The evolution of microstructure and photoluminescence of SiCN films with annealing temperature

Journal of Applied Physics

Volumn 99, Issue 9, 2006, Pages

  Du, Xi Wen ^a   Fu, Yang ^a   Sun, Jing ^a   Yao, Pei ^a  

^a TIANJIN UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; MAGNETRON SPUTTERING; MICROSTRUCTURE; PHOTOLUMINESCENCE; SUPERCONDUCTING FILMS; TEMPERATURE DISTRIBUTION; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

ANNEALING TEMPERATURE; PHOTOLUMINESCENCE PEAK; SILICON CARBONITRIDE (SICN);

SILICON ALLOYS;

EID: 33646886858     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2194208     Document Type: Article

References (30)

1. F. Barreca, E. Fazio, F. Neri, and S. Trusso, Thin Solid Films 433, 34 (2003).
2. T. P. Smirnova et al., Thin Solid Films 429, 144 (2003).
3. E. Q. Xie, Z. W. Ma, H. F. Lin, Z. M. Zhang, and D. Y. He, Opt. Mater. (Amsterdam, Neth.) 23, 151 (2003).
4. L. C. Chen, C. K. Chen, S. L. Wei, D. M. Bhusari, K. H. Chen, Y. F. Chen, Y. C. Jong, and Y. S. Huang, Appl. Phys. Lett. 72, 2463 (1998).
5. K. H. Chena, J. J. Wu, C. Y. Wen, L. C. Chen, C. W. Fan, P. F. Kuo, Y. F. Chen, and Y. S. Huang, Thin Solid Films 355-356, 205 (1999).
6. M. Ishimaru, M. Naito, Y. Hirotsu, and K. E. Sickafus, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 206, 994 (2003).
7. D. Y. Lin et al., Phys. Rev. B 56, 6498 (1997).
8. C. Fernandez-Ramos, J. C. Sanchez-Lopez, T. C. Rojas, and A. Fernandez, Diamond Relat. Mater. 12, 1055 (2003).
9. B. Doucey, M. Cuniot, R. Moudin, F. T́ńgal, J. E. Bouŕe, D. Imhoff, M. Rommelúre, and J. Dixmier, J. Mater. Sci. 37, 2737 (2002).
10. X. M. He, T. N. Taylor, R. S. Lillard, K. C. Walter, and M. Nastasi, J. Phys.: Condens. Matter 12, L591 (2000).
11. L. M. Xiong, J. L. Shi, J. L. Gu, L. Li, W. H. Shen, and Z. L. Hua, Solid State Sci. 6, 1341 (2004).
12. L. D. Wang, J. L. He, X. M. He, J. Wang, Y. H. Wang, W. Z. Li, and H. D. Li, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 135, 397 (1998).
13. J. A. Borders, S. T. Picraux, and W. Beezhold, Appl. Phys. Lett. 18, 509 (1971).
14. D. Girginoudi and A. Thanailakis, J. Appl. Phys. 69, 1490 (1991).
15. W. F. A. Besling, A. Goossens, B. Meester, and J. Schoonman, J. Appl. Phys. 83, 544 (1998).
16. L. S. Liao, X. M. Bao, Z. F. Yang, and N. B. Min, Appl. Phys. Lett. 66, 2382 (1995).
17. G. F. Zou, B. Hu, K. Xiong, H. Li, C. Dong, J. B. Liang, and Y. T. Qian, Appl. Phys. Lett. 86, 181901 (2005).
18. W. G. Spitzer, D. A. Kleinman, and C. J. Frosch, Phys. Rev. 113, 133 (1959).
19. K. B. Sundaram and J. Alizadeh, Thin Solid Films 370, 151 (2000).
20. X. C. Wu, R. Q. Cai, P. X. Yan, W. M. Liu, and J. Tian, Appl. Surf. Sci. 185, 262 (2002).
21. A. J. Steckl, J. N. Su, J. Xu, J. P. Li, C. Yuan, P. H. Yi, and H. C. Mogul, Appl. Phys. Lett. 64, 1419 (1994).
22. C. Yuan, A. J. Stecklb, J. Chaudhuri, R. Thokala, and M. J. Loboda, J. Appl. Phys. 78, 1271 (1995).
23. L. M. Porter and R. F. Davis, Mater. Sci. Eng., B 34, 83 (1995).
24. M. B. Yu, Rusli, S. F. Yoon, S. J. Xu, K. Chew, J. Cui, J. Ahn, and Q. Zhang, Thin Solid Films 377-378, 177 (2000).
25. D. H. Chen, Z. M. Liao, L. Wang, H. Z. Wang, F. L. Zhao, W. Y. Cheung, and S. P. Wong, Opt. Mater. (Amsterdam, Neth.) 23, 65 (2003).
26. S. Tong, X. N. Liu, T. Gao, and X. M. Bao, Appl. Phys. Lett. 71, 698 (1997).
27. H. Z. Song, X. M. Bao, N. S. Li, and X. L. Wu, Appl. Phys. Lett. 72, 356 (1998).
28. D. B. Geohegan, A. A. Puretzky, G. Duscher, and S. J. Pennycook, Appl. Phys. Lett. 72, 2987 (1998).
29. I. E. Tyschenko, L. Rebohle, R. A. Yankov, W. Skorupa, A. Misiuk, and G. A. Kachurin, J. Lumin. 80, 229 (1999).
30. A. Barrancoa, F. Yubero, J. P. Espinós, P. Groening, and A. R. González-Elipe, J. Appl. Phys. 97, 113714 (2005).