Laser annealing of laser assisted molecular beam deposited ZnO thin films with application to metal-semiconductor-metal photodetectors

Journal of Applied Physics

Volumn 100, Issue 5, 2006, Pages

  Li, Meiya ^a   Anderson, Wayne ^a   Chokshi, Nehal ^b   DeLeon, Robert L ^b   Tompa, Gary ^b  

^a State University of New York   (United States)

^b AMBP Tech Corporation   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

LASER ANNEALING; METAL-SEMICONDUCTOR-METAL PHOTODETECTORS; MOLECULAR BEAM DEPOSITION;

ANNEALING; LASER APPLICATIONS; MOLECULAR BEAMS; PHOTOCONDUCTIVITY; PHOTODETECTORS; ZINC OXIDE;

THIN FILMS;

EID: 33748894546     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2344811     Document Type: Article

References (23)

1. Y. Chen, D. M. Bagnall, H. J. Ko, K. T. Park, K. Hiraga, Z. Zhu, and T. Tao, J. Appl. Phys. 84, 3912 (1998).
2. S. K. Hong, H. J. Ko, Y. Chen, and T. Yao, J. Cryst. Growth 209, 537 (2002).
3. J. H. Choi, H. Tabata, and T. Kawai, J. Cryst. Growth 226, 493 (2001).
4. P. Zu, Z. K. Tang, G. K. L. Wong, M. Kawasaki, A. Ohtomo, H. Koinuma, and Y. Segawa, Solid State Commun. 103, 459 (1997).
5. D. C. Reynolds, D. C. Look, B. Jogai, and H. Morkoc, Solid State Commun. 103, 643 (1997).
6. M. Joseph, H. Tabata, H. Saeki, K. Ueda, and T. Kawai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38, L1205 (1999).
7. U. Ozgur, Y. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, V. Avrutin, S. J. Cho, and H. Morkoc, J. Appl. Phys. 98, 041301 (2005).
8. K. K. Kim, H. S. Kim, D. K. Hwang, J. H. Lim, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett. 83, 63 (2003).
9. Z. Z. Ye, J. G. Lu, H. H. Chen, Y. Z. Zhang, L. Wang, B. H. Zhao, and J. Y. Huang, J. Cryst. Growth 253, 258 (2003).
10. T. Ohshima, T. Ikegami, K. Ebihara, J. Asmussen, and R. Thareja, Thin Solid Films 435, 49 (2003).
11. D. C. Look, D. C. Reynolds, C. W. Litton, R. L. Jones, D. B. Eason, and G. Cantwell, Appl. Phys. Lett. 81, 1830 (2002).
12. A. B. M. A. Ashrafi, I. Suemune, H. Kumano, and S. Tanaka, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 41, L1281 (2002).
13. Y. R. Ryu, T. S. Lee, and H. W. White, Appl. Phys. Lett. 83, 87 (2003).
14. K. Minegishi, Y. Koiwai, Y. Kikuchi, K. Yano, M. Kasuga, and A. Shimizu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L1453 (1997).
15. X. Li, Y. Yan, T. A. Gessert, C. L. Perkins, D. Young, C. DeHart, M. Young, and T. J. Coutts, J. Vac. Sci. Technol. A 21, 1342 (2003).
16. X. Wang, S. Yang, J. Wang, M. Li, X. Jiang, G. Du, X. Liu, and R. P. H. Chang, J. Cryst. Growth 226, 123 (2001).
17. S. Tuzemen, G. Xiong, J. Wilkinson, B. Mischuck, K. B. Ucer, and R. T. Williams, Physica B 308-310, 1197 (2001).
18. G. Xiong, J. Wilkinson, B. Mischuck, S. Tuzemen, K. B. User, and R. T. Williams, Appl. Phys. Lett. 80, 1195 (2002).
19. M. S. Oh, S. H. Kim, and T. Y. Seong, Appl. Phys. Lett. 87, 122103 (2005).
20. D. Hwang, K. Bang, M. Jeong, and J. Myoung, J. Cryst. Growth 254, 449 (2003).
21. E. F. Rexer, M. P. Joshi, R. L. DeLeon, P. N. Prasad, and J. F. Garvey, Rev. Sci. Instrum. 69, 3029 (1998).
22. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley, New York, 1981).
23. M. Y. Liu and S. Y. Chou, Appl. Phys. Lett. 66, 2673 (1995).