Surface layer of SrRu O3 epitaxial thin films under oxidizing and reducing conditions

Journal of Applied Physics

Volumn 101, Issue 2, 2007, Pages

  Mlynarczyk, M ^b   Szot, K ^b   Petraru, A ^b   Poppe, U ^b   Breuer, U ^b   Waser, R ^b   Tomala, K ^a  

^a JAGIELLONIAN UNIVERSITY   (Poland)

^b NONE

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DECOMPOSITION; ELECTRONIC STRUCTURE; FILM GROWTH; POLYCRYSTALLINE MATERIALS; SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY; STOICHIOMETRY; STRONTIUM; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

BEAM ANGLE MEASUREMENTS; METALLIC STATE; SURFACE DETERIORATION; THIN FILM ANNEALINGS;

EPITAXIAL FILMS;

EID: 33847706129     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2408382     Document Type: Article

References (51)

1. P. Lu, F. Chu, Q. X. Jia, and T. E. Mitchell, J. Mater. Res. 13, 2302 (1998).
2. X. D. Wu, S. R. Foltyn, R. C. Dye, Y. Coulter, and R. E. Muenchausen, Appl. Phys. Lett. 62, 2434 (1993).
3. A. P. Mackenzie, J. W. Reiner, A. W. Tyler, L. M. Galvin, S. R. Julian, M. R. Beasley, T. H. Geballe, and A. Kapitulnik, Phys. Rev. B 58, R13318 (1998).
4. S. C. Gausepohl, M. Lee, R. A. Rao, and C. B. Eom, Phys. Rev. B 54, 8996 (1996).
5. R. A. Rao, D. B. Kacedon, and C. B. Eom, J. Appl. Phys. 83, 6995 (1998).
6. M. Wohlfahrt-Mehrens, J. Schenk, P. M. Wilde, E. Abdelmula, P. Axmann, and J. Garche, J. Power Sources 105, 182 (2002).
7. G. N. Banerjee, R. N. Bhowmik, and R. Ranganathan, J. Phys.: Condens. Matter 13, 9481 (2001).
8. C. Bansal, H. Kawanaka, R. Takahashi, and Y. Nishihara, J. Alloys Compd. 360, 47 (2003).
9. C. S. Alexander, G. Cao, S. McCall, and J. E. Crow, J. Appl. Phys. 85, 6223 (1999).
10. H.-M. Christen, L. A. Boatner, J. D. Budai, M. F. Chisholm, L. A. Gea, D. P. Norton, C. Gerber, and M. Urbanik, Appl. Phys. Lett. 70, 2147 (1997).
11. M. Hiratani, C. Okazaki, K. Imagawa, and K. Takagi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 6212 (1996).
12. S. H. Oh and C. G. Park, J. Appl. Phys. 95, 4691 (2004).
13. L. Míville, T. H. Geballe, L. Antognazza, and K. Char, Appl. Phys. Lett. 70, 126 (1997).
14. P. Khalifah, I. Ohkubo, H. M. Christen, and D. G. Mandrus, Phys. Rev. B 70, 134426 (2004).
15. I. Stolichnov, A. Tagantsev, N. Setter, J. S. Cross, and M. Tsukada, Appl. Phys. Lett. 75, 1790 (1999).
16. M. Hrovat, S. Bernik, J. Holc, T. Padeznik, and M. Kosec, J. Mater. Sci. 35, 1725 (2000).
17. R. Domel, C. L. Jia, C. Copetti, G. Ockenfuss, and A. I. Braginski, Supercond. Sci. Technol. 7, 277 (1994).
18. T. Yoshimura and S. Trolier-McKinstry, Appl. Phys. Lett. 81, 2065 (2002).
19. C. H. Ahn, Appl. Phys. Lett. 70, 206 (1997).
20. C. L. Chen, Appl. Phys. Lett. 71, 1047 (1997).
21. Y. L. Qin, C. L. Jia, K. Urban, J. H. Hao, and X. X. Xi, J. Cryst. Growth 252, 279 (2003).
22. S. H. Oh and C. G. Park, Philos. Mag. 83, 1307 (2003).
23. K. Szot, W. Speier, J. Herion, and Ch. Freiburg, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 64, 55 (1997).
