Wet chemical etching of AlN and InAlN in KOH solutions

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 143, Issue 11, 1996, Pages 3681-3684

  Vartuli, C B ^a,d   Pearton, S J ^a,d   Lee, J W ^a,d   Abernathy, C R ^a,d   Mackenzie, J D ^a,d   Zolper, J C ^b,d   Shul, R J ^b,d   Ren, F ^c,d  

^a University of Florida   (United States)

^b SANDIA NATIONAL LABORATORIES   (United States)

^c LUCENT TECHNOLOGIES   (United States)

^d ELECTROCHEMICAL SOCIETY

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVATION ENERGY; ANNEALING; COMPOSITION EFFECTS; CRYSTAL STRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; POTASSIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING SILICON; SEMICONDUCTOR DOPING; THERMAL EFFECTS;

REACTIVE SPUTTERING; WET CHEMICAL ETCHING;

ETCHING;

EID: 0030290677     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1837271     Document Type: Article

References (34)

1. S. Nakamura, M. Senoh, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., 30, L1708 (1991).
2. S. C. Binari, L. B. Rowland, W. Kruppa, G. Keiner, K. Doverspike, and D. K. Gaskill, Electron. Lett., 30, 1248 (1994).
3. M. A. Khan, M. S. Shur, and Q. Chen, ibid., 31, 2130 (1995).
4. M. A. Khan, J. N. Kuznia, A. R. Bhattarai, and D. T. Olson, Appl. Phys. Lett., 62, 1248 (1993).
5. S. Nakamura, M. Senoh, and T. Mukai, ibid., 62, 2390 (1993).
6. I. Akasaki, H. Amano, M. Kito, and K. Kiramatsu, J. Lumin., 48/49, 666 (1991).
7. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, and S. Nagahama, Appl. Phys. Lett., 67, 1868 (1995).
8. J. C. Zolper, A. G. Baca, R. J. Shul, R. G. Wilson, S. J. Pearton, and R. A. Stall, ibid., 68, 166 (1996).
9. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys., 35, L74 (1996).
10. I. Adesida, A. Mahajan, E. Andideh, M. Asif-Khan, D. T. Olsen, and J. N. Kuznia, Appl. Phys. Lett., 63, 2777 (1993).
11. M. E. Lin, Z. F. Zan, Z. Ma, L. H. Allen, and H. Morkoc, ibid., 64, 887 (1994).
12. A. T. Ping, I. Adesida, M. Asif-Khan, and J. N. Kuznia, Electron. Lett., 30, 1895 (1994).
13. H. Lee, D. B. Oberman, and J. S. Harris, Jr., Appl. Phys. Lett., 67, 1754 (1995).
14. S. J. Pearton, C. R. Abernathy, F. Ren, J. R. Lothian, P. W. Wisk, A. Katz, and C. Constantine, Semicond. Sci. Technol., 8, 310 (1993).
15. S. J. Pearton, C. R. Abernathy, and F. Ren, Appl. Phys. Lett., 64, 2294 (1994).
16. L. Zhang, J. Ramer, K. Zheng, L. F. Lester, and S. D. Hersee, Paper presented at MRS Fall Meeting, Boston, MA (1995).
17. R. J. Shul, S. P. Kilcoyne, M. Hagerott-Crawford, J. E. Parmeter, C. B. Vartuli, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett., 66, 1761 (1995).
18. R. J. Shul, S. J. Pearton, and C. R. Abernathy, Abstract 311, p. 412, The Electrochemical Society Meeting Abstracts, Vol. 96-1, Los Angeles, CA, May 5-10, 1996.
19. C. B. Vartuli, S. J. Pearton, J. W. Lee, J. Hong, J. D. MacKenzie, C. R. Abernathy, and R. J. Shul, Appl. Phys. Lett., 69, 1426 (1996).
20. K. M. Taylor and C. Lenie, This Journal, 107, 308 (1960).
21. G. Long and L. M. Foster, J. Am. Ceram. Soc., 42, 53 (1959).
22. N. J. Barrett, J. D. Grange, B. J. Sealy, and K. G. Stephens, J. Appl. Phys., 57, 5470 (1985).
23. C. R. Aita and C. J. Gawlak, J. Vac. Sci. Technol., A1, 403 (1983).
24. G. R. Kline and K. M. Lakin, Appl. Phys. Lett., 43, 750 (1983).
25. T. Pauleau, This Journal, 129, 1045 (1982).
26. T. Y. Sheng, Z. Q. Yu, and G. J. Collins, Appl. Phys. Lett., 52, 576 (1988).
27. J. R. Mileham, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, J. D. MacKenzie, R. J. Shul, and S. P. Kilcoyne, ibid., 67, 1119 (1995).
28. Q. X. Guo, O. Kato, and Y. Yoshida, This Journal, 139, 2008 (1992).
29. J. C. Zolper, M. Hagerott-Crawford, A. J. Howard, J. Rainer, and S. D. Hersee, Appl. Phys. Lett., 68, 200 (1996).
30. M. E. Lin, B. N. Sverdlov, and H. Morkoc, ibid., 63, 3625 (1993).
31. J. C. Zolper, D. J. Reiger, A. G. Baca, S. J. Pearton, J. W. Lee, and R. A. Stall, ibid., 68, 3412 (1996).
32. C. R. Abernathy, J. Vac. Sci. Technol., A11, 869 (1993).
33. C. R. Abernathy, Mater. Sci. Eng. Rep., 14, 203 (1995).
34. C. R. Abernathy, J. D. MacKenzie, S. R. Bharatan, K. S. Jones, and S. J. Pearton, J. Vac. Sci. Technol., A13, 716 (1995).