Demonstration and dynamic analysis of trapping of hot electrons at gate edge model for current collapse and gate lag in GaN-based high-electron-mobility transistor including self-heating effect

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 24, 2006, Pages

  Hu, W D ^a   Chen, X S ^a   Quan, Z J ^a   Xia, C S ^a   Lu, W ^a   Yuan, H J ^b  

^a SHANGHAI INSTITUTE OF TECHNICAL PHYSICS   (China)

^b SYNOPSYS INC   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BAND STRUCTURE; ELECTRIC CHARGE; ELECTRIC FIELD EFFECTS; ELECTRON TRAPS; MATHEMATICAL MODELS; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; TRANSISTORS;

DYNAMIC ANALYSIS; GATE EDGE MODELS; GATE PULSE VOLTAGE; HOT ELECTRONS;

ELECTRON MOBILITY;

EID: 33845807410     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2405416     Document Type: Article

References (21)

1. N. Braga, R. Gaska, R. Mickevicius, M. S. Shur, X. Hu, M. A. Khan, G. Simin, and J. Yang, Appl. Phys. Lett. 85, 4780 (2004).
2. T. Hashizume, S. Ootomo, and H. Hasegawa, Appl. Phys. Lett. 83, 2952 (2003).
3. P. B. Klein, S. C. Binari, K. Ikossi-Anastasiou, A. E. Wickenden, D. D. Koleske, R. L. Henry, and D. S. Katzer, Electron. Lett. 0013-5194 10.1049/el:20010434 37, 661 (2001); R. Vetury, N. Q. Zhang, S. Keller, and U. K. Mishra, IEEE Trans. Electron Devices 48, 560 (2001).
4. P. B. Klein, S. C. Binari, K. Ikossi-Anastasiou, A. E. Wickenden, D. D. Koleske, R. L. Henry, and D. S. Katzer, Electron. Lett. 0013-5194 10.1049/el:20010434 37, 661 (2001); R. Vetury, N. Q. Zhang, S. Keller, and U. K. Mishra, IEEE Trans. Electron Devices 48, 560 (2001).
5. A. Koudymov, G. Simin, M. A. Khan, A. Tarakji, R. Gaska, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett. 24, 680 (2003).
6. O. Mitrofanov and M. Manfra, Appl. Phys. Lett. 84, 422 (2004).
7. X. Hu, A. Koudymov, G. Simin, J. Yang, M. A. Khan, A. Tarakji, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 79, 2832 (2001).
8. W. Saito, M. Kuraguchi, Y. Takada, K. Tsuda, I. Omura, and T. Ogura, IEEE Electron Device Lett. 52, 159 (2005).
9. P. D. Ye, B. Yang, K. K. Ng, J. Bude, G. D. Wilk, S. Halder, and J. C. M. Hwang, Appl. Phys. Lett. 86, 063501 (2005).
10. S. C. Binari, K. Ikossi, J. R. Roussos, W. Kruppa, D. Park, H. Dietrich, D. D. Koleske, A. E. Wickenden, and R. L. Henry, IEEE Trans. Electron Devices 48, 565 (2001).
11. N. Braga, R. Gaska, R. Mickevicius, M. S. Shur, X. Hu, M. A. Khan, G. Simin, and J. Yang, J. Appl. Phys. 95, 6409 (2004).
12. Device simulator DESSIS Version 10.06, Synopsys ISE-TCAD Manual ISE Corp., 2005.
13. O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, W. J. Schaff, L. F. Eastman, R. Dimitrov, L. Wittmer, M. Stutzmann, W. Rieger, and J. Hilsenbeck, J. Appl. Phys. 87, 334 (2000).
14. X. H. Wu, L. M. Brown, D. Kapolnek, S. Keller, B. Keller, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 80, 3228 (1996).
15. J. Zou, D. Kotchetkov, A. A. Balandin, D. I. Florescu, and F. H. Pollak, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1497704 92, 2534 (2002); R. Gaska, Q. Chen, J. Yang, A. Osinsky, M. A. Khan, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett. 18, 492 (1997).
16. J. Zou, D. Kotchetkov, A. A. Balandin, D. I. Florescu, and F. H. Pollak, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1497704 92, 2534 (2002); R. Gaska, Q. Chen, J. Yang, A. Osinsky, M. A. Khan, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett. 18, 492 (1997).
17. R. Gaska, A. Osinsky, J. W. Yang, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett. 0741-3106 10.1109/55.661174 19, 89 (1998); J. C. Her, K. M. Lee, S. C. Lee, J. H. Lee, J. E. Oh, M. K. Han, and K. S. Seo, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 44, 2726 (2005).
18. R. Gaska, A. Osinsky, J. W. Yang, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett. 0741-3106 10.1109/55.661174 19, 89 (1998); J. C. Her, K. M. Lee, S. C. Lee, J. H. Lee, J. E. Oh, M. K. Han, and K. S. Seo, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 44, 2726 (2005).
19. G. Simin, A. Koudymov, A. Tarakji, X. Hu, J. Yang, M. A. Khan, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 79, 2651 (2001).
20. B. Gelmont, M. Shur, and C. Moglestue, IEEE Trans. Electron Devices 39, 1216 (1992).
21. A. Koudymov, V. Adivarahan, J. Yang, G. Simin, and M. A. Khan, IEEE Electron Device Lett. 26, 704 (2005).