Surface investigation of a cubic AIN buffer layer and GaN grown on Si (111) and Si (100) as revealed by atomic force microscopy

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 49, Issue 3, 2006, Pages 1092-1096

  Bae, M K ^a   Shin, D H ^a   Yi, S N ^a   Na, J H ^b   Green, A M ^b   Taylor, R A ^b   Park, S H ^c   Kang, N L ^d  

^a Korea Maritime University   (South Korea)

^b UNIVERSITY OF OXFORD   (United Kingdom)

^c Catholic University of Daegu   (South Korea)

^d Miryang National University   (South Korea)

Author keywords

AFM; ALN; GaN; Saw tooth shape; Si

Indexed keywords

EID: 33749859225     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (30)

1. S. Nakamura, J. Cryst. Growth 201-202, 290 (1999).
2. A. Osinsky, S. Gangopadhyay, R. Gaska, B. Williams, M. A. Khan, D. Kuksenkov and H. Temkin, Appl. Phys. Lett. 71, 2334 (1997).
3. J. M. Van Hove, R. Hickman, J. J. Klassen, P. P. Chow and P. P. Ruden, Appl. Phys. Lett. 70, 2282 (1997).
4. S. T. Kim, Y. J. Lee, S. H. Chung and D. C. Moon, J. Korean Phys. Soc. 33, S313 (1998).
5. T. Takeuchi, H. Amano, K. Hiramatsu, N. Sawaki and I. Akasaki, J. Cryst. Growth 115, 634 (1999).
6. L. Liu and J. H. Edgar, Materials Science and Engineering R 37, 61 (2002).
7. S. N. Yi, H. S. Ahn, M. Yang, K. H. Kim, H. Kim, J. Y. Yi, J. H. Chang, H. S. Kim, S. C. Lee and S. W. Kim, J. Korean Phys. Soc. 45, S598 (2004);
8. D. K. Kim and C. B. Park, J. Korean Phys. Soc. 47, 1006 (2005).
9. A. Bourret, A. Barski, J. L. Rouviere, G. Renaud and A. Barbier, J. Appl. Phys. 83, 2003 (1998);
10. K. J. Kim, H. S. Han and C. R. Lee, J. Korean Phys. Soc. 47, S500 (2005).
11. H. M. Liaw, R. Doyle, P. L. Fejes, S. Zollner, A. Konkar, K. J. Linthicum, T. Gehrke and R. F. Davis, Solid-State Electron. 44, 747 (2000).
12. R. Rinaldi, S. Antonaci, M. Anni, M. Lomascolo, R. Cingolani, A. Botchkarev and H. Morkoc, Phys. Stat. Sol. (b) 216, 701 (1999).
13. M. H. Xie, S. M. Seutter, W. K. Zhu, L. X. Zheng, Huasheng Wu and S. Y. Tong, Phys. Rev. Lett. 82, 2749 (1999).
14. L. Dobos, B. Pecz, E. Feltin, B. Beaumont and P. Gibart, Vacuum 71, 285 (2003).
15. Y. Lu, X. Liu, X. Wang, D. C. Lu, D. Li, X. Han, G. Cong and Z. Wang, J. Cryst. Growth 263, 4 (2004).
16. A. Matsuse, N. Grandjean, B. Damilano and J. Massies, J. Cryst. Growth 274, 387 (2005).
17. Y. Lu, X. Liu, D. C. Lu, H. Yuan, G. Hu, X. Wang, Z. Wang and X. Duan, J. Cryst. Growth 247, 91 (2003).
18. K. Y. Zang, L. S. Wang, S. J. Chua and C. V. Thompson, J. Cryst. Growth 268, 515 (2004).
19. S. Okubo, N. Shibata, T. Saito and Y. Ikuhara, J. Cryst. Growth 189-190, 452 (1998).
20. A. Madan, I. W. Kim, S. C. Cheng, P. Yashar, V. P. Dravid and S. A. Barnett, Phys. Rev. Lett. 78, 1743 (1997).
21. T. Ohachi, T. Kikuchi, Y. Ito, R. Takagi, M. Hogiri, K. Miyauchi, M. Wada, Y. Ohnishi and K. Fujita, Phys. Stat. Sol. (c) 0, 2589 (2003).
22. T. Kitamura, Y. Ishida, X. Q. Shen, H. Nakanishi, S. F. Chichibu, M. Shimizu and H. Okumura, Phys. Stat. Sol. (b) 228, 599 (2001).
23. B. C. Vartuli, J. S. Pearton, W. J. Lee, R. C. Abernathy, D. J. Mackenzie, C. J. Zdper, J. R. Shul and F. Ren, J. Electrochem. Soc. 143, 3681 (1996).
24. M. H. Kim, C. Sone, I. H. Yi and E. Yoon, Appl. Phys. Lett. 71, 1228 (1997).
25. X. H. Wu, D. Kapolnek, E. J. Tarsa, B. Heying, S. Keller, B. P. Keller, U. K. Mishra, S. P. DenBaars and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 68, 1371 (1996).
26. R. Liu, F. A. Ponce, A. Dadgar and A. Krost, Appl. Phys. Lett. 83, 860 (2003).
27. K. Y. Zang, L. S. Wang, S. J. Chua and C. V. Thompson, J. Cryst. Growth 268, 515 (2004).
28. A. Zur, T. C. McGill and M.-A. Nicolet, J. Appl. Phys. 57, 600 (1985).
29. D. Zhuang, J. H. Edgar, Lianghong Liu and B. Liu, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 7, 4 (2002).
30. M. H. Xie, S. M. Seutter, W. K. Zhu, L. X. Zheng, H. Wu and S. Y. Tong, Phys. Rev. Lett. 82, 2749 (1999).