SrRuO3/(Ba, Sr)TiO3/SrRuO3 capacitor annealed in the forming gas with and without oxygen addition

Applied Physics Letters

Volumn 76, Issue 17, 2000, Pages 2430-2432

  Lin, Jun ^a   Natori, Katsuaki ^a,b   Fukuzumi, Yoshiaki ^a,b   Izuha, Mitsuaki ^a,b   Tsunoda, Kohji ^a   Eguchi, Kazuhiro ^a,b   Hieda, Katsuhiko ^a,b   Matsunaga, Daisuke ^a  

^a FUJITSU LABORATORIES LTD   (Japan)

^b TOSHIBA CORPORATION   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001270208     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.126366     Document Type: Article

References (26)

1. Q. X. Jia, X. D. Wu, S. R. Foltyn, and P. Tiwari, Appl. Phys. Lett. 66, 2197 (1995).
2. S. Y. Hou, J. Kwo, R. K. Watts, J.-Y. Cheng, and D. K. Fork, Appl. Phys. Lett. 67, 1387 (1995).
3. L. A. Wills and J. Amano, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 361, 471 (1995).
4. S. Y. Hou, J. Kwo, R. K. Watts, J.-Y. Cheng, R. J. Cava, W. F. Peck, Jr., and D. K. Fork, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 361, 99 (1995).
5. C. M. Foster, R. Csencsits, P. M. Baldo, G. R. Bai, Z. Li, L. E. Rehn, L. A. Wills, R. Hiskes, D. Dimos, and M. B. Sinclair, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 361, 307 (1995).
6. M. Izuha, K. Abe, M. Koike, S. Takeno, and N. Fukushima, Appl. Phys. Lett. 70, 1405 (1997).
7. M. Izuha, K. Abe, and N. Fukushima, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 5866 (1997).
8. K. Hieda, K. Eguchi, N. Fukushima, T. Aoyama, K. Natori, M. Kiyotoshi, S. Yamazaki, M. Izuha, S. Niwa, Y. Fukuzumi, Y. Ishibashi, Y. Kohyama, T. Arikado, and K. Okumura, IEDM Tech. Dig., 807 (1998).
9. J. F. Scott, M. Azuma, A. C. Paz de Araujo, L. D. Mcmillan, M. C. Scott, and Roberts, Integr. Ferroelectr. 4, 61 (1994).
10. J. F. Scott, Integr. Ferroelectr. 9. 1 (1995).
11. C. S. Hwang, B. T. Lee, S. O. Park, J. W. Kim, H.-J. Cho, C. S. Kang, H. Horii, S. I. Lee, and M. Y. Lee, Integr. Ferroelectr. 13, 137 (1996).
12. Y. Shimadu, Y. Inone, T. Nasu, K. Arita, Y. Nagano, A. Matsuda, Y. Uemoto, E. Fujii, M. Azuma, Y. Oishi, S. Hayashi, and T. Otsuki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 140 (1996).
13. G. W. Dietz, M. Schumacher, R. Waser, S. K. Streiffer, C. Basceri, and A. I. Kingon, J. Appl. Phys. 82, 2359 (1997).
14. S. Zafar, R. E. Jones, B. Jiang, B. White, P. Chu, D. Tayler, and S. Gillespie, Appl. Phys. Lett. 73, 3533 (1998).
15. C. S. Wang, B. T. Lee, C. S. Kang, J. W. Kim, K. H. Lee, H.-J. Cho, H. Horri, W. D. Kim, S. I. Lee, Y. B. Roh, and M. Y. Lee, J. Appl. Phys. 83, 3703 (1998).
16. J. M. Lee, S. Y. Kang, J. C. Shin, W. J. Kim, C. S. Hwang, and H. J. Kim, Appl. Phys. Lett. 74, 3489 (1999).
17. P.-Y. Lesaicherre, S. Yamamichi, K. Takemura, H. Yamaguchi, K. Tokashiki, Y. Miyasaka, M. Yoshida, and H. Ono, Integr. Ferroelectr. 11, 81 (1995).
18. K. Kishiro, N. Inoue, S. C. Chen, and M. Yoshimaru, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 1336 (1998).
19. J. Lin, M. Nakabayasi, A. Tsukune, and M. Yamada, Appl. Phys. Lett. 74, 2370 (1999).
20. K. Kushida-Abdelghafar, H. Miki, K. Torii, and Y. Fujisaki, Appl. Phys. Lett. 69, 3188 (1996).
21. J.-P. Han and T. P. Ma, Appl. Phys. Lett. 71, 1267 (1997).
22. Y. Shimamoto, K. Kushida-Abdelghafar, H. Miki, and Y. Fujisaki, Appl. Phys. Lett. 70, 3096 (1997).
23. S. Zafar, V. Kaushik, P. Leberge, P. Chu, R. E. Jones, R. L. Hance, P. Zucher, B. E. White, D. Taylor, B. Melnick, and S. Gillespie, J. Appl. Phys. 82, 4469 (1997).
24. T. Hase, T. Noguchi, and Y. Miyasaka, Integr. Ferroelectr. 6, 81 (1997).
25. N. Ikarashi, Appl. Phys. Lett. 73, 1955 (1998).
26. S. Aggarwal, S. R. Perusse, C. W. Tipton, R. Ramesh, H. D. Drew, T. Venkatesan, D. B. Romero, V. B. Podobedov, and A. Weber, Appl. Phys. Lett. 73, 1973 (1998).