Low-frequency noise in high-k gate dielectric nanoscale MOSFETs

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 49, Issue 3, 2006, Pages 1117-1120

  Han, I K ^a   Nam, H D ^a   Choi, W J ^a   Lee, J I ^a   Szentpali, B ^b   Chovet, A ^c  

^a Korea Institute of Science and Technology   (South Korea)

^b RESEARCH INSTITUTE FOR TECHNICAL PHYSICS AND MATERIALS SCIENCE   (Hungary)

^c CNRS   (France)

Author keywords

1 f noise; High k dielectric; MOSFETs; Tunneling

Indexed keywords

EID: 33749837876     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (16)

1. G. D. Wilk, R. M. Wallace and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).
2. R. Jayaraman and C. G. Sodini, IEEE Trans. Electron Dev. 36, 1773 (1989).
3. E. Simoen, A. Mercha, L. Pantisano, C. Claeys and E. Young, IEEE Trans. Electron Dev. 51, 780 (2004).
4. A. Kerber, E. Cartier, L. Pantisano, R. Degraeve, T. Kauerauf, Y. Kim, A. Hou, G. Groeseneken, H. E. Maes and U. Schwalke, IEEE Electron Dev. Lett. 24, 87 (2003).
5. S. Mudanai, F. Li, S. B. Samavedam, P. J. Tobin, C. S. Kang, R. Nieh, J. C. Lee, L. F. Register and S. K. Banerjee, IEEE Electron Dev. Lett. 23, 728 (2002).
6. W. J. Zhu, T. P. Ma, S. Zafar and T. Tamagawa, IEEE Electron Dev. Lett. 23, 597 (2002).
7. E. Simoen, A. Mercha, C. Claeys and E. Young, Appl. Phys. Lett. 85, 1057 (2004).
8. J. W. Park and S. J. Kim, J. Korean Phys. Soc. 47, 182 (2005);
9. J. Koo and H. Jeon, J. Korean Phys. Soc. ibid 46, 945 (2005);
10. T. Kanashima et al., J. Korean Phys. Soc. ibid 46, 258 (2005).
11. K. K. Hung, P. K. Ko, C. Hu and Y. C. Cheng, IEEE Trans. Electron Dev. 37, 654 (1990).
12. G. Ghibaudo, O. Roux, C. Nguyen-Duc, F. Balestra and J. Brini, Phys. Stat. Sol. A. 124, 571 (1992).
13. J. I. Lee, J. Brini, A. Chovet and C. A. Dimitriadis, Solid-State Electron. 43, 2181 (1999).
14. Z. Celik-Butler, Proc. of SPIE 5844, 177 (2005).
15. I. K. Han, J. I. Lee, M. B. Lee, S. K. Chang and E. K. Kim, J. Korean Phys. Soc. 45, S949 (2004).
16. H. D. Nam, H. S. Yang, J. I. Lee, A. Chovet, B. Szentpali and E. K. Kim, Proc. SPIE 5844, 200 (2005).