Zinc oxide doped indium oxide ohmic contacts to p-Type GaN

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 153, Issue 11, 2006, Pages

  Chen, Lung Chien ^a,c   Chen, Chih Ming ^a   Liu, Chie Sheng ^b   Hong, Lu Sheng ^b  

^a NATIONAL TAIPEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Taiwan)

^b NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (Taiwan)

^c ELECTROCHEMICAL SOCIETY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CONTACT RESISTANCE; OUTPUT POWER; ROOM TEMPERATURE; TRANSMISSION LINE MODEL;

DOPING (ADDITIVES); ELECTRIC RESISTANCE; ELECTROCHEMICAL ELECTRODES; GALLIUM NITRIDE; INDIUM COMPOUNDS; LIGHT EMITTING DIODES; QUANTUM EFFICIENCY; ZINC OXIDE;

OHMIC CONTACTS;

EID: 33749594708     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2337769     Document Type: Article

References (24)

1. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett., 64, 1687 (1994).
2. T. Mukai, M. Yamada, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 38, 3976 (1999).
3. L. C. Chen and Y. L. Huang, Solid-State Electron., 48, 1239 (2004).
4. L. C. Chen and H. C. Feng, Phys. Status Solidi A, 202, 2836 (2005).
5. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matusshita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Appl. Phys. Lett., 72, 2014 (1998).
6. Y. K. Su, Y. Z. Chiou, F. S. Juang, S. J. Chang, and J. K. Sheu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 40, 2996 (2001).
7. H. Jiang, N. Nakata, G. Y. Zhao, H. Ishikawa, C. L. Shao, T. Egawa, T. Jimbo, and M. Umeno, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 40, L505 (2001).
8. Y. K. Su, S. J. Chang, C. H. Chen, J. F. Chen, G. C. Chi, J. K. Sheu, W. C. Lai, and J. M. Tasi, IEEE Sens. J., 2, 366 (2002).
9. Y. C. Lin, S. J. Chang, Y. K. Su, T. Y. Tsai, C. S. Chang, and S. C. Chen, Solid-State Electron., 47, 849 (2003).
10. R. H. Horng, D. S. Wuu, Y. C. Lien, and W. H. Lan, Appl. Phys. Lett., 79, 2925 (2001).
11. J. O. Song, K. K. Kim, S. J. Park, and T. Y. Seong, Appl. Phys. Lett., 83, 479 (2003).
12. J. O. Song and T. Y. Seong, Appl. Phys. Lett., 85, 6374 (2004).
13. T. Minami, T. Kakumu, and S. Takata, J. Vac. Sci. Technol. A, 14, 1704 (1996).
14. J. H. Lim, D. K. Hwang, H. S. Kim, J. Y. Oh, J. H. Yang, R. Navamathavan, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett., 85, 6191 (2004).
15. J. H. Lim, D. K. Hwang, H. S. Kim, J. H. Yang, R. Navamathavan, and S. J. Park, J. Electrochem. Soc., 152, G491 (2005).
16. M. Mikawa, T. Moriga, Y. Sakakibara, Y. Misaki, K. Murai, I. Nakabayashi, and K. Tominaga, Mater. Res. Bull., 40, 1052 (2005).
17. G. S. Marlow and M. B. Das, Solid-State Electron., 25, 91 (1982).
18. D. J. King, L. Zhang, J. C. Ramer, S. D. Hersee, and L. F. Lester, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 468, 421 (1997).
19. K. M. Chang, J. Y. Chu, and C. C. Cheng, Solid-State Electron., 49, 1381 (2005).
20. H. Itoh, S. Watanabe, M. Goto, N. Yamada, M. Misra, A. Y. Kim, and S. A. Stockman, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 42, L1244 (2003).
21. Q. Li, S. J. Xu, M. H. Xie, S. Y. Tong, X. H. Zhang, W. Liu, and S. J. Chua, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 41, L1093 (2002).
22. P. Bhattacharya, Semiconductor Optoelectronic Devices, 2nd ed., Prentice-Hall, Englewood Cliffs, NJ, (1997).
23. S. J. Chang, Y. C. Lin, Y. K. Su, C. S. Chang, T. C. Wen, S. C. Shei, J. C. Ke, C. W. Kuo, S. C. Chen, and C. H. Liu, Solid-State Electron., 47, 1539 (2003).
24. C. C. Pan, C. M. Lee, J. W. Liu, G. T. Chen, and J. I. Chyi, Appl. Phys. Lett., 84, 5249 (2004).