24. D. Halley, C. Rossel, D. Widmer, H. Wolf, and S. Gariglio, Mater. Sci. Eng., B 109, 113 (2004).
25. X. Fang and T. Kobayashi, J. Appl. Phys. 90, 162 (2001).
26. S. S. Kim, T. S. Kang, and J. H. Je, J. Appl. Phys. 90, 4407 (2001).
27. Q. Gan, R. A. Rao, and C. B. Eom, Appl. Phys. Lett. 70, 1962 (1997).
28. Z. R. Dai, S. Y. Son, B. S. Kim, D. K. Choi, and F. S. Ohuchi, Mater. Res. Bull. 34, 933 (1999).
29. S. Ohashi, M. Lippmaa, N. Nakagawa, H. Nagasawa, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Rev. Sci. Instrum. 70, 178 (1999).
30. M. A. López de la Torre, Z. Sefrioui, D. Arias, M. Varela, J. E. Villegas, C. Ballesteros, C. León, and J. Santamaría, Phys. Rev. B 63, 052403 (2001).
31. N. Okuda, K. Saito, and H. Funakubo, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 39, 572 (2000).
32. J. P. Mercurio, J. H. Yi, M. Manier, and P. Thomas, J. Alloys Compd. 308, 77 (2000).
33. E. Vasco, R. Dittmann, S. Karthäuser, and R. Waser, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 79, 1461 (2004).
34. C. L. Jia, J. Rodríguez Contreras, U. Poppe, H. Kohlstedt, R. Waser, and K. Urban, J. Appl. Phys. 92, 101 (2002).
35. C. L. Jia, J. Rodríguez Contreras, J. Schubert, M. Lentzen, U. Poppe, H. Kohlstedt, K. Urban, and R. Waser, J. Cryst. Growth 247, 381 (2003).
36. H. N. Lee, H. M. Christen, M. F. Chisholm, C. M. Rouleau, and D. H. Lowndes, Appl. Phys. Lett. 84, 4107 (2004).
37. J. Shin, S. V. Kalinin, H. N. Lee, H. M. Christen, R. G. Moore, E. W. Plummer, and A. P. Baddorf, Surf. Sci. 581, 118 (2005).
38. L. Klein, J. S. Dodge, C. H. Ahn, J. W. Reiner, L. Mieville, T. H. Geballe, M. R. Beasley, and A. Kapitulnik, J. Phys.: Condens. Matter 8, 10111 (1996).
39. L. J. van der Pauw, Philips Tech. Rev. 20, 220 (1958).
40. J. Lin, K. Natori, Y. Fukuzumi, M. Izuha, K. Tsunoda, K. Eguchi, K. Hieda, and D. Matsunaga, Appl. Phys. Lett. 76, 2430 (2000).
41. D. Halley, C. Rossel, D. Widmer, H. Wolf, and S. Gariglio, Mater. Sci. Eng., B 109, 113 (2004).
42. A. J. Hartmann, M. Neilson, R. N. Lamb, K. Watanabe, and J. F. Scott, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 70, 239 (2000).
43. K. Szot, W. Speier, U. Breuer, R. Meyer, J. Szade, and R. Waser, Surf. Sci. 460, 112 (2000).
44. P. J. Cumpson and M. P. Seah, Surf. Interface Anal. 25, 430 (1997).
45. Y. Liang and D. Bonnell, J. Am. Ceram. Soc. 78, 2633 (1995).
46. R. Ohara, T. Schimizu, K. Sano, M. Yoshiki, and T. Kawakubo, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 40, 1384 (2001).
47. M. V. Rama Rao, V. G. Sathe, D. Sornadurai, B. Panigrahi, and P. Shripathi, J. Phys. Chem. Solids 62, 797 (2001).
48. D. Singh, J. Appl. Phys. 79, 4818 (1996).
49. G. Bertsche, W. Clauss, F. E. Prins, and D. P. Kern, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2833 (1998).
50. L. Pellegrino, I. Pallecchi, D. Marŕ, E. Bellingeri, and A. S. Siri, Appl. Phys. Lett. 81, 3849 (2002).
51. F. Peter, A. Rdriger, R. Dittmann, R. Waser, K. Szot, B. Reichenberg, and K. Prume, Appl. Phys. Lett. 87, 082901 (2005).