NiAu Ohmic contacts to p -type Mg-doped CuCr O2 epitaxial layers

Applied Physics Letters

Volumn 90, Issue 14, 2007, Pages

  Lim, W T ^a   Stafford, L ^a   Sadik, P W ^a   Norton, D P ^a   Pearton, S J ^a   Wang, Y L ^b   Ren, F ^b  

^a UNIVERSITY OF FLORIDA   (United States)

^b J Crayton Pruitt Family Department of Biomedical Engineering   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CONTACT RESISTANCE; COPPER COMPOUNDS; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; DOPING (ADDITIVES); GOLD; MAGNESIUM; NICKEL; PHOSPHORUS; PULSED LASER DEPOSITION;

SCHOTTKY BEHAVIORS; TRANSPORT MECHANISMS;

OHMIC CONTACTS;

EID: 34047253039     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2719150     Document Type: Article

References (27)

1. See, for example, in ZnO Bulk, Thin Films and Nanostructures, edited by, C. Jagadish, and, S. J. Pearton, (Elsevier, Oxford, 2006).
2. H. Ohta, K. Kawamura, M. Orita, M. Hirano, N. Sarukura, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 77, 475 (2000).
3. Y. R. Ryu, T. S. Lee, J. H. Leem, and H. W. White, Appl. Phys. Lett. 83, 4032 (2003).
4. X.-L. Guo, J.-H. Choi, H. Tabata, and T. Kawai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 40, L177 (2001).
5. A. Tsukazaki, A. Ohtomo, T. Onuma, M. Ohtani, T. Makino, M. Sumiya, K. Ohtani, S. F. Chichibu, S. Fuke, Y. Segawa, H. Ohno, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Nat. Mater. 4, 42 (2005).
6. A. Tsukazaki, M. Kubota, A. Ohtomo, T. Onuma, K. Ohtani, H. Ohno, S. F. Chichibu, and M. Kawasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 44, L643 (2005).
7. Y. I. Alivov, E. V. Kalinina, A. E. Cherenkov, D. C. Look, B. M. Ataev, A. K. Omaev, M. V. Chukichev, and D. M. Bagnall, Appl. Phys. Lett. 83, 4719 (2003).
8. J. H. Lim, K. K. Kim, and D. K. Hwang, J. Electrochem. Soc. 152, G179 (2005).
9. S. J. Jiao, Z. Z. Zhang, and Y. M. Lu, Appl. Phys. Lett. 88, 031911 (2006).
10. H. Hosono, H. Ohta, K. Hayashi, M. Orita, and M. Hirano, J. Cryst. Growth 237-239, 496 (2001).
11. A. Osinsky, J. W. Dong, M. Z. Kauser, B. Hertog, A. M. Dabiran, P. P. Chow, S. J. Pearton, O. Lopatiuk, and L. Chernyak, Appl. Phys. Lett. 85, 4272 (2004).
12. J. W. Dong, A. Osinsky, B. Hertog, A. M. Dabiran, P. P. Chow, Y. W. Heo, D. P. Norton, and S. J. Pearton, J. Electron. Mater. 34, 416 (2005).
13. Dae-Kue Hwang, Soon-Hyung Kang, Jae-Hong Lim, Eun-Jeong Yang, Jin-Yong Oh, Jin-Ho Yang, and Seong-Ju Park, Appl. Phys. Lett. 86, 222101 (2005).
14. A. Ohtomo, M. Kawasaki, I. Ohkubo, H. Koinuma, T. Yasuda, and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett. 75, 980 (1999).
15. Tadatsugu Minami, Hideki Tanaka, Takahiro Shimakawa, and Toshihiro Miyata, Proc. SPIE 5274, 399 (2004).
16. J. Tate, M. K. Jayaraj, A. D. Draeseke, T. Ulbrich, A. W. Sleight, K. A. Vanaja, R. Nagarajan, J. F. Wager, and R. L. Hoffman, Thin Solid Films 411, 119 (2002).
17. R. Nagarajan, N. Duan, M. K. Jayaraj, J. Li, K. A. Vanaja, A. Yokochi, A. Draeseke, J. Tate, and A. W. Sleight, Int. J. Inorg. Mater. 3, 265 (2001).
18. R. Nagarajan, A. Draeseke, A. W. Sleight, and J. Tate, J. Appl. Phys. 89, 8022 (2001).
19. K. Ip, Y. W. Heo, K. H. Baik, D. P. Norton, S. J. Pearton, and F. Ren, Appl. Phys. Lett. 84, 544 (2004).
20. H. Sheng, N. W. Emanetoglu, S. Muthukumar, B. V. Yakshinskiy, S. Feng, and Y. Lu, J. Electron. Mater. 32, 935 (2003).
21. J.-J. Chen, S. Jang, T. J. Anderson, F. Ren, Y. Li, H.-S. Kim, B. P. Gila, D. P. Norton, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 88, 122107 (2006).
22. S. J. Pearton, K. Ip, R. Khanna, D. P. Norton, F. Ren, I. Kravchenko, C. J. Kao, and G. C. Chi, Appl. Surf. Sci. 252, 1846 (2005).
23. G. Hu, B. Kumar, H. Gong, E. F. Chor, and P. Wu, Appl. Phys. Lett. 88, 101901 (2006).
24. B. S. Kang, J.-J. Chen, F. Ren, Y. Li, H.-S. Kim, D. P. Norton, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 88, 182101 (2006).
25. G. S. Marlow and M. B. Das, Solid-State Electron. 25, 91 (1982).
26. K. A. Rickert, A. B. Ellis, J. K. Kim, J. L. Lee, F. J. Himpsel, F. Dwikusuma, and T. F. Kuech, J. Appl. Phys. 92, 6671 (2002).
27. R. Khanna, K. Ip, Y. W. Heo, D. P. Norton, S. J. Pearton, and F. Ren, Appl. Phys. Lett. 85, 3468 (2004).