B.; Lauhon, L. J.; Gudiksen, M. S.; Lieber, C. M. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 4176.
29. Khanderi, J.; Wohlfart, A.; Parala, H.; Devi, A.; Hambrock, J.; Birkner, A.; Fischer, R. A. J. Mater. Chem. 2003, 13, 1438.
30. Zhang, F. Y.; Barrowcliff, R.; Stecker, G.; Pan, W.; Wang, D. L.; Hsu, S. T. Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 2005, 44, L398.
31. Schmitt, A. L.; Zhu, L.; Schmeisser, D.; Himpsel, F. J.; Jin, S. J. Phys. Chem. B 2006, 110, 18142.
32. Fu, Q. G.; Li, H. J.; Shi, X. H.; Li, K. Z.; Wie, J.; Hu, Z. B. Mater. Chem. Phys. 2006, 100, 108.
33. Shan, C. X.; Liu, Z.; Ng, C. M.; Hark, S. K. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 033108.
34. Cai, K. F.; Lei, Q.; Zhang, L. C. J. Nanosci. Nanotechnol. 2005, 5, 1925.
35. Hsu, Y. J.; Lu, S. Y. Chem. Commun. 2004, 18, 2102.
36. Fjeldberg, T.; Haaland, A.; Schilling, B. E. R.; Lappert, M. F.; Thorne, A. J. J. Chem. Soc., Dalton Trans. 1986, 1554.
37. Lappert, M. F.; Power, P.; Slade, M. J. Chem. Commun. 1979, 369.
38. Baldwin, J. C.; Lappert, M. F.; Pedley, J. B.; Poland, J. S. J. Chem. Soc., Dalton Trans. 1972, 18, 1943.
39. Lauhon, L. J.; Gudiksen, M. S.; Lieber, C. M. Philos. Trans. R. Soc. London, Ser. A 2004, 362, 1247.
40. Yu, M. B.; Li, R.; Yoon, S. F.; Chew, K.; Cui, J.; Ahn, J.; Zhang, Q. Thin Solid Films 2000, 177, 377.
41. Blaszczyk-Lezak, I.; Wrobel, A. M.; Kivitorma, M. P. M.; Vayrynen, I. J. Chem. Vap. Deposition 2005, 11, 44.
42. Du, X.; Fu, Y.; Sun, J.; Yao, P. J. Appl. Phys. 2006, 99, 093503.
43. Mathur, S.; Shen, H. In Encyclopedia of Nanoscience and Nanotechnology; Nalwa, H. S., Ed.; American Scientific Publisher: Stevenson Ranch, CA, 2004; Vol. 4, p 131.
44. Mathur, S.; Barth, S.; Shen, H.; Pyun, J. C.; Werner, U. Small 2005, 1, 713.
45. Hernandez-Ramirez, F.; Tarancon, A.; Casals, O.; Rodriguez, J.; Romano-Rodriguez, A.; Morante, J. R.; Barth, S.; Mathur, S.; Choi, T. Y.; Poulikakos, D.; Callegari, V.; Nellen, P. M. Nanotechnology 2006, 17, 5577.