Investigation of compositional gradient phase change SixSb 2Te3 thin films

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters

Volumn 46, Issue 1-3, 2007, Pages

  Zhang, Ting ^b   Song, Zhitang ^a   Liu, Bo ^a   Feng, Songlin ^a   Chen, Bomy ^c  

^a SHANGHAI INSTITUTE OF MICROSYSTEM AND INFORMATION TECHNOLOGY   (China)

^b INSTITUTE OF GEOLOGY AND GEOPHYSICS   (China)

^c SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC   (United States)

Author keywords

Chalcogenide material; Chalcogenide random access memory; Compositional gradient; Phase change; SiSbTe

Indexed keywords

CHALCOGENIDES; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; RANDOM ACCESS STORAGE; THIN FILMS; THRESHOLD CURRENT DENSITY; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

COMPOSITIONAL GRADIENT; PULSE LENGTH; THRESHOLD POWER;

PHASE CHANGE MATERIALS;

EID: 34250719000     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.46.L70     Document Type: Article

References (25)

1. S. Lai: IEDM Tech. Dig., 2003, p. 255.
2. B. Liu, T. Zhang, J. L. Xia, Z. T. Song, S. L. Feng, and B. Chen: Semicond. Sci. Technol. 19 (2004) L61.
3. B. Liu, T. Zhang, J. L. Xia, Z. T. Song, S. L. Feng, and B. Chen: Thin Solid Films 478 (2005) 49.
4. B. Liu, Z. T. Song, T. Zhang, S. L. Feng, and B. Chen: Appl. Surf. Sci. 242 (2005) 62.
5. H. Horii, J. H. Yi, J. H. Park, Y. H. Ha, I. G. Baek, S. O. Park, Y. N. Hwang, S. H. Lee, Y. T. Kim, K. H. Lee, U. Chung, and J. T. Moon: VLSI Tech. Dig. Tech. Pap., 2003, p. 177.
6. S. Privitera, E. Rimini, and R. Zonca: Appl. Phys. Lett. 85 (2004) 3044.
7. Y. C. Chen, C. T. Chen, J. Y. Yu, C. Y. Lee, C. F. Chen, S. L. Lung, and R. Liu: IEEE Custom Integrated Circuits Conf., 2003, p. 395.
8. N. Matsuzaki, K. Kurotsuchi, Y. Matsui, O. Tonomura, N. Yamamoto, Y. Fujisaki, N. Kitai, R. Takemura, K. Osada, S. Hanzawa, H. Moriya, T. Iwasaki, T. Kawahara, N. Takaura, M. Terao, M. Matsuoka, and M. Moniwa: IEDM Tech. Dig., 2005, p. 738.
9. S. J. Ahn, Y. N. Hwang, Y. J. Song, S. H. Lee, S. Y. Lee, J. H. Park, C. W. Jeong, K. C. Ryoo, J. M. Shin, J. H. Park, Y. Fai, J. H. Oh, G. H. Koh, G. T. Jeong, S. H. Joo, S. H. Choi, Y. H. Son, J. C. Shin, Y. T. Kim, H. S. Jeong, and K. Kim: VLSI Tech. Dig. Tech. Pap., 2005, p. 98.
10. Y. N. Hwang, S. H. Lee, S. J. Ahn, S. Y. Lee, K. C. Ryoo, H. S. Hong, H. C. Koo, F. Yeung, J. H. Oh, H. J. Kim, W. C. Jeong, J. H. Park, H. Horii, Y. H. Ha, J. H. Yi, G. H. Koh, G. T. Jeong, H. S. Jeong, and K. Kim: IEDM Tech. Dig., 2003, p. 893.
11. Y. N. Hwang, J. S. Hong, S. H. Lee, S. J. Ahn, G. T. Jeong, G. H. Koh, J. H. Oh, H. J. Kim, W. C. Jeong, S. Y. Lee, J. H. Park, K. C. Ryoo, H. Horii, Y. H. Ha, J. H. Yi, W. Y. Cho, Y. T. Kim, K. H. Lee, S. H. Joo, S. O. Park, U. I. Chung, H. S. Jeong, and K. Kim: VLSI Tech. Dig. Tech. Pap., 2003, p. 173.
12. S. L. Cho, J. H. Yi, Y. H. Ha, B. J. Kuh, C. M. Lee, J. H. Park, S. D. Nam, H. Horii, B. O. Cho, K. C. Ryoo, S. O. Park, H. S. Kim, U. I. Chung, J. T. Moon, and B. I. Ryu: VLSI Tech. Dig. Tech. Pap., 2005, p. 96.
13. A. Pirovano, A. L. Lacaita, A. Benvenuti, F. Pelizzer, S. Hudgens, and R. Bez: IEDM Tech. Dig., 2003, p. 699.
14. N. Takaura, M. Terao, K. Kurotsuchi, T. Yamauchi, O. Tonomura, Y. Hanaoka, R. Takemura, K. Osada, T. Kawahara, and H. Matsuoka: IEDM Tech. Dig., 2003, p. 897.
15. S. H. Lee, Y. N. Hwang, S. Y. Lee, K. C. Ryoo, S. J. Ahn, H. C. Koo, C. W. Jeong, Y. T. Kim, C. H. Koh, G. T. Jeong, H. S. Jeong, and K. Kim: Symp. VLSI Tech. Dig. Tech. Pap., 2004, p. 20.
16. F. Pellizzer, A. Pirovano, F. Ottogalli, M. Magistretti, M. Searabaggi, P. Zuliani, M. Tosi, A. Benvenuti, P. Besana, S. Cadeo, T. Marangon, R. Morandi, R. Piva, A. Spandre, R. Zonca, A. Modelli, E. Varesi, T. Lowrey, A. Lacaita, G. Casagrande, P. Cappelletti, and R. Bez: Symp. VLSI Tech. Dig. Tech. Pap., 2004, p. 18.
17. T. Zhang, Z. T. Song, B. Liu, W. L. Liu, S. L. Feng, and B. Chen: to be published in Chin. Phys.
18. C. R. Kagan and P. Andry: Thin-Film Transistors (Marcel Dekker, New York, 2003).
19. J. Y. Yang, W. Zhu, X. H. Gao, S. Q. Bao, X. Fan, X. K. Duan, and J. Hou: J. Phys. Chem. B 110 (2006) 4599.
20. M. Lankhorst, B. Ketelaars, and R. Wolters: Nat. Mater. 4 (2005) 347.
21. W. Wełnic, A. Pamungkas, R. Detemple, C. Steimer, S. Blugel, and M. Wuttig: Nat. Mater. 5 (2006) 56.
22. R. S. Rawat, P. Arun, A. G. Vedeshwar, Y. L. Lam, M. H. Liu, P. Lee, S. Lee, and A. C. H. Huan: Mater. Res. Bull. 35 (2000) 477.
23. B. J. Kooi and J. Th. M. De Hosson: J. Appl. Phys. 95 (2004) 4714.
24. B. J. Kooi, W. M. G. Groot, and J. Th. M. De Hosson: J. Appl. Phys. 95 (2004) 924.
25. L. van Pieterson, M. H. R. Lankhorst, M. van Schijndel, A. E. T. Kuiper, and J. H. J. Roosen: J. Appl. Phys. 97 (2005) 083520.