InGaN/AIGaN near-ultraviolet multiple quantum well light-emitting diodes with p-InGaN tunneling contact layer

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 22, Issue 3, 2004, Pages 1020-1022

  Chen, C H ^a   Chang, S J ^b   Su, Y K ^b  

^a CHENG SHIU UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CONCENTRATION (PROCESS); ELECTRIC POTENTIAL; ELECTRODES; ELECTROLUMINESCENCE; ELECTRON TUNNELING; LIGHT EMITTING DIODES; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; OHMIC CONTACTS; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; ULTRAVIOLET RADIATION;

CONTACT RESISTANCE; HOLE CONCENTRATION; SHORT PERIOD SUPERLATTICES (SPS); TUNNELING CONTACT LAYERS;

SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

EID: 3142537428     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1688362     Document Type: Conference Paper

References (18)

1. J. K. Ho, C. S. Jong, C. C. Chiu, C. N. Huang, K. K. Shih, L. C. Chen, F. R. Chen, and J. J. Kai, J. Appl. Phys. 86, 4491 (1999).
2. L. W. Wu, S. J. Chang, T. C. Wen, Y. K. Su, W. C. Lai, C. H. Kuo, C. H. Chen, and J. K. Sheu, IEEE J. Quantum Electron. 38, 446 (2002).
3. Y. L. Li, E. F. Schubert, J. W. Graff, A. Osinsky, and W. F. Schaff, Appl. Phys. Lett. 76, 2728 (2000).
4. P. Kozodoy, M. Hansen, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 74, 3678 (1999).
5. I. D. Goepfert, E. F. Schubert, A. Osinsky, P. E. Norris, and N. N. Faleev, J. Appl. Phys. 88, 2030 (2000).
6. K. Kumakura and N. Kobayashi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38, L1012 (1999).
7. J. K. Sheu, G. C. Chi, and M. J. Jou, IEEE Electron Device Lett. 22, 160 (2001).
8. A. Kinoshita, H. Hirayama, M. Ainoya, Y. Aoyagi, and A. Hirata, Appl. Phys. Lett. 77, 175 (2000).
9. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Matsushita, and T. Mukai, Appl. Phys. Lett. 76, 22 (2000).
10. J. K. Sheu, J. M. Tsai, S. C. Shei, W. C. Lai, T. C. Wen, C. H. Kou, Y. K. Su, S. J. Chang, and G. C. Chi, IEEE Electron Device Lett. 22, 460 (2001).
11. T. Gessmann, Y. L. Li, E. L. Waldron, J. W. Graff, E. F. Scuubert, and J. K. Sheu, Appl. Phys. Lett. 80, 986 (2002).
12. S. Yamasaki, S. Asami, N. Shibata, M. Koike, K. Manabe, T. Tanaka, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett, 66, 1112 (1995).
13. K. Kumakura, T. Makimoto, and N. Kobayashi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 39, L195 (2000).
14. K. Kumakura, T. Makimoto, and N. Kobayashi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 39, L337 (2000).
15. C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, G. C. Chi, J. K. Sheu, and J. F. Chen, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 8, 284 (2002).
16. C. H. Chen, Y. K. Su, S. J. Chang, G. C. Chi, J. K. Sheu, J. F. Chen, C. H. Liu, and U. H. Liaw, IEEE Electron Device Lett. 23, 130 (2002).
17. C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, G. C. Chi, J. Y. Chi, C. A. Chang, J. K. Sheu, and J. F. Chen, IEEE Photonics Technol. Lett. 13, 848 (2001).
18. C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, G. C. Chi, J. K. Sheu, and I. C. Lin, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 40, 2762 (2001